专利名称：基板盒及其应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及基板盒、基板处理设备、基板处理系统、控制设备和用于制造显示元件的方法。要求下述专利申请的优先权在2009年9月25日提交的美国临时申请 No. 61/272，462、在2009年9月25日提交的日本专利申请No. 2009-219953以及在2010年 9月7日提交的美国专利申请No. 12/876，842，上述申请的内容通过引用合并于此。
背景技术：
有机电致发光(EL)元件在本领域中已知例如作为诸如显示器的显示装置的显示元件。有机EL元件包括基板(substrate)上的正电极和负电极以及介于正电极和负电极之间的有机发光层。有机EL元件被配置为获得通过下述方式发出的显示光从正电极向有机发光层内注入空穴，并使空穴和电子在有机发光层中结合。有机EL元件例如具有与基板上的正电极和负电极相连接的电路。作为用于制造有机EL元件的方法，例如，在本领域中已知被称为卷到卷 (roll-to-roll)方法(以下简称为“卷动方法(roll method)”)的技术(例如，参见PCT 公布No. 2006/100868的小册子)。在卷动方法中，通过供应缠绕基板供应侧的辊的单个片状基板并将所供应的基板缠绕在基板回收侧的辊上来传送基板，并且在被提供后缠绕基板的同时，在基板上依序形成有机EL元件的发光层、正电极或负电极、电路等。在专利文件1中公开的配置中，例如，用于供应基板的辊和用于缠绕基板的辊可以从生产线上拆卸下来。拆卸下来的辊可以被传送到例如另一条生产线，并且在那里重新安装以使用。然而，在上述配置中，由于缠绕在辊上的基板布置在生产线的外部环境中并被暴露，因此诸如灰尘等异物可能附着到基板。
发明内容
本发明的方面提供了能够防止异物附着到基板的基板盒、基板处理设备和基板处理系统。根据本发明的一个方面的基板盒，包括盒主框架，其具有用于载入/载出基板的开口，并且容纳通过所述开口的基板；安装部件，其设置在盒主框架中，并且可拆卸地连接到外部连接部件；以及阻塞单元，其根据安装部件与外部连接部件之间的连接状态来阻塞所述开口。根据本发明的一个方面的基板盒，包括盒主框架，其具有用于载入/载出基板的开口，并且容纳通过所述开口的基板；安装部件，其设置在盒主框架中，并且可拆卸地连接到外部连接部件，其中，所述开口被设置为根据安装部件与外部连接部件之间的连接状态， 由所述基板阻塞。根据本发明的一个方面的基板处理设备，包括基板处理单元，其执行对基板的
8处理；所述基板盒；以及基板处理侧连接部件，其设置在基板处理单元中，并且连接到基板
品.ο根据本发明的一个方面的基板处理系统，包括第一处理设备，其执行对基板的第一处理；第二处理设备，其在所述第一处理后执行对基板的第二处理；以及基板中继设备， 其从所述第一处理设备回收基板，并且向所述第二处理设备供应所回收的基板，其中，使用所述基板盒作为所述基板中继设备。根据本发明的一个方面的控制设备，包括基板处理设备，其执行对基板的处理； 以及主控制单元，其执行连接到基板处理设备的所述基板盒的控制。根据本发明的一个方面的制造显示元件的方法，包括在基板处理单元中执行对基板的处理的过程；以及使用所述基板盒向基板处理单元供应基板的过程。根据本发明的方面，可以防止异物附着到基板。
图1是图示根据本发明的一个实施例的有机EL元件的示意图。图2图示基板处理设备的配置。图3图示基板处理单元的配置。图4图示液滴施加装置的配置。图5是图示基板盒的配置的透视图。图6是图示基板盒的配置的横截面视图；图7是基板盒的横截面的扩大示图。图8是图示基板盒的一部分的配置的侧视图。图9是图示基板盒的一部分的配置的侧视图。图10图示基板盒的容纳操作。图11图示基板盒的容纳操作。图12图示基板盒的连接操作。图13图示基板盒的连接操作。图14图示在基板处理单元中形成障壁的处理。图15图示在片型基板中形成的障壁的形状和布置。图16是在片型基板中形成的障壁的横截面视图。图17图示液滴施加操作。图18图示在障壁之间形成的薄膜的配置。图19图示在片型基板中形成栅绝缘层的处理。图20图示用于切割片型基板的布线的处理。图21图示用于在源极-漏极形成区域中形成薄膜的处理。图22图示形成有机半导体层的处理。图23图示对齐的示例。图M图示基板盒的去除操作。图25图示基板处理系统的配置。图沈图示基板处理系统的配置。CN 102549713 A
图27图示片型基板FB的回收操作。图观图示片型基板FB的回收操作。图四图示片型基板FB的回收操作。图30图示基板处理系统的另一种配置。图31图示基板处理系统的配置。图32图示基板处理设备的配置。图33图示基板处理设备的辊的配置。图；34图示基板处理设备的辊的配置。图35图示另一种基板处理设备的阻塞单元的配置。图36图示另一种有机EL元件的配置。图37是图示根据本发明的另一个实施例的基板盒的配置的透视图。图38是图示基板盒的配置的横截面视图。图39是图示基板盒的一部分的配置的侧视图。图40是图示基板盒的一部分的配置的侧视图。图41图示基板盒的容纳操作。图42图示基板盒的容纳操作。图43图示基板盒的连接操作。图44图示基板盒的连接操作。图45图示基板盒的去除操作。图46图示另一种基板处理设备的阻塞单元的配置。附图标记的描述FB...片型基板(sheet substrate)PB...保护基板SYS, SYS2. ·.基板处理系统1，2001···基板盒2...盒主框架3...安装部件4...阻塞单元20...容纳单元21...传送单元21a···张力辊21b...测量辊21c...检测单元22...基板引导单元22a, 22b. · ·基板弓|导构件(夹持机构)23···突出部24...基板驱动机构25···盖26···辊单元
26c...附着部件27···引导单元28···窗口29...显示单元34...开口35···第二开口36...基板传送单元37···基板引导单元41...盖构件42...切换机构50...有机 EL 元件51····接合部件100，202，300，310，320. · ·基板处理设备102A, 302A, 311A...供应侧连接部件102Β，302Β，311Β· · ·回收侧连接部件103，223，312...基板回收单元201...基板制造设备203,303...中继设备211···基板制造单元211Α，222Α· · ·连接部件222,302,311,321...基板处理单元2004...气体供应端口2041...供应入口2042,2043...流动路径2044a, 2044b. ·.气体排放端口2045...挤压机构
具体实施例方式以下，将参考附图描述本发明的实施例。(有机EL元件)图1(a)是图示有机EL元件的配置的平面视图。图1 (b)是沿着图1(a)的线b_b 所取的横截面视图。图1(c)是沿着图1(a)的线c-c所取的横截面视图。如图1(a)至1(c)中所示，有机EL元件50是底部接触型，其中，在片型基板FB上形成栅电极G和栅绝缘层I。此外，在其上形成源电极S、漏电极D和像素电极P，然后，在其上形成有机半导体层OS。如图1(b)中所示，在栅电极G上形成栅绝缘层I。在栅绝缘层I上，形成源极总线 SBL的源电极S，同时，形成连接到像素电极P的漏电极D。在源电极S和漏电极D之间形成有机半导体层OS。结果，完整地制造出场效应晶体管。另外，如图1(b)和1(c)中所示，在像素电极P上形成发光层IR，并且在发光层顶上形成透明电极ΙΤ0。
如图1(b)和1(c)中所示，例如，在片型基板FB上形成障壁BA(提层(bank layer) )0另外，如图1(c)中所示，在障壁BA之间形成源极总线SBL。因为以这种方式提供障壁BA，所以高精度地形成源极总线SBL，同时，也精确地形成像素电极P和发光层顶。另夕卜，虽然在图1(b)和1(c)中未示出，但是与源极总线SBL类似，在障壁BA之间也形成栅极总线GBL。有机EL元件50优选地用于例如显示装置、电器的显示单元等。在这种情况下，例如，使用形成为板形的有机EL元件50。为了制造这样的有机EL元件50，需要形成以下基板，在所述基板中形成薄膜晶体管(TFT)和像素电极。为了在基板的像素电极上高精度地形成包括发光层的一个或多个有机化合物层(发光元件层)，优选的是，在像素电极的边界区域中高精度地、容易地形成障壁BA(提层)。(基板处理设备)图2是图示用于使用具有挠性的片型基板FB来执行处理的基板处理设备100的配置的示意图。基板处理设备100是用于使用带状片型基板FB来形成图1中所示的有机EL元件 50的设备。如图2中所示，基板处理设备100包括基板供应单元101、基板处理单元102、基板回收单元103和控制单元104。片型基板FB从基板供应单元101经由基板处理单元102 传送到基板回收单元103。控制单元104总体地执行对基板处理设备100的操作的控制。以下，建立XYZ直角坐标系，并且将参考XYZ直角坐标系来描述每个构件的位置关系。X轴方向表示片型基板FB在水平面内的传送方向，Y轴方向表示在水平面内与X轴方向垂直的方向，并且Z轴方向表示与X轴方向和Y轴方向中的每一个都垂直(即，正交)的方向。另外，围绕X轴、Y轴和Z轴的旋转(倾斜)方向分别由θχ、ΘΥ和ΘΖ表示。例如，可以将耐热树脂膜、不锈钢等用作片型基板FB。具体地说，片型基板FB的材料可以包括聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯-乙烯共聚树脂(ethylenevinyl copolymer resin)、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰氨树脂、聚酰亚氨树脂、聚碳酸酯树月旨、聚苯乙烯树脂、聚醋酸乙烯树脂等。例如，片型基板FB的Y方向尺寸形成为大约Im至 2m，并且，Y方向尺寸形成为IOm或更大。毋庸多言，这样的尺寸仅是示例性的，而不限于此。 例如，片型基板FB的Y方向尺寸可以小于50cm，或者等于或大于an。另外，片型基板FB的 X方向尺寸可以小于10m。此外，本实施例的挠性表示下述挠性属性当诸如至少大约自重的预定力被施加到基板时，基板可以弯曲，而不会导致任何破裂或折断。另外，挠性根据基板的材料、大小或厚度或者环境(比如温度)来改变。优选的是，片型基板FB具有较低的热膨胀系数，使得即使被加热时，例如在大约 200°C的温度下，尺寸也不改变。例如，可以通过将无机填充剂与树脂膜混合来降低热膨胀系数。无机填充剂可以包括例如氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等。基板供应单元101连接到在基板处理单元102中设置的供应侧连接部件102A。基板供应单元101例如向基板处理单元102提供缠绕成卷形的片型基板FB。基板回收单元 103回收在基板处理单元102中执行了处理的片型基板FB。图3图示基板处理单元102的配置。如图3中所示，基板处理单元102包括传送单元105、元件形成单元106、对齐单元 107和基板切割单元108。基板处理单元102在传送从基板供应单元101供应的片型基板FB的同时在片型基板FB中形成有机EL元件50的每个构成部分，并向基板回收单元103传送具有有机EL元件50的片型基板FB。传送单元105具有沿着X方向排列的多个辊RR。通过旋转辊RR在X轴方向上传送片型基板FB。辊RR可以是橡胶辊，用于从两面插入片型基板FB。如果片型基板FB具有穿孔，则辊RR可以有棘齿。多个辊RR中的一些能够在垂直于传送方向的Y轴方向上移动。元件形成单元106包括障壁形成单元91、电极形成单元92和发光层形成单元93。 障壁形成单元91、电极形成单元92和发光层形成单元93以此顺序在片型基板FB的传送方向上从上游侧向下游侧被布置。以下，将描述元件形成单元106的每一个配置。障壁形成单元91包括压印辊110和传热辊115。障壁形成单元91在从基板供应单元101供应的片型基板FB上形成障壁BA。障壁形成单元91使用压印辊110来挤压片型基板FB，并且使用传热辊115以超过玻璃转化点(glass transition point)的温度来加热片型基板FB，使得被挤压的障壁BA可以保持它们的形状。结果，在压印辊110的辊表面上形成的图案形状被转印到片型基板FB。传热辊115例如以大约200°C的温度来加热片型基板FB。压印辊110的辊表面经过镜面加工，并且，在辊表面上安装了由诸如SiC和Ta等材料构成的精细压印模具111。精细压印模具111构成薄膜晶体管的布线压模和滤色器压模。压印辊110使用精细压印模具111在片型基板FB上形成对齐标记AM。为了在作为片型基板FB的宽度方向的Y轴方向的两侧上形成对齐标记AM，精细压印模具111具有用于对齐标记AM的压模。电极形成单元92设置在障壁形成单元91的+X侧上，以便例如使用有机半导体来形成薄膜晶体管。具体地说，在如图1中所示地形成栅电极G、栅绝缘层I、源电极S、漏电极 D和像素电极P之后，形成有机半导体层OS。薄膜晶体管(TFT)可以由无机半导体或有机半导体制成。虽然非晶硅系列在本领域中已知作为无机半导体薄膜晶体管，但是也可以使用有机半导体薄膜晶体管。如果通过使用该有机半导体来构成薄膜晶体管，则可以使用印刷技术或液滴施加技术来形成薄膜晶体管。另外，在有机半导体薄膜晶体管中，在图1中所示的场效应晶体管FET是特别优选的。电极形成单元92包括液滴施加装置120、热处理装置BK和切割装置130。根据本实施例的液滴施加装置120例如包括液滴施加装置120G，用于形成栅电极G ；液滴施加装置1201，用于形成栅绝缘层I ；液滴施加装置120SD，用于形成源电极S、漏电极D和像素电极P ；液滴施加装置1200S，用于形成有机半导体0S，等等。图4是图示液滴施加装置120的配置的平面视图。图4图示从+Z侧看到的液滴施加装置120的配置。液滴施加装置120沿着Y轴方向延伸。在液滴施加装置120中设置了未示出的驱动装置。液滴施加装置120能够由驱动装置例如在X方向、Y方向和ΘΖ方向上移动。在液滴施加装置120中形成多个喷嘴122。喷嘴122设置在液滴施加装置120中的面向片型基板FB的平面中。喷嘴122例如沿着Y轴方向排列，并且例如以两行来形成一行喷嘴122(喷嘴行)。控制单元104可以使得所有的喷嘴122 —起被施加液滴，或独立地调整用于在每一个喷嘴122中施加液滴的时机。
液滴施加装置120可以采用例如喷墨技术、分配器技术等。喷墨技术可以包括电荷控制型、挤压振动型、机电转换型、电热转换型、静电吸入型等。在液滴施加方法中，以较少的浪费来使用材料，并且可以将期望量的材料精确地设置到期望位置。另外，通过液滴施加方法施加的金属墨的单个液滴的量可以被设置为例如1至300毫微克。返回图2，液滴施加装置120G在栅极总线GBL的障壁BA内施加金属墨。液滴施加装置1201向切换单元施加由聚酰亚胺基树脂或聚氨酯基树脂构成的电绝缘墨。液滴施加装置120SD在源极总线SBL的障壁BA和像素电极P的障壁BA内施加金属墨。液滴施加装置1200S向在源电极S和漏电极D之间的切换单元施加有机半导体墨。金属墨是以下液体，由所述液体形成的具有大约5nm的微粒直径的导体在室温下稳定地散布在溶剂中，并且可以使用碳、银(Ag)或金(Au)作为导体。构成有机半导体墨的化合物可以包括单晶材料、非晶材料、低分子材料或聚合物材料。更优选的是，作为有机半导体墨的化合物，有浓缩芳香烃化合物(诸如并五苯、三亚苯或蒽或η共轭聚合物)的单晶体。在每一个液滴施加装置120的+X侧(在基板传送方向上的下游侧)布置每一个热处理装置ΒΚ。热处理装置BK被配置为例如向片型基板FB吹热空气或辐射远红外线。热处理装置BK使用这样的热辐射来干燥或烘焙在片型基板FB上施加的液滴，以固化液滴。切割装置130在液滴施加装置120SD的+X侧设置在液滴施加装置1200S的上游侧。切割装置130例如使用激光等来切割由液滴施加装置120SD形成的源电极S和漏电极 D。切割装置130包括未示出的光源和用于讲来自光源的激光辐射到片型基板FB上的电流镜 131。作为激光，具有由被要切割的金属膜吸收的波长的激光是优选的，并且诸如YAG 的波长转换激光的二次、三次或四次谐波是更优选的。另外，通过使用脉冲激光，可以防止热扩散，并且降低在除了切割部分之外的其他区域中的损坏。当使用铝作为材料时，优选地使用具有760nm的波长的飞秒激光束。在本实施例中，例如，将使用钛蓝宝石激光的飞秒激光辐射单元用作光源。飞秒激光辐射单元辐射例如具有IOKHz至40KHz频率的激光LL的脉冲。在本实施例中，因为使用飞秒激光器，所以可以在次微米数量级上执行制造，并且可以精确地切割源电极S与漏电极D之间的间隔，所述间隔用于确定场效应晶体管的性能。 源电极S与漏电极D之间的间隔被设置为例如大约3 μ m至30 μ m。例如，作为上述飞秒激光器的另一种方式，可以使用二氧化碳气体激光器或绿色激光器。此外，作为激光器的另一种方式，可以配置为使用切割锯等来机械地切割。电流镜131布置在激光LL的光路的中间。电流镜131将来自光源的激光LL向片型基板ra反射。例如在Θ χ方向、Θ γ方向和Θ ζ方向方向上可旋转地设置电流镜131。 通过旋转电流镜131来调整激光LL的辐射位置。通过使用如上所述的障壁形成单元91和电极形成单元92，可以使用印刷技术或液滴施加技术来形成薄膜晶体管，而无需所谓的光刻处理。例如，当仅使用采用印刷技术、 液滴施加技术等的电极形成单元92时，可能因为墨渗出或扩散而不能高精度地制造薄膜
晶体管。相反，因为通过使用障壁形成单元91形成障壁ΒΑ，所以可以防止墨渗出或扩散。另外，通过激光加工或机械加工来形成在源电极S和漏电极D之间的用于确定薄膜晶体管的性能的间隔。在电极形成单元92的+X侧布置了发光层形成单元93。在发光层形成单元93中， 在已经设置了电极的片型基板FB上形成有机EL元件的部件，诸如发光层顶和像素电极 ITO0发光层形成单元93包括液滴施加装置140和热处理装置BK。在发光层形成单元93中形成的发光层顶包含基质化合物(host compound)和磷光化合物(也称为磷光发射化合物)。基质化合物指的是在发光层中包含的化合物。磷光化合物以激发三重态来发射光，并且在室温发射磷光。在本实施例中，例如使用以下装置作为液滴施加装置140 液滴施加装置140Re， 用于形成红光发射层；液滴施加装置140Gr，用于形成绿光发射层；液滴施加装置140B1，用于形成蓝光发射层；液滴施加装置1401，用于形成绝缘层；液滴施加装置140IT，用于形成像素电极ΙΤ0，等等。液滴施加装置140可以采用与上述的液滴施加装置120类似的喷墨方法或分配方法。当有机EL元件50包括作为部件的空穴传送层和电子传送层时，应当单独地提供用于形成这样的层的装置(诸如液滴施加装置)。液滴施加装置140Re在像素电极P上施加R溶液。采用液滴施加装置140Re来调整R溶液的排放量，以便在干燥后提供IOOnm的膜厚度。R溶液例如包括通过在1，2- 二氯乙烷中溶解与红色掺杂剂混和的、作为基质材料的聚乙烯基咔唑(PVK)而获得的溶液。液滴施加装置140Gr在像素电极P上施加G溶液。G溶液例如包括通过在1，2_ 二氯乙烷中溶解与绿色掺杂剂混和的、作为基质材料的聚乙烯基咔唑(PVK)而获得的溶液。液滴施加装置140B1在像素电极P上施加B溶液。B溶液例如包括通过在1，2_ 二氯乙烷中溶解与蓝色掺杂剂混和的、作为基质材料的聚乙烯基咔唑(PVK)而获得的溶液。液滴施加装置1201在栅极总线GBL或源极总线SBL的一部分上施加电绝缘墨。例如可以使用聚酰亚胺基树脂墨或聚氨酯基树脂墨来作为电绝缘墨。液滴施加装置120IT在红色、绿色和蓝色发光层上施加氧化铟锡(ITO)墨。使用通过向氧化铟(In2O3)添加百分之几的氧化锡(SnO2)而获得的化合物来作为ITO墨。另外， 可以使用可以用于制造透明导电膜的非晶材料，比如IDIXOan2O3-ZnO)。透明导电膜优选地具有超过90%的透明度。每一个热处理装置BK布置在每一个液滴施加装置140的+X侧(在基板传送方向的下游侧)上。与在电极形成单元92中使用的热处理装置BK类似，热处理装置BK能够例如向片型基板FB吹热空气或辐射远红外线。热处理装置BK使用这样的热辐射来干燥或烘焙在片型基板FB上施加的液滴，以固化液滴。对齐单元107包括沿着X方向设置的多个对齐相机CA (CAl至CA8)。对齐相机CA 可以在可见光照明下使用CCD或COMS元件来拍摄图像，并处理所拍摄的图像以检测对齐标记AM的位置。或者，对齐相机CA可以向对齐标记AM上辐射激光，并接收从对齐标记AM漫射的光以检测对齐标记AM的位置。对齐相机CAl布置在传热辊115的+X侧。对齐相机CAl检测在片型基板FB上由传热辊115形成的对齐标记AM的位置。每一个对齐相机CA2至CA8布置在热处理装置BK 的+X侧。对齐相机CA2至CA8检测在通过热处理装置BK的片型基板FB上的对齐标记AM的位置。经由通过传热辊115和热处理装置BK，片型基板FB可以在X轴方向和Y轴方向上伸展或收缩。通过以这种方式在传热辊115或执行热处理的热处理装置BK的+X侧上布置对齐相机CA，可以检测由热变形等引起的片型基板FB的位置偏离。来自对齐相机CAl至CA8的检测结果被发送到控制单元104。控制单元104基于来自对齐相机CAl至CA8的检测结果来调整例如来自液滴施加装置120或液滴施加装置 140的墨的施加位置或时机、来自基板供应单元101的片型基板FB的供应速度、辊RR的传送速度、通过辊RR在Y方向上的移动、切割位置130的切割位置或时机等。(基板盒)在本实施例中，基板盒1被用作基板供应单元101和基板回收单元103。在下面的描述中，为了方便说明，建立与图2类似的XYZ直角坐标系，并且将参考该XYZ直角坐标系来描述每一个构件的位置关系。在下面的MZ直角坐标系中，将示例性地描述基板盒1被用作基板供应单元101、并且基板供应单元101连接到基板处理单元102的情况。图5是基板盒1的配置的透视图。另外，图6图示沿着图5的线A-A'所取的横截面配置。如图5和6中所示，基板盒1包括盒主框架2、安装部件3和阻塞单元4。盒主框架2是用于容纳片型基板FB的部件。盒主框架2包括容纳单元20、传送单元(传送机构)21、基板引导单元22、第二基板传送单元36和第二基板引导单元37。另夕卜，在盒主框架2中设置了上述安装部件3。另外，例如，盒主框架2由铝或硬铝制成。容纳单元20是用于容纳片型基板FB的部件。例如，容纳单元20具有圆柱形状，以容纳缠绕成卷形的片型基板FB，并且容纳单元20的一部分向+X侧突出(突出部23)。在本实施例中，容纳单元20在附图中的Y方向上延伸。容纳单元20具有盖25和基板驱动机构24。盖25设置在容纳单元20的+Y侧或-Y侧的端部。盖25可拆卸地设置在容纳单元20中。可以通过将盖25从容纳单元20拆卸下来，来进入容纳单元20的内部。作为盖 25的打开/关闭机构，例如，可以设置用于将盖25和容纳单元20彼此接合的螺纹，或者，可以通过使用铰接机构来连接盖25和容纳单元20。盖25具有窗口 28和显示器四。窗口观例如由能够透过可见光的材料(诸如玻璃或塑料)制成。可以通过窗口 28观察容纳单元20的内部。显示器四是用于显示信息(诸如片型基板FB的状况)的部件。显示器四显示诸如在容纳单元20中容纳的片型基板FB的长度和片型基板FB的剩余长度等尺寸。基板驱动机构M是用于执行缠绕片型基板FB的操作和供应片型基板FB的操作的部件。基板驱动机构M设置在容纳单元20内部。基板驱动机构M具有辊(轴)沈和引导件27。如图6中所示，辊沈具有旋转轴构件^a、放大半径部件26b和附着部件^c。旋转轴构件26a是由高硬度金属(诸如铝)形成的圆柱构件。例如通过设置在盖 25的中心的承载构件2 和开口 2 来可旋转地支撑旋转轴构件^a。在该情况下，旋转轴构件^a的中轴线例如与Y方向平行地排列，以便使旋转轴构件26a在θ Y方向上旋转。旋转轴构件26a连接到未示出的旋转驱动机构。通过控制旋转驱动机构，旋转轴构件26a相对于中轴线旋转。旋转驱动机构可以例如在如图6中所示的+ θ Y或-θ Y方向上旋转旋转轴构件26a。
16
放大半径部件26b被形成为在旋转轴构件的表面上具有均勻的厚度。放大半径部件26b被形成为与旋转轴构件26a —体地旋转。附着部件26c被形成为在放大半径部件^^的表面上具有均勻的厚度，如在横截面视图中所见。附着部件^c由具有能够附着到片型基板FB的粘性的材料制成。引导件27具有枢轴构件(第一引导构件)27a和前端构件(第一引导构件)27b。 枢轴构件27a例如在一端通过轴27c被安装在容纳单元20中，并且相对于轴27c可枢转地设置在ΘΥ方向上。枢轴构件27a连接到未示出的旋转驱动机构。前端构件27b连接到枢轴构件27a的另一端，如在横截面视图中所见。例如，前端构件27b被形成为具有弧形圆表面，如在横截面视图中所见。通过前端构件27b中设置的在+Z侧上的弧形圆表面将片型基板FB引导到辊沈，如在横截面视图中所见。前端构件27b 与枢轴构件27a —体地绕枢轴旋转。例如，当枢轴构件27a绕枢轴旋转以离开辊沈(在辊沈的径向上向外)时，前端构件27b沿着容纳单元20的内圆周接触。因此，可以避免缠绕在辊沈上的片型基板FB与前端构件27b之间的接触。安装部件3是连接到基板处理单元102的部件。安装部件3例如设置在容纳单元 20的突出部23的+X侧的端部。安装部件3具有插入部3a，用于与基板处理单元102连接。 当基板盒1被用作基板供应单元101时，安装部件3连接到基板处理单元102的供应侧连接部件102A。当基板盒1被用作基板回收单元103时，安装部件3连接到盒主框架2的回收侧连接部件102B。即使当安装部件3连接到基板处理单元102的基板供应单元101或基板回收单元103中的任何一个时，它也可以可拆卸地被连接。安装部件3具有开口 34和第二开口 35。开口 34设置在+Z侧，并且是用于将片型基板FB载入/载出盒主框架2的部件。盒主框架2容纳通过开口 34的片型基板FB。在盒主框架2中容纳的片型基板FB从盒主框架2通过开口 34供应到外侧。第二开口 35设置在-Z侧，并且是用于将与片型基板FB不同的带状第二基板SB 载入/载出盒主框架2的部件。这样的第二基板SB可以包括例如保护基板，用于保护片型基板FB的元件形成表面等。例如，可以使用衬纸作为保护基板。第二开口 35被布置为例如与开口 34有间隙。第二开口 35形成为例如具有与开口 34相同的尺寸和形状。另外，在本实施例中，诸如不锈钢薄板(例如，厚度小于0. Imm)等具有导电性的材料可以用作第二基板SB。在该情况下，如果当第二基板SB与片型基板FB—起容纳在盒主框架2中时第二基板SB电连接到盒主框架2，则可以防止片型基板FB被充电。例如，在突出部23内部设置传送单元21、基板引导单元22、第二基板传送单元36 和第二基板引导单元37。图7是夸大地图示图6的突出部23附近的横截面视图。在图7 中，一些部件有意被省略，以方便对附图的理解。基板引导单元22设置在开口 34和传送单元21之间。基板引导单元22是用于在开口 34和传送单元21之间引导片型基板FB的部件。基板引导单元22包括基板引导构件 22a和22b。基板引导构件2 和22b在Z方向上彼此相对并相隔间隙22c，并且它们的相对表面被设置为近乎与XY平面平行。间隙22c连接到开口 34，并且片型基板FB能够通过开口 34和间隙22c移动。第二基板引导单元37是用于在安装部件3和传送单元21之间引导第二基板SB 的部件。第二基板引导单元37包括第二基板引导构件37a、37b和37c。第二基板引导构件37a和37b在Z方向上彼此相对并相隔间隙37d，并且它们的相对表面被设置为近乎与 XY平面平行。第二基板引导构件37c被倾斜地布置，以将第二基板SB向+Z侧引导。具体地说，第二基板引导构件37c的-X侧端部被布置用于在+Z侧上相对于第二基板引导构件 37c的+X侧端部倾斜。第二基板传送单元36在安装部件3和传送单元21之间传送第二基板SB。第二基板传送单元36布置在第二基板引导构件37a和37b与第二基板引导构件37c之间。第二基板传送单元36具有主动辊36a和从动辊36b。主动辊36a可旋转地设置在例如θ Y方向上，并且连接到未示出的旋转驱动机构。从动辊36b被布置为与主动辊36a隔开特定间隙，以便利用主动辊36a插入和保持第二基板SB。换句话说，第二基板SB被插入和保持在主动辊36a和从动辊36b之间。传送单元21在安装部件3和容纳单元20之间传送片型基板FB和第二基板SB。 传送单元21包括张力辊(张力机构)21a和测量辊(测量单元)21b。张力辊21a是用于在张力辊21a和辊沈之间向片型基板FB和第二基板SB施加张力的辊。张力辊21a可旋转地设置在ΘΥ方向上。未示出的旋转驱动机构例如连接到张力辊21a。另外，张力辊21a 和测量辊21b可以分别可移动地设置在图7中的Z方向上。测量辊21b具有比张力辊21a小的直径。测量辊21b被布置为与张力辊21a隔开预定间隙，以便能够利用张力辊21a来插入和保持片型基板FB和第二基板SB。在测量辊 21b和张力辊21a之间的间隙的大小可以被配置得可调整为仅插入和保持片型基板FB、或者片型基板FB与第二基板SB的组合。测量辊21b是从动辊，其伴随张力辊21a的旋转而旋转。通过在张力辊21a和测量辊21b之间插入片型基板FB的同时旋转张力辊21a，可以在向片型基板FB施加张力的同时分别在片型基板FB的缠绕方向和供应方向上传送片型基板FB。传送单元21包括例如检测单元21c，用于检测测量辊21b的旋转周数或旋转角度。 例如，编码器可以被用作检测单元21c。例如，通过使用检测单元21c，可以测量片型基板FB 通过测量辊21b的传送距离。盒主框架2具有信息处理单元IC (参见图5)。信息处理单元IC包括例如IC芯片等，并且例如嵌入在盒主框架2中。信息处理单元IC具有存储器单元MR，用于存储基板处理设备100和基板盒1的处理信息；例如通信单元CR，用于与控制单元104传输处理信
自 AjVAjV 尼、，寸寸ο这样的处理信息可以包括例如关于基板处理设备100的生产节拍(takt)或生产量的信息、关于基板盒1的传送速度或辊26的缠绕/供给速度的信息、关于片型基板ra的信息等。术语“生产节拍”指的是在处理的单位面积(例如，可以被液滴施加装置120或140 等一次处理的面积，或者在有机EL元件50的单板中的屏幕面积或整板面积)中的处理时间。术语“生产量”指的是可以在单位时间中处理的片型基板FB的量(例如，长度、板的数量、基板盒1的数量等)。例如，当通过开口 ；34插入片型基板FB并且通过第二开口 35插入第二基板SB时， 片型基板FB和第二基板SB分别被基板引导单元22和第二基板引导单元37引导，并且在结合部分39中结合到一起。在结合部分39结合的片型基板FB和第二基板SB在它们结合在一起的同时被传送单元21传送。此刻，传送单元21将片型基板FB和第二基板SB挤压为彼此紧密接触。因此，传送单元21也用作挤压机构，用于将第二基板SB挤压到片型基板 FB上。参见图5和6，在突出部23的+X侧端部中设置阻塞单元4。阻塞单元4响应于安装部件3与基板处理单元102之间的连接状态来阻塞开口 34和第二开口 35。阻塞单元4 具有盖构件41和切换机构42。图8和9图示突出部23的+X侧端部和阻塞单元4的配置的放大视图。如图8和9中所示，盖构件41被形成为具有覆盖安装部件3的端面北的尺寸。盖构件41通过固定构件43和轴44而安装在安装部件3中。固定构件43被固定为毗连在突出部23的+X侧端部上。轴44被固定构件43可旋转地支撑。盖构件41与轴44集成为一体。由此，盖构件41能够围绕轴44旋转。盖构件41具有闭合状态和打开状态。在闭合状态中，安装部件3的端面北被覆盖，如图8中所示；而在打开状态中，安装部件3的端面未被覆盖，如图9中所示。盖构件41被设置为通过围绕轴44旋转来打开或关闭在端面北上设置的开口 34和第二开口 35。切换机构42是用于转换以打开或关闭盖构件41的部件。切换机构42具有带构件45、弹性构件46和可移动构件47。使用挠性材料来形成带构件45。带构件45的一端被固定在盖构件41中，另一端被固定在可移动构件47中。弹性构件46连接在盖构件41和突出部23之间，使得盖构件 41和突出部23通过弹力而彼此附着。因此，除非增加外力，否则盖构件41通过弹性构件 46的弹力来进入闭合状态。可移动构件47被布置在例如固定构件43的-Z侧。可移动构件47具有头47a和带固定件47b。同时，在固定构件43的-Z侧上形成沟槽48。例如沿着X方向来形成沟槽48。沟槽23a从与轴44接触的部分沿着-X方向设置在突出部23的-Z侧。沟槽2 沿着沟槽23a 设置在沟槽23a的底部。沟槽2 沿着上述沟槽48的延长线形成，并且连接到沟槽48。带固定件47b插入固定构件43的沟槽48内。因此，可移动构件47可以在带固定件47b插入沟槽48内的同时在沿着沟槽48的方向(X方向)上移动。沟槽48的+X侧端部被形成为当盖构件41在闭合状态中时与带固定件47b毗连。沟槽23a被形成为Y方向的尺寸近似地等于头47a的Y方向的尺寸，并且头47a 可以从固定构件43的一侧进入沟槽23a内。沟槽2 沿着沟槽23a设置在沟槽23a的底部。沟槽2 沿着上述的沟槽48的延长线形成，并且连接到沟槽48。沟槽23a的-X侧端部被形成为例如在盖构件41相对于闭合状态打开大约90°时，接近头47a。例如，通过借助于外力等相对于固定构件43向-X方向移动可移动构件47，带固定件47b向-X方向移动，并且带构件45向-X侧伸展。通过拉动(张紧)带构件45来打开连接到带构件45的盖构件41，如图9中所示。通过从在图9中所示的状态中释放外力，盖构件41借助于弹性构件46的弹力而附着到突出部23，并且盖构件41返回到如图8中所示的闭合状态。带构件45被盖构件41拉到+X侧，并且当盖构件41从打开状态切换到闭合状态时，可移动构件47也返回到原始位置。(在基板盒中容纳片型基板的操作)
接下来，将描述在如上所述配置的基板盒1中容纳片型基板FB的操作。图10和 11图示在容纳操作期间基板盒1的状态。在图10和11中，为了便于区别，将基板盒1的轮廓示为虚线。如图10和11中所示，当在基板盒1中容纳片型基板ra时，例如，阻塞单元4的盖构件41通过下述方式进入打开状态将可移动构件47吸引到突出部23的侧部，使得基板盒1被保持在保持器HD中。在该状态中，从开口 34插入片型基板FB。当插入片型基板FB 时，张力辊21a和旋转轴构件26a (辊单元26)被设置为具有可旋转状态。通过开口 34插入的片型基板FB被基板引导单元22引导到传送单元21。在传送单元21中，片型基板FB在被插在张力辊21a和测量辊21b之间的同时被传送到容纳单元 20。随着测量辊21b的旋转，例如通过检测单元21c检测到片型基板FB的传送长度。由传送单元21向容纳单元20传送的片型基板FB在因为自重而向-Z方向弯曲的同时被引导。在本实施例中，因为引导件27设置在片型基板FB的-Z侧，所以片型基板FB 沿着引导件27的枢轴构件27a和前端构建27b被引导到辊单元26。当片型基板FB的前端到达辊单元沈的附着部件26c时，片型基板FB的前端附着到附着部件26c。在该状态中，随着辊单元沈的旋转，片型基板FB稳定地附着到附着部件 26c,并且片型基板FB缠绕在辊单元沈上。在片型基板FB附着到附着部件26c后，片型基板FB被传送以便例如不在辊单元沈和传送单元21之间弯曲片型基板FB，同时，调整张力辊21a的旋转速度和旋转轴构件^a的旋转速度。在片型基板FB例如以单匝缠绕到辊单元沈上之后，撤回引导单元27，如图11中所示。通过在这种状态中旋转辊单元沈，片型基板FB容易缠绕到辊单元沈上。尽管片型基板FB的缠绕厚度逐渐增大，但是片型基板FB不与引导件27接触，因为已经撤回引导单元27。在将片型基板FB缠绕例如期望长度后，切开在开口 34之外的片型基板的外部部分，使得阻塞单元4的盖构件41变为闭合状态。以这种方式，在基板盒1中容纳片型基板 FB。在容纳片型基板FB的操作期间，例如，可以基于由检测单元21c测量的片型基板FB的测量长度来计算在基板盒1中容纳的片型基板FB的整个长度。另外，可以将计算结果显示在显示单元四上，存储在存储器单元MR中，或者使用通信单元CR发送计算结果。另外，例如，可以在操作员通过窗口观观察容纳单元20的内部的同时缠绕片型基板FB。在该情况下，例如，可以执行缠绕操作，同时查看片型基板FB是否被缠绕成弯曲状态、或者片型基板FB的缠绕形状(卷形)是否已经有偏离。当出现故障时，可以立即停止缠绕操作。(基板处理设备的操作)接下来，将描述如上所述配置的基板处理设备100的操作在本实施例中，依序执行下述操作将容纳片型基板FB的基板盒1连接到供应侧连接部件102A以作为基板供应单元101的操作，由基板供应单元101供应容纳在基板盒1 中的片型基板FB的操作，通过基板处理单元102形成元件的操作，以及移除基板盒1的操作。首先，将描述连接基板盒1的操作。图12图示连接基板盒1的操作。如图12中所示，供应侧连接部件10 包括插孔，其具有与安装部件3对应的形状；以及接合部件51，用于与可移动构件47接合。在连接操作中，在基板盒1被保持在保持器(例如，具有与图10的保持器HD相同的配置)的同时，执行在安装部件3和供应侧连接部件10 之间的定位。在定位后，安装部件3移动到+X侧以插入到基板处理单元102中。此时，与接合部件51接合的可移动构件47相对于安装部件3在-X方向上移动。由此，当安装部件3连接到基板处理单元102 时，盖构件41进入打开状态。接下来，将描述供应操作。为了例如向基板处理单元102供应片型基板FB，在与容纳操作相反的方向上旋转基板盒1的张力辊21a和旋转轴构件辊单元26)，以便通过如图13中所示的开口 34来供应片型基板FB。接下来，将描述元件形成操作。在元件形成操作中，在如图2中所示从基板供应单元101向基板处理单元102供应片型基板FB的同时，在基板处理单元102中在片型基板FB 上形成元件。如图3中所示，由基板处理单元102中的辊RR传送片型基板FB。控制单元104可以例如与基板盒1传输处理信息，并且基于处理信息来执行基板处理单元102的操作的控制。具体地说，可以根据从基板盒1供应片型基板FB的速度来调整基板处理单元102的每一个辊RR的旋转速度。另外，控制单元104检测辊RR是否在Y 轴方向上偏离，并且在检测到偏离的情况下移动辊RR以校正位置。另外，控制单元104也执行片型基板FB的位置校正。从基板供应单元101向基板处理单元102供应的片型基板FB首先被传送到障壁形成单元91。在障壁形成单元91中，片型基板FB被压印辊110和传热辊115夹持并挤压， 并且通过热传递来形成障壁BA和对齐标记AM。图14图示在片型基板FB上形成障壁BA和对齐标记AM的状态。图15图示图14 的扩大部分。图16图示沿着图15的线D-D所取的横截面配置。图14和15图示从+Z侧看到的片型基板FB。如图14中所示，在片型基板FB的Y方向上的中心的元件形成区域60中形成障壁 BA。如图15中所示，通过形成障壁BA而在元件形成区域60中划分出下述区域用于形成栅极总线GBL和栅电极G的区域(栅极形成区域52)，以及用于形成源极总线SBL、源电极 S、漏电极D和正电极P的区域(源极/漏极形成区域5 。如图16中所示，栅极形成区域 52具有梯形形状，如在横截面视图中所见。虽然在附图中未示出，但是源极/漏极形成区域 53具有同样的形状。障壁BA的内部宽度W(ym)与栅极总线GBL的线宽相同。宽度W优选地被设置为两倍，以使从液滴施加装置120G施加的液滴的直径d( μ m)变为原来的四倍。此外，栅极形成区域52和源极/漏极形成区域53的横截面形状优选地具有在横截面视图中看到的V形或U形，以便使得在通过精细压印模具111挤压后容易剥落片型基板FB。它也可以具有在横截面视图中看到的其他形状，比如矩形。同时，如图14中所示，在片型基板FB的Y方向上的两端的边缘区域61中形成一对对齐标记AM。障壁BA和对齐标记AM同时形成，因为相互位置关系是重要的。如图15中所示，在Y轴方向上定义对齐标记AM和栅极形成区域52之间的预定距离PY，并且，在X轴方向上定义对齐标记AM和源极/漏极形成区域53之间的预定距离PX。因此，可以基于一对对齐标记AM的位置来检测在X轴方向上的偏离、在Y轴方向上的偏离、以及片型基板FB 的θ旋转。
在图14和15中，在X轴方向上的每多行障壁BA中设置了一对对齐标记AM。但是不限于此。例如，可以在每行障壁BA中设置对齐标记AM。另外，如果存在空间，则可以在片型基板FB的元件形成区域60以及边缘区域61中设置对齐标记AM。另外，虽然在图14 和15中对齐标记AM具有十字形状，但是对齐标记AM可以采用其他形状，诸如圆形标记或斜线标记。随后，传送辊RR将片型基板FB传送到电极形成单元92。在电极形成单元92中， 使用每一个液滴施加装置120来施加液滴，以在片型基板FB上形成电极。首先，液滴施加装置120G在片型基板FB上形成栅极总线GBL和栅电极G。图17(a) 和17(b)图示通过液滴施加装置120G施加了液滴的片型基板FB。如图17(a)中所示，液滴施加装置120G在具有障壁BA的片型基板FB的栅极形成区域52中以例如1至9的顺序来施加金属墨。这个顺序例如是通过金属墨的张力来以线性形状施加金属墨的顺序。图17(b)图示例如施加了单个液滴的金属墨的状态。如图17(b) 中所示，因为提供了障壁BA，所以在栅极形成区域52中施加的金属墨不扩散而是被保持。 以这种方式，在整个栅极形成区域52上施加金属墨。在栅极形成区域52上施加金属墨后，传送片型基板FB以使得施加了金属墨的部分位于热处理装置BK的-Z侧。热处理装置BK对施加在片型基板FB上的金属墨执行热处理，以干燥金属墨。图18(a)图示在金属墨干燥后栅极形成区域52的状态。如图18(a)中所示，通过干燥金属墨，在金属墨中包括的导体层压成薄膜状态。这样的薄膜导体形成在整个栅极形成区域52中，使得栅极总线GBL和栅电极G设置在片型基板FB上，如图18(b)中所示。接下来，片型基板FB被传送到液滴施加装置1201的-Z侧。电绝缘墨由液滴施加装置1201施加在片型基板FB上。液滴施加装置1201在通过例如源极/漏极形成区域53 的栅极总线GBL和栅电极G上施加电绝缘墨，如图19中所示。在施加电绝缘墨后，向热处理装置BK的-Z侧传送片型基板FB，并且，通过热处理装置BK向电绝缘墨施加热处理。通过热处理，电绝缘墨被干燥以形成栅绝缘层I。当在图 19中栅绝缘层I被形成为具有在障壁BA上的圆形时，不必在障壁BA上形成栅绝缘层I。在形成栅绝缘层I后，片型基板FB被传送到液滴施加装置120SD的-Z侧。在液滴施加装置120SD中，在片型基板FB的源极/漏极形成区域53上施加金属墨。对于在源极/漏极形成区域53中在栅绝缘层I上的部分，例如以如图20中所示的1至9的顺序排放金属墨。在排放金属墨后，片型基板FB被传送到热处理装置BK的-Z侧，以执行金属墨的干燥处理。在干燥处理后，在金属墨中包括的导体成为薄膜状的层，以便形成源极总线SBL、 源电极S、漏电极D和正电极P。然而，在这个阶段，源电极S和漏电极D彼此连接。接着，片型基板FB被传送到切割装置130的-Z侧。通过切割装置130来断开片型基板FB上的源电极S和漏电极D。图21图示通过切割装置130断开源电极S和漏电极 D的状态。切割装置130在使用电流镜131来调整激光LL在片型基板FB上的辐射位置的同时执行断开。在断开源电极S和漏电极D后，向液滴施加装置1200S的-Z侧传送片型基板FB。 通过液滴施加装置OS在片型基板FB上形成有机半导体层OS。在与栅电极G交叠的片型基板FB的区域中，在源电极S和漏电极D上排放有机半导体墨。在排放有机半导体墨后，片型基板FB被传送到热处理装置BK的-Z侧，以干燥有机半导体墨。在干燥处理后，在有机半导体墨中包括的半导体成为薄膜状的层，以形成如图 22中所示的有机半导体OS。通过上述的处理，在片型基板FB上形成场效应晶体管和布线。随后，传送辊RR向发光层形成单元93传送片型基板FB (参见图幻。通过发光层形成单元93中的液滴施加装置140Re、液滴施加装置140Gr、液滴施加装置140B1和热处理装置BK来分别形成红色、绿色和蓝色发光层顶。因为障壁BA形成在片型基板FB上，所以即使当红色、绿色和蓝色发光层顶依序被施加而不在热处理装置BK中执行热处理时，也不因为溶液溢出到相邻像素区域而出现颜色的混和。在形成发光层顶后，片型基板FB通过液滴施加装置1401和热处理装置BK以形成绝缘层I，并且通过液滴施加装置140IT和热处理装置BK以形成透明电极IT。通过上述处理，在片型基板FB上形成在图1中所示的有机EL元件50。在元件形成操作中，为了防止在如上所述传送片型基板FB的同时片型基板FB在形成有机EL元件50的步骤中在X方向、Y方向和θ Z方向上偏离，执行对齐操作。以下， 将参考图23来描述对齐操作。在对齐操作中，在每个部分中设置的多个对齐相机CA (CAl至CA8)适当地检测在片型基板FB上形成的对齐标记ΑΜ，并且向控制单元104发送检测结果。控制单元104基于发送的检测结果来执行对齐操作。例如，控制单元104基于由对齐相机CA(CAl至CA8)检测的对齐标记AM的这样的图像拍摄(成像)间隔来检测片型基板FB的传送速度，并且确定辊RR例如是否以预定的速度旋转。当确定辊RR未以预定速度旋转时，控制单元104指示辊RR调整旋转速度并返回反馈。另外，例如，控制单元104基于对齐标记AM的图像拍摄结果来检测是否已经偏离在Y方向上的对齐标记AM的位置，以检测在片型基板FB的Y轴方向上的位置偏离。当检测到位置偏离时，控制单元104检测在传送片型基板FB的同时位置偏离持续了多长时间。如果位置偏离持续短时间，则从液滴施加装置120的多个喷嘴122切换用于施加液滴的喷嘴。如果在片型基板FB的Y轴方向上的偏离持续长时间，则通过移动辊RR在片型基板FB的Y轴方向上执行位置校正。例如，控制单元104基于由对齐相机CA检测的对齐标记AM在X轴和Y轴方向上的位置来检测片型基板FB是否已经在θ Z方向上偏离。如果检测到位置偏离，则控制单元 104以与在Y轴方向上的位置偏离检测相同的方式检测在传送片型基板FB的同时位置偏离已经持续多长时间。如果位置偏离持续短时间，则在液滴施加装置120的多个喷嘴122中切换用于施加液滴的喷嘴122。如果偏离持续了长时间，则通过在X或Y方向上移动在检测到偏离的对齐相机CA上设置的两个辊RR来在片型基板FB的θ Z方向上执行位置校正。接下来，将描述移除操作。例如，在片型基板FB上形成有机EL元件50，并且回收片型基板FB。然后，从基板处理单元102移除被用作基板供应单元101的基板盒1。图M图示移除基板盒1的操作。在移除操作中，安装部件3移动到-X方向，以从供应侧连接部件102Α撤出。
因为通过撤出安装部件3而在接合构件和可移动构件47之间脱开，所以盖构件41 借助于弹性构件46的弹力变为闭合状态。以这种方式，在阻塞单元4中，当安装部件3连接到基板处理单元102时盖构件41打开，并且当安装部件3未连接到基板处理单元102时盖构件41闭合。如上所述，根据本发明的一个实施例，提供了 盒主框架2，其具有载入/载出片型基板FB的开口 34，并且容纳通过开口 34的片型基板FB ；安装部件3，其设置在盒主框架2 中，并且可拆卸地连接到供应侧连接部件102A和回收侧连接部件102B ；以及阻塞单元4，其根据安装部件3与供应侧连接部件102A和回收侧连接部件102B之间的连接状态来阻塞开口 34。因此，可以防止异物(诸如灰尘)从开口 34来。结果，可以防止异物附着到片型基板FB。另外，根据本发明的一个实施例，可以容易地将基板盒1附着到目标物体(诸如基板处理单元10 /将基板盒1从目标物体脱离。图25图示根据一个实施例的基板处理系统SYS的配置。在下面的说明中，以相同的附图标号来表示与上述实施例相同或类似的部件，并且简化或省略它们的说明。如图25中所示，基板处理系统SYS具有基板制造设备(第一处理设备)201、基板处理设备202(第二处理设备)和中继设备(基板中继设备)203。例如，在不同的生产线、 位置或工厂中提供基板制造设备201和基板处理设备202。基板制造设备201是用于作为在上述实施例中描述的第一处理的制造挠性带状片型基板FB的设备，并且包括基板制造单元211和控制单元212。基板制造单元211在控制单元212的控制下制造片型基板FB。基板处理设备202是用于作为第二处理的在片型基板FB中形成图3等中所示的有机EL元件50的设备。基板处理设备202包括基板处理单元222、基板回收单元223和控制单元224。基板处理单元222、基板回收单元223和控制单元2M具有与在图2等中所示的基板处理单元102、基板回收单元103和控制单元104相同的配置。安装部件3被形成为附着到基板制造设备201和基板处理设备202/从基板制造设备201和基板处理设备202脱离。具体地说，中继设备203通过安装部件3连接到在基板制造设备201的基板制造单元211中设置的连接部件211A和在基板处理设备202的基板处理单元222中设置的连接部件222A。另外，连接部件211A和222A的配置与在图2等中所示的供应侧连接部件102A的配置类似。中继设备203是用于回收由基板制造设备201制造的片型基板FB并且向基板处理设备202供应片型基板ra的设备。例如，使用在图2等中示出的基板盒1作为中继设备 203。将省略中继设备203的详细说明。在如上所述配置的基板处理系统SYS中，首先，中继设备203连接到基板制造设备 201的连接部件211A。在将中继设备203连接到连接部件211A后，从基板制造单元211向中继设备203供应片型基板FB。中继设备203通过与在图10、图11等中所示的操作类似的操作来缠绕和回收片型基板FB。在该情况下，例如，从控制单元212向中继设备203的信息处理单元IC (参见图5) 发送下述处理信息，诸如关于基板制造设备201的生产节拍或生产量的信息；关于中继设备203的传送速度或辊沈的缠绕/供给速度的信息；关于整个处理或完成(结束)的处理的处理信息；以及关于片型基板FB的信息，诸如片型基板FB的剩余长度或整个长度。被发送到信息处理单元IC的上述处理信息由信息处理单元IC的通信单元CR接收，然后存储在存储器单元MR中或显示在显示单元四上。另外，关于由中继设备203的检测单元21c检测的片型基板FB的长度的信息也被发送到信息处理单元IC。接下来，使用运送系统TR(诸如卡车)将回收了片型基板FB的中继设备203传送到基板处理设备202。在中继设备203被传送到基板处理设备202后，中继设备203以在图12、图13等中所示的次序连接到基板处理设备202的连接部件222A，并且在从中继设备 203供应片型基板FB的同时在基板处理单元222中在片型基板FB上形成有机EL元件50。此时，例如，控制单元2M与中继设备203的信息处理单元IC进行通信，并且接收在信息处理单元IC中存储的处理信息。基于接收的处理信息，控制单元2M执行控制以执行下述每一个处理在调整与所接收的处理信息(诸如片型基板FB的传送速度以及传热辊 115和热处理装置BK的加热时间或加热温度)相关的操作的同时，形成有机EL元件50。具有有机EL元件50的片型基板FB被切割为板状，并且由基板回收单元223回收。如上所述，根据本发明的一个实施例，提供了 基板制造设备201，其制造挠性片型基板FB (作为第一处理)；基板处理设备202，其在制造片型基板FB后在片型基板FB上形成有机EL元件50 (作为第二处理)；以及中继设备203，其从基板制造设备201回收片型基板FB，并向基板处理设备202供应所回收的片型基板冊，其中，基板盒1被用作中继设备 203。因此，可以防止灰尘等附着到在基板制造设备201和基板处理设备202之间的片型基板FB。另外，使用在中继设备203中设置的信息处理单元IC将基板制造设备201的处理信息供应到基板处理设备202，并且可以由基板处理设备202使用所述处理信息来执行处理。 因此，可以改善在基板处理设备202中的处理效率。另外，在本实施例中，因为上述的基板盒1被用作中继设备203，所以可以容易地识别片型基板FB的长度或剩余长度。此外，在本实施例中，因为基板盒1被用作中继设备203，所以可以容易地划分多个处理，诸如第一和第二处理。图沈图示根据本发明的一个实施例的基板处理系统SYS2的配置。在下面的说明中，通过相同的附图标记来表示与上述实施例相同或类似的部件，并且简化或省略它们的说明。如图沈中所示，基板处理系统SYS2具有第一基板处理设备(第一处理设备)300、 第二基板处理设备(第二处理设备)310和320、以及中继设备(基板中继设备)303。例如在相同位置或工厂中提供第一基板处理设备300与第二基板处理设备310和320。第一基板处理设备300例如是用于在片型基板FB上形成有机EL元件50的障壁 BA的设备。第二基板处理设备310和320例如是用于在片型基板FB上形成有机EL元件 50的电极(诸如栅电极G)、发光层顶和透明电极ITO的设备。第二基板处理设备310和 320具有相同的配置。以下，原则上将有代表性地说明第二基板处理设备310，以便描述第二基板处理设备的配置或操作，但是相同的说明也可以用于第二基板处理设备320。如上所述，基板处理系统SYS2具有作为用于形成有机EL元件50的设备的两种设备，包括第一基板处理设备300以及第二基板处理设备310和320。中继设备303是从第一基板处理设备300向第二基板处理设备310和320接收/发送(中继)片型基板FB的设备。在本实施例中，具有与在图5等中所示配置相同的配置的基板盒1被用作中继设备
25303。第一基板处理设备300包括基板供应单元301、基板处理单元302、第一控制单元
304、第二控制单元305和保护基板供应单元306。基板供应单元301具有例如与在图2中所示的基板供应单元101相同的配置。基板处理单元302具有与图2中所示的基板处理设备100的障壁形成单元91相同的配置，并且，在连接到基板供应单元301的部分中设置供应侧连接部件302A。供应侧连接部件302A具有与在图2中所示的供应侧连接部件102A相同的配置。如上所述，第一基板处理设备300具有与在图2中所示的在基板处理设备100 的基板供应单元101和基板处理单元102的障壁形成单元91之间的配置相同的配置。在基板处理单元302的+X侧端部中设置连接到中继设备303的安装部件3的回收侧连接部件302B。回收侧连接部件302B具有与供应侧连接部件302A相同的配置。第一控制单元304接收在基板供应单元301的信息处理单元IC中存储的处理信息，并且基于所述处理信息执行基板处理单元302的操作(诸如用于处理或加工的操作)的控制。第二控制单元305向中继设备303的信息处理单元IC发送关于基板供应单元301、基板处理单元302、片型基板FB等的处理信息。处理信息可以包括例如具有如在上述实施例中描述的处理信息的内容的信息。第一基板处理设备300可以具有未示出的控制装置，该控制装置统一地对第一控制单元304和第二控制单元305执行控制和管理。保护基板供应单元306 例如设置在基板处理单元302的+X侧端部中。第二基板处理设备310包括基板处理单元311、基板回收单元312、第一控制单元 314和第二控制单元315。基板处理单元311具有与在图2中所示的基板处理设备100的电极形成单元92和发光层形成单元93相同的配置。基板处理单元311包括在-X侧端部的供应侧连接部件3 IlA和在+X侧端部的回收侧连接部件311B。供应侧连接部件3 IlA和回收侧连接部件311B分别具有与如上所述的供应侧连接部件302A和回收侧连接部件302B 的配置相同的配置。上述的中继设备303可拆卸地连接到供应侧连接部件311A。第一控制单元314接收在中继设备303的信息处理单元IC中存储的处理信息，并且基于所述处理信息来执行基板处理单元311的操作(诸如用于处理或加工的操作)的控制。第二控制单元315向基板回收单元312的信息处理单元IC发送关于中继设备303、基板处理单元311、片型基板FB 等的处理信息。所述处理信息可以包括例如内容与在上述实施例中所述的处理信息的内容类似的信息。接下来，在如上所述配置的基板处理系统SYS2中，首先，在基板盒1中容纳片型基板FB，基板盒1作为基板供应单元301连接到第一基板处理设备300的基板处理单元302 的供应侧连接部件302A。基板盒1用作基板供应单元301。另外，空的基板盒1作为中继设备303连接到基板处理单元302的回收侧连接部件302B。接下来，从基板供应单元301向基板处理单元302供应片型基板FB，并且通过基板处理单元302形成障壁BA。在该情况下，控制单元304和305与基板供应单元301的信息处理单元IC和中继设备303的信息处理单元IC进行通信，以接收在信息处理单元IC中存储的信息。控制单元304和305执行控制，以在调整关于例如所接收的处理信息的操作的同时形成障壁BA，所接收的处理信息例如是片型基板FB的传送速度以及传热辊115的加热时间或加热温度。
从基板处理单元302向中继设备303供应具有障壁BA的片型基板FB，并且供应的片型基板FB缠绕成卷状并由中继设备303回收。中继设备303回收片型基板FB，使得保护基板PB被布置在片型基板FB内的形成障壁BA的表面上。图27至四图示用于在基板回收单元103中回收片型基板FB的操作。在图27至 29中，有意省略一些部件以便于附图的理解。在回收操作中，如图27中所示，将片型基板FB插入基板盒1的开口 34中，同时， 将保护基板PB从第二开口 35插入。如图沈和27中所示，例如从如上所述的保护基板供应单元306供应保护基板PB。插入的片型基板FB和保护基板PB由如图观中所示的基板引导单元22和第二基板引导单元37引导，并且在结合部分39中结合在一起。在结合部分39中结合在一起的片型基板FB和保护基板PB以结合状态被传送单元21传送，如图四中所示，并且被张力辊 21a和测量辊21b挤压为彼此紧密接触。片型基板FB和保护基板PB在它们彼此紧密接触的同时缠绕在辊单元沈上并被回收。接着，回收与片型基板FB毗连的片型基板FB的中继设备303由运送系统TR2 (诸如叉车)传送到第二基板处理设备310。在传送后，中继设备303以在图12、图13等中所示的次序连接到第二基板处理设备310的供应侧连接部件311A，并且空基板盒1连接到到回收侧连接部件311B作为基板回收单元312。在基板回收单元312连接到回收侧连接部件 311B后，在从中继设备303供应片型基板FB的同时，通过基板处理单元311来在片型基板 FB上形成电极、发光层顶和透明电极ΙΤ0。此刻，例如，控制单元314和315与中继设备303的信息处理单元IC以及基板回收单元312的信息处理单元IC进行通信，以接收在每一个信息处理单元IC中存储的处理信息。基于所接收的处理信息，控制单元314和315在调整关于所接收的处理信息的操作的同时形成电极、发光层顶和透明电极ΙΤ0，所接收的处理信息例如是片型基板FB的传送速度以及热处理装置BK的加热时间或加热温度。另外，当第一基板处理设备300的处理速度高于第二基板处理设备310的处理速度(具有较小的生产节拍)时，比如在第一基板处理设备300的处理速度和第二基板处理设备310的处理速度的比率被设置为例如2 1的情况下，由中继设备303中继的目的地的数量可能增加。在本实施例中，例如，增加第二基板处理设备320以作为由中继设备303 中继的目的地。结果，因为在第二基板处理设备310和320两个位置并行地处理由第一基板处理设备300处理的片型基板FB，所以具有较低处理速度(具有较大的生产节拍)的生产线的数量增大。如上所述，通过第一基板处理设备300的处理和第二基板处理设备310的处理来完成片型基板FB的处理。因此，当使用单个第一基板处理设备300和单个第二基板处理设备310时(或当依序执行处理时)，整个基板处理系统SYS2的处理速度是第一基板处理设备300的处理速度或第二基板处理设备310的处理速度中较慢的一个。相反，在本实施例中，生产线的数量利用具有较低处理速度的两个第二基板处理设备310(第二基板处理设备310和320)而增加。因此，补偿了处理速度的差异，并且可以利用第一基板处理设备300的处理速度。结果，可以防止整个基板处理系统SYS2的处理效率降低。
通过在具有障壁BA的片型基板FB上形成电极、发光层顶和透明电极ITO而在片型基板FB上形成有机EL元件50。例如，象在图27至四中所述的操作序列中那样，通过基板回收单元312缠绕和回收具有有机EL元件50的片型基板FB。如上所述，根据本实施例，提供了 第一基板处理设备300，其执行在片型基板FB 上形成障壁BA的处理(作为第一处理)；第二基板处理设备310，其执行在形成障壁BA的处理后在片型基板FB上形成电极、发光层顶和透明电极ITO的处理(作为第二处理)；以及中继设备303，其从第一基板处理设备300回收片型基板FB，并且向第二基板处理设备310 供应回收的片型基板FB，其中，根据本发明的基板盒1被用作中继设备303。因此，可以防止在相同位置或工厂中提供的第一基板处理设备300和310之间的传送期间灰尘等附着到片型基板FB。另外，使用在基板盒1中设置的信息处理单元IC来发送处理信息，并且，基板处理单元302和311可以使用处理信息来执行处理。因此，可以改善在整个基板处理系统 SYS2中的处理效率。另外，在另一个示例中，第一基板处理设备300例如是用于在片型基板FB上形成障壁BA和有机EL元件50的电极(比如栅电极G)的设备。第二基板处理设备310或320 例如是用于在片型基板FB上形成有机EL元件50的发光层顶和透明电极ITO的设备。
在这个示例中，通过在具有障壁BA和电极的片型基板FB上形成发光层顶和透明电极ITO来在片型基板FB上形成有机EL元件50。具有有机EL元件50的片型基板FB例如以如在图27至四中所述的操作序列由基板回收单元312缠绕和回收。另外，上述的基板处理系统SYS2可以被配置为使得第二基板处理设备310的处理速度高于第一基板处理设备300的处理速度。在这种配置中，例如，第一基板处理设备300 可以包括障壁形成单元91和电极形成单元92，并且第二基板处理设备310可以包括发光层形成单元93。在该情况下，利用与本实施例相同的构思，例如，通过将第一基板处理设备 300的数量设置得大于第二基板处理设备310的数量，可以补偿处理速度的差异。例如，在图30(a)中，基板处理系统SYS2’包括两个第一基板处理设备300和单个第二基板处理设备310。因为用于具有较低处理速度的第一基板处理设备300的处理的生产线的数量增大，所以可以补偿处理速度的差异。在该情况下，例如，优选的是，通过控制在两个第一基板处理设备300中的处理的时间，中继设备303交替地连接到第二基板处理设备310。结果，可以显著地降低中继设备303的暂停时间，并有效地执行处理。另外，例如，该基板处理系统SYS2’可以具有将第一基板处理设备300进一步划分为障壁形成设备340和电极形成设备350的配置(基板处理系统SYS2”)，如图30(b)中所示。此外，障壁形成设备340具有与在图3中所示的障壁形成单元91对应的配置，并且电极形成设备350具有与在图3中所示的电极形成单元92对应的配置。第二基板处理设备 310具有与基板处理系统SYS’类似的发光层形成单元93。在障壁形成处理、电极形成处理和发光层形成处理这三种处理中，电极形成处理由于特别需要以较高的对齐精度被执行而具有最低的处理速度。结果，如图30(b)中所示， 如果布置具有较低处理速度的两个电极形成设备350来增加生产线的数量，并且布置了单个障壁形成设备340和单个第二基板处理设备310(具有发光层形成单元93)，则可以补偿处理速度的差异。在该情况下，从障壁形成设备340到电极形成设备350的中继设备303具有与在上述实施例中的基板处理系统SYS2的中继设备303相同的功能，并且，从电极形成设备350 到第二基板处理设备310的中继设备303具有与上述基板处理系统SYS’的中继设备303 相同的功能。另外，在基板处理系统SYS2”中，例如，电极形成设备350可以被划分为用于形成栅电极G的栅极形成设备和用于形成源电极S和漏电极D的源极/漏极形成设备。在该情况下，因为源极/漏极形成设备的处理速度低于栅极形成设备的处理速度，所以优选的是，提供多个源极/漏极形成设备。以这种方式，通过划分具有较低处理速度的设备并提高由所划分的设备组成的生产线的数量，可以降低用于增加生产线数量的成本。图31图示根据一个实施例的基板处理系统SYS3。另外，根据本实施例的基板处理系统SYS3在一些部件上与在图沈中所示的基板处理系统SYS2不同，并且其他部件相同。 以下，将集中于与基板处理系统SYS2的差别来进行说明。在下面的说明中，以相同的附图标记来表示与基板处理系统SYS2相同或类似的部件，并且简化或省略它们的说明。如图31中所示，基板处理系统SYS3包括第一基板处理设备(第一处理设备)300、 第二基板处理设备(第二处理设备)310和320、以及中继设备(基板中继设备)303。根据本实施例的基板处理系统SYS3与基板处理系统SYS2的不同在于未提供基板处理系统 SYS2的控制设备304和305以及控制设备314和315，而是提供了主控制设备C0NT。其他部件类似于基板处理系统SYS2的那些部件。主控制设备CONT例如基于在上述实施例中描述的处理信息(诸如基板处理设备的生产节拍、生产量、传送速度、缠绕速度和供应速度、以及关于片型基板ra的信息)统一地执行第一基板处理设备300、第二基板处理设备310和320以及中继设备303的控制。例如，可以基于片型基板FB的传送速度、缠绕速度或供应速度来确定第二基板处理设备310 和320中的哪个被设置为中继设备303的中继目的地。以这种方式，在本实施例中，因为通过主控制设备CONT统一地控制第一基板处理设备300、第二基板处理设备310和320、以及中继设备303，所以可以有效地执行对片型基板FB的一系列处理。图32是图示用于在挠性基板上制造具有像素电极、发光层等的显示元件(诸如有机EL元件)的制造设备410的配置的示意图，并且也图示图2的基板处理使用102的另一个示例。然而，相同的附图标记表示与在基板处理单元102中相同的元件或设备。在图32中的制造设备410与上述的基板处理单元102的不同在于提供了两个障壁形成单元91。在一个障壁形成处理中，通过使用压印辊110来形成用于薄膜晶体管的布线的障壁BA，并且在作为片型基板FB的宽度方向的Y轴方向的两侧上形成对齐标记AM。 另外，在另一个障壁形成处理中，使用印刷辊440。在印刷辊440上形成金属掩模，使得可以对于该表面执行丝网印刷。另外，在印刷辊440内包含紫外线可固化树脂。使用橡胶滚轴441通过金属掩模在片型基板FB上施加紫外线可固化树脂。结果，形成由紫外线可固化树脂构成的障壁BA。障壁的高度小于十几个微米。通过使用诸如水银灯的紫外线灯444来固化由在片型基板FB上形成的紫外线可固化树脂制成的障壁BA。当在显示元件中形成发光层、空穴传送层和电子传送层时，需要增大障壁BA的高度。在压印辊110的传热过程中，可能无法充分地增大从片型基板FB突出的障壁BA的高度。因此，与压印辊110分离地提供印刷辊440。
通过在印刷辊440的上游侧布置对齐相机CA6，控制单元104识别在印刷辊440前方的片型基板FB的位置。并且，控制单元104根据在片型基板FB上形成的薄膜晶体管的位置来执行印刷辊440的旋转的控制，以印刷紫外线可固化树脂。紫外线可固化树脂层指的是由可以通过辐射紫外光、经由交联反应固化的树脂作为主要成分制成的层。优选地使用包含具有乙烯基不饱和双键的单体的成分作为紫外线可固化树脂，并且，通过辐射紫外光以固化紫外线可固化树脂来形成紫外线可固化树脂层。紫外线可固化树脂优选地包括例如紫外线可固化的聚氨酯丙烯酸酯基树脂、紫外线可固化的聚酯丙烯酸酯基树脂、紫外线可固化的环氧丙烯酸酯基树脂、紫外线可固化的多元醇丙烯酸酯基树脂或紫外线可固化的环氧树脂等。优选地首先使用紫外线可固化的丙烯酸酯基树月旨。另外，由于黑矩阵优选地用于发光层的障壁BA，因此诸如铬的金属或氧化物可以被引入到紫外线可固化的丙烯酸酯基树脂内。由紫外线可固化的树脂制成的障壁BA可以通过压印辊110交叠地形成于在片型基板上形成的障壁BA上，或者可以通过压印辊110形成在未形成障壁BA的区域上。其后， 可以使用在图3等中所述的相同配置来充分地执行用于形成发光层的处理。接下来，将描述根据一个实施例的用于制造液晶显示元件的设备和方法。液晶显示元件通常包括偏转滤光器、具有薄膜晶体管的片型基板FB、液晶层、滤色器和偏转滤光器。在这些元件中，已经对下述情况进行了说明可以通过使用在图3的上半部分中图示的基板处理单元102和在图32的上半部分中图示的制造设备410制造具有薄膜晶体管的片型基板FB。在本实施例中，将说明液晶的提供和滤色器CF的粘结。需要向液晶元件提供液晶，并且形成用于封装液晶的障壁。因为这个原因，在本实施例中，在图32的下半部分中图示的印刷辊440不用于发光层的障壁BA，而是用于封装液晶的障壁。图33图示用于执行液晶的供应和滤色器的粘结的供应粘结设备420。供应粘结设备420包括上游低真空室82、下游低真空室83、以及在上游低真空室 82和下游低真空室83之间设置的高真空室84。使用旋转泵或涡轮分子泵89来将上游低真空室82和83以及高真空室84抽真空。通过图32中所示的印刷辊40将滤色器CF和片型基板FB供应给上游低真空室 82，其中片型基板FB具有用于封装液晶的障壁。另外，在滤色器CF的Y方向的两侧上形成对齐标记。首先从粘结剂分配器72向具有用于封装液晶的障壁的片型基板FB施加用于与滤色器CF粘结的热固性粘结剂。然后，通过上游低真空室82向高真空室84传送片型基板 FB。从在高真空室84中的液晶分配器74施加液晶。另外，使用传热辊76来粘结滤色器CF 和片型基板FB。通过对齐相机CAl 1来拍摄片型基板FB的对齐标记AM的图像，并且通过对齐相机 CA12来拍摄滤色器CF的对齐标记AM的图像。由对齐相机CAll和CA12拍摄的结果产生的图像被传送到控制单元104，以识别在X轴方向上的偏离、在Y轴方向上的偏离、以及θ旋转。传热辊76的旋转速度根据从控制单元104发送的定位信号来改变，并且，滤色器CF和片型基板FB被定位和彼此粘结。粘结的液晶显示元件片材CFB通过下游低真空室83被输出到外侧。另外，当在上述的说明中使用热固性粘结剂的同时，也可以使用紫外线可固化粘结剂。在该情况下，使用紫外线灯来取代传热辊76。图34图示用于在用于印刷辊40在Y轴方向上的对齐的机构。在印刷辊的表面上形成金属掩模。可以基于来自控制单元104的信号，通过印刷辊的旋转速度来调整在X轴方向上的定位。可以使用下面的方法来执行在Y轴方向上的定位。图34(a)图示中心利用气动或液压控制方法被膨胀或压缩的印刷辊440p。可以通过基于来自速度和对齐控制单元90的信号供应空气或油，来改变辊的中心和边缘在Y轴方向上的位置。图34 (b)图示整个辊利用热变形控制方法被放大或压缩的印刷辊440q。可以通过基于来自速度和对齐控制单元90的信号加热或冷却辊，来改变整个辊在X轴方向和Y轴方向上的位置。图34(c)图示整个辊利用弯曲变形控制方法被弯曲的印刷辊440r。印刷辊440r 优选地在圆周方向上具有狭缝，以便被弱的力弯曲。本发明的技术范围不限于上述实施例，因此，可以在不背离本发明的精神的情况下适当地进行任何增加或修改。在上述实施例中，基板盒1的阻塞单元4被配置为使得盖构件41覆盖开口 34和第二开口 35，但是不限于此。例如，如图33中所示，以下配置也是可能的盖构件41A打开或关闭开口 34，并且盖构件41B打开或关闭第二开口 35。在这种配置中，例如，如图35中所示，可以提供驱动设备，该驱动设备执行盖构件 41A和41B的打开/关闭的控制，使得当安装部件3被插入基板处理单元102的供应侧连接部件102A中时，盖构件41A和41B打开，并且当安装部件3未连接到供应侧连接部件102A 时，盖构件41A和41B闭合。以这种方式，通过独立地闭合/打开开口 34和第二开口 35，可以防止任何未使用的开口被打开。结果，可以防止异物(诸如灰尘)从开口引入。例如，当上述基板处理设备或基板处理系统的一部分中出现故障时，可以切除片型基板FB的一部分以去除出现故障的位置。结果，可以防止片型基板FB的提取速率变差。 另外，在本实施例的基板盒或基板处理系统中，即使当因为缺陷而切割片型基板FB时，或者即使当生产线因为电力中断而停止时，也可以识别片型基板FB的剩余长度。因此，可以在重新运行后立即执行处理。因此，根据本实施例，可以改善处理效率和安全性。在上述实施例中，作为示例已经描述了图1中所述的场效应晶体管，但是不限于此。图36(a)和36(b)是图示与上述实施例不同的场效应晶体管的横截面视图。例如，除了图1的场效应晶体管之外，还可以制造在图36(a)中所示的底部栅极型场效应晶体管。在片型基板FB上形成栅电极G、栅绝缘层I和有机半导体层OS后，在片型基板FB上形成源电极S和漏电极D。图36 (b)图示顶部栅极型场效应晶体管，通过在片型基板FB上形成源电极S和漏电极D，然后形成有机半导体层0S，以及进一步在片型基板FB上形成栅绝缘层I和栅电极 G而获得所述场效应晶体管。在任何场效应晶体管中，可以使用基板处理单元102通过改变金属墨等的顺序来进行修改。
在上述实施例中，开口 34和第二开口 35设置在安装部件3的+X侧端部中，但是不限于此。例如，可以在除了安装部件3之外的位置中设置开口 34和第二开口 35。另外， 可以不设置第二开口 35。在上述实施例中，在基板盒1上设置基板驱动机构对，并且，通过缠绕来容纳片型基板FB，但是不限于此。可以使用其他方法来容纳片型基板FB。在上述实施例中，在基板驱动机构M的辊单元沈的表面上设置附着部件^c，但是不限于此。如果其他机构可以保持片型基板FB，则可以使用其他机构。另外，不必在辊单元沈的整个表面上设置附着部件^c，因此，可以在辊单元沈的表面的一部分上设置附着部件沈C。在容纳单元20中设置的传送单元21或引导单元27不限于在上述实施例中所述的那些布置，而是可以使用其他布置。在上述实施例中，在每一个基板处理单元中设置作为基板盒1的连接目的地的单个外部连接部件，但是不限于此。例如，可以在Z方向上设置多个外部连接部件。在该配置中，例如，可以在Z方向上以相反状态安装基板盒1。在上述实施例中，外部连接部件可以可移动地设置在Z方向上。在该情况下，例如，当向Z方向上以相反状态安装基板盒1时，外部连接部件可以在Z方向上可移动。(基板盒的另一个实施例)图37是图示根据另一个实施例的基板盒2001的配置的透视图。另外，图38图示沿着图37的线A-A’所取的横截面配置。在下面的说明中，以相同的附图标记来表示与上述实施例相同或类似的部件，并且简化或省略它们的说明。如图37和38中所示，基板盒2001 包括盒主框架2和安装部件3。在本实施例中，基板盒2001被用作基板供应单元101和基板回收单元103。在下面的说明中，为了方便说明，建立与图2类似的XYZ直角坐标系，并且将参考所述XYZ直角坐标系来描述每一个构件的位置关系。在下面的XYZ直角坐标系中，将示例性地描述下述情况将基板盒2001用作基板供应单元101，同时，基板供应单元101连接到基板处理单元 102。例如，可以使用耐热树脂膜、不锈钢等作为片型基板FB。具体地说，片型基板FB的材料可以包括聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯-乙烯共聚树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰氨树脂、聚酰亚氨树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚醋酸乙烯树脂等。 例如，片型基板FB的Y方向尺寸形成为大约50cm至2m，并且，Y方向尺寸形成为IOm或更大。毋庸多言，这样的尺寸仅是示例性的，而不限于此。例如，片型基板FB的Y方向尺寸可以小于50cm，或者等于或大于an。另外，片型基板FB的X方向尺寸可以小于10m。此外， 本实施例的挠性表示下述挠性属性当诸如至少大约自重的预定力被施加到基板时，基板可以弯曲，而不会导致任何破裂或折断。另外，挠性根据基板的材料、大小或厚度或者环境 (比如温度)来改变。基板驱动机构M是用于执行缠绕片型基板FB的操作或供应片型基板FB的操作的部件。基板驱动机构M设置在容纳单元20内。基板驱动机构M具有辊(轴)沈和引导件27。如图38中所示，辊沈具有旋转轴构件^a、放大半径部件26b和附着部件^c。旋转轴构件26a连接到未示出的旋转驱动机构。通过控制旋转驱动机构，旋转轴
32构件26a相对于中轴线旋转。旋转驱动机构可以例如在如图38中所示的+ θ Y或-θ Y方向上旋转旋转轴构件26a。在突出部23的+X侧的端部中设置气体供应端口(切换机构)2004。气体供应端口 2004具有连接到外部气体供应源的供应入口 2041。气体供应端口 2004例如设置在Y方
向的中心。尽管在图37中仅设置了单个气体供应端口 2004，但是可以设置多个气体供应端□。盒主框架2具有信息处理单元IC (参见图37)。该信息处理单元IC包括例如IC 芯片等，并且例如嵌入在盒主框架2中。信息处理单元IC具有存储器单元MR，用于存储基板处理设备100和基板盒2001的处理信息；通信单元CR，例如用于与控制单元104传输
处理信息，等等。图39和40图示突出部23的+X侧端部分的扩大配置，并且图示连接到气体供应端口 2004的流动路径机构。如图39和40中所示，气体供应端口 2004的供应入口 2041连接到在突出部23 内形成的流动路径2042。流动路径2042被划分为第一流动路径204 和第二流动路径 2042b。基板引导构件22a内部包括流动路径2043a，并且第一流动路径204 通过连接部件42c连接到流动路径2043a。在基板引导构件22a的-Z侧表面中形成多个气体排放端口 2044a，并且每一个流动路径2043a连接到这些气体排放端口 2044a。以这种方式，基板引导构件2 形成为气垫形状，其从-Z侧表面排放气体。同时，如图39和40中所示，流动路径204 也形成在基板引导构件22b内。第二绺绺2042b通过连接部件42d连接到流动路径2043b。多个气体排放端口 2044b形成在基板引导构件22b的+Z侧表面中，并且流动路径204 连接到气体排放端口 2044b中的每一个。以这种方式，基板引导构件22b形成为气垫形状，其从+Z侧表面排放气体。密封构件2047的一端连接到基板引导构件22b的-Z侧表面。密封构件2047的另一端连接到例如安装部件3的-Z侧表面。通过密封构件2047在基板引导构件22b和开口 34之间密封。通过挤压机构2045来挤压基板引导构件22b的-Z侧表面。挤压机构2045 的-Z侧端被固定在例如由突出部23的内表面支撑的支架2046上。如图39中所示，当气体供应源未连接到气体供应端口 2004的供应入口 2041时， 气体不流过流动路径机构，并且不从基板引导构件2 和基板引导构件22b注入气体。因此，基板引导构件22b被+Z侧上的挤压机构2045挤压，并且与基板引导构件2 合作来夹持片型基板FB。相反，如图40中所示，例如，通过向供应入口 2041中插入外部气体供应单元GS并且供应气体，从气体排放端口 204 经由流动路径2042、流动路径2042a、连接部件42c和基板引导构件22a中的流动路径2043a向-Z方向注入气体。另外，在基板引导构件22b 中，从气体排放端口 2044b经由流动路径2042、流动路径2042b、连接部件42d和流动路径 2043b向+Z方向注入气体。通过从Z方向的两侧将气体注入到片型基板FB上，在片型基板FB和气体排放端口 204 之间以及在片型基板FB和气体排放端口 2044b之间形成气体层(空气支架)。因为在片型基板FB的+Z侧表面和-Z侧表面上形成气体层，所以基板引导构件22a向+Z方向移动，并且基板引导构件22b向-Z侧移动，使得可以将片型基板FB从插入和保持在基板引导构件22a与基板引导构件22b之间的状态中释放。另外，例如，如果从基板引导构件2 和22b注入的气体通过离子发生器，则可以将片型基板FB中性化，或防止片型基板FB被充电。(在基板盒中容纳片型基板的操作)接下来，将说明在如上所述配置的基板盒2001中容纳片型基板FB的操作。图41 和42图示在容纳操作期间基板盒2001的状态。在图41和42中，为了便于区别，将基板盒 2001的轮廓示为虚线。如图41和42中所示，当在基板盒2001中容纳片型基板FB时，基板盒2001保持在保持器HD中。然后，例如，气体从气体源供应端口 2004的供应入口 2041供应，并从基板引导构件2 和22b注入。通过注入气体，基板引导构件2 和22b在被挤压机构2045闭合的状态中经受相互注入行为，因此基板引导构件2 和22b之间的间隙放大。在这种状态中，从开口 34插入片型基板FB。当插入片型基板FB时，张力辊21a和旋转轴构件^a (辊单元26)旋转。通过从YL侧和-Z侧注入气体来形成气体层，并且该气体层形成在通过开口 34插入的片型基板FB的每个表面上。片型基板FB在基板引导构件2 和22b之间移动，以在气体层上滑动。在传送单元21中，在将片型基板FB插入张力辊21a和测量辊21b之间的同时向容纳单元20传送片型基板FB。随着测量辊21b的旋转，例如通过检测单元21c来检测片型基板FB的传送长度。由传送单元21向容纳单元20传送的片型基板FB在因为自重而向_Z方向弯曲的同时被引导，如图41中所示。在本实施例中，因为引导单元27设置在片型基板FB的-Z侧， 所以沿着引导单元27的枢轴构件27a和前端构件27b向辊单元沈引导片型基板FB。当片型基板FB的前端到达辊单元沈的附着部件26c时，片型基板FB的前端附着到附着部件26c。在该状态中，随着辊单元沈的旋转，片型基板FB稳定地附着到附着部件 26c,并且片型基板FB缠绕在辊单元沈上。在片型基板FB附着到附着部件26c后，例如在调整张力辊21a的旋转速度和旋转轴构件^a的旋转速度的同时传送片型基板FB，以使得不弯曲在辊单元26和传送单元21之间的片型基板FB。在片型基板FB例如以单匝被缠绕在辊单元沈上之后，撤回引导单元27，如图42 中所示。通过在这种状态中旋转辊单元沈，片型基板FB稳定地缠绕在辊单元沈上。尽管片型基板FB的缠绕厚度逐渐增大，但是片型基板FB不与引导单元27接触，因为引导单元 27已经被撤回。在将片型基板FB缠绕例如期望长度后，片型基板FB在开口 34之外的外部部分被切去，停止对供应入口 2041的气体供应，并且通过夹持基板基板引导构件2 和基板引导构件22b之间的片型基板FB来关闭在基板基板引导构件2 和基板引导构件22b之间的间隙。以这种方式，在基板盒2001中容纳片型基板FB。在容纳片型基板FB的操作期间， 例如可以基于由检测单元21c测量的片型基板FB的测量长度来计算在基板盒2001中容纳的片型基板FB的整个长度。另外，计算结果可以显示在显示单元四上，存储在存储器单元 MR中，或使用通信单元CR被发送。另外，例如，可以在操作员通过窗口观观察容纳单元20的内侧的同时缠绕片型基板FB。在该情况下，例如，可以执行缠绕操作，同时查看片型基板FB是否被缠绕成弯曲状态、或者片型基板FB的缠绕形状(卷形)是否已经有偏离。当出现故障时，可以立即停止缠绕操作。(基板处理设备的操作)接下来，将描述如上所述配置的基板处理设备100的操作。在本实施例中，依序执行下述操作将容纳片型基板FB的基板盒2001连接到供应侧连接部件102A以作为基板供应单元101的操作；由基板供应单元101供应容纳在基板盒2001中的片型基板FB的操作；通过基板处理单元102形成元件的操作；以及移除基板盒 2001的操作。首先，将描述连接基板盒2001的操作。图43图示连接基板盒2001的操作。如图43中所示，供应侧连接部件102A包括插孔，其具有与安装部件3对应的形状；以及气体供应部件GS，其形成在插入气体供应端口 2004的供应入口 2041的位置。在连接操作中，在基板盒2001被保持在保持器(例如，具有与图41的保持器HD 相同的配置)的同时，执行在安装部件3和供应侧连接部件102A之间的定位。在定位后， 安装部件3移动到+X侧以插入基板处理单元102中。此刻，气体供应部件GS被插入气体供应端口 2004的供应入口 2041中。由此，为了将安装部件3连接到基板处理单元102，打开在基板引导构件2 和基板引导构件22b之间的间隙。接下来，将描述供应操作。为了例如向基板处理单元102供应片型基板FB，基板盒2001的张力辊21a和旋转轴构件辊单元26)在与容纳方向相反的方向上旋转，以便通过开口 34供应片型基板FB，如图44中所示。接下来，将描述元件形成操作。在元件形成操作中，在如图2中所示从基板供应单元101向基板处理单元102供应片型基板FB的同时，在基板处理单元102中的片型基板FB 上形成元件。具体地说，这是与在图14至23中所示的操作相同的操作。接下来，将描述移除操作。例如，在片型基板FB上形成有机EL元件50，并且，回收片型基板FB。然后，从基板处理单元102上移除用作基板供应单元101的基板盒2001。图45图示移除基板盒2001的操作。在移除操作中，安装部件3向-X方向移动，以从供应侧连接部件102A撤出。通过撤出安装部件3，从气体供应端口 2004的供应入口 2041取出气体供应部件GS。因此，基板引导构件2 和基板引导构件22b之间通过插入片型基板FB而再一次闭合。以这种方式，当安装部件3连接到基板处理单元102时，基板引导构件2 和基板引导构件22b之间打开。因此，打开开口 34。当安装部件3未连接到基板处理单元102时， 基板引导构件2 和基板引导构件22b之间闭合。因此，通过片型基板FB闭合开口 34。如上所述，根据本发明的一个实施例，提供了 盒主框架2，该盒主框架2具有载入 /载出片型基板FB的开口 34，并且容纳通过开口 34的片型基板FB ；以及安装部件3，其设置在盒主框架2中，并且可拆卸地连接到供应侧连接部件102A和回收侧连接部件102B，其中，可以根据安装部件3与供应侧连接部件102A或回收侧连接部件102B之间的连接状态， 通过片型基板FB来阻塞开口 34。因此，可以防止诸如灰尘的异物从开口 34引入。结果，可以防止异物附着到片型基板FB。另外，根据本发明的一个实施例，可以容易地将基板盒2001附着到目标物体(诸如基板处理单元102)/使基板盒2001从目标物体脱离。
本发明的技术范围不限于上述实施例，因此可以在不背离本发明的精神的情况下适当地进行任何增加或修改。在上述实施例中，仅基板弓I导构件2 和22b形成得象气垫那样，并且气体供应端口 2004的供应入口 2041仅连接到在开口 34侧的基板引导构件2 和22b，但是不限于此。 例如，可以针对在第二开口 35侧的第二基板引导构件37a和37b提供相同的配置。例如，如图46中所示，可以提供从供应入口 2041到第二基板引导构件37a和37b 的流动路径2049，并且可以将流动路径2049划分为连接到第二基板弓I导构件37a的第一流动路径2049a和连接到第二基板引导构件37b的第二流动路径2049b。在该情况下，可以通过在流动路径2042中提供电磁阀Vl并在流动路径2049中提供电磁阀V2来独立地执行开口 34和第二开口 35的打开/关闭控制。例如可以使用控制单元104、信息处理单元IC等来执行电磁阀Vl和V2的控制。在上述实施例中，基板引导构件2 和22b也被用作用于夹持片型基板FB以打开 /关闭开口 34的夹持机构，但是不限于此。可以与基板引导构件2 和22b分离地提供夹持机构。
权利要求
1.一种基板盒，包括盒主框架，其具有用于载入/载出基板的开口，并且容纳通过所述开口的所述基板； 安装部件，其设置在所述盒主框架中，并且可拆卸地连接到外部连接部件；以及阻塞单元，其根据所述安装部件与所述外部连接部件之间的连接状态来阻塞所述开
2.根据权利要求1所述的基板盒， 其中，所述开口设置在所述安装部件中。
3.根据权利要求1或2所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有基板驱动机构，所述基板驱动机构用于缠绕或供应所述基板。
4.根据权利要求3所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有容纳单元，所述容纳单元连接到所述开口并且容纳所述基板，并且所述基板驱动机构设置在所述容纳单元中。
5.根据权利要求3或4所述的基板盒， 其中，所述基板驱动机构具有 轴构件，其被可旋转地保持；以及第一引导构件，其向所述轴构件或所述开口引导所述基板。
6.根据权利要求5所述的基板盒，其中，所述轴构件具有附着部件以附着所述基板。
7.根据权利要求5或6所述的基板盒，其中，所述第一引导构件可移动地设置在所述轴构件的至少旋转半径方向上。
8.根据权利要求3至7中任何一项所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有传送机构，用于在所述开口和所述基板驱动机构之间传送所述基板。
9.根据权利要求8所述的基板盒，其中，所述传送机构具有张力机构，用于向所述基板施加张力。
10.根据权利要求8或9所述的基板盒，其中，所述传送机构具有测量单元，用于测量所述基板的传送量。
11.根据权利要求10所述的基板盒，进一步包括存储器单元，用于存储基于所述传送量的数据。
12.根据权利要求10或11所述的基板盒，进一步包括通信单元，用于传送基于所述传送量的数据。
13.根据权利要求10至12中任何一项所述的基板盒， 进一步包括显示单元，用于显示基于所述传送量的数据。
14.根据权利要求8至13中任何一项所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有基板引导构件，用于在所述开口和所述传送机构之间引导所述基板。
15.根据权利要求1至14中任何一项所述的基板盒， 其中，所述盒主框架具有能够闭合/打开的盖。
16.根据权利要求1至15中任何一项所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有窗口，用于观察所述基板的容纳状况。
17.根据权利要求1至16中任何一项所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有第二开口，用于载入/载出保护基板以保护所述基板。
18.根据权利要求17所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有挤压机构，用于向所述基板挤压所述保护基板。
19.根据权利要求18所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有保护基板引导构件，用于在所述第二开口和所述挤压机构之间引导所述保护基板。
20.根据权利要求17至19中任何一项所述的基板盒， 其中，所述阻塞单元被设置为阻塞所述第二开口。
21.根据权利要求20所述的基板盒，其中，所述阻塞单元被设置为独立地阻塞所述开口和所述第二开口。
22.根据权利要求20或21所述的基板盒，其中，所述阻塞单元具有设置在所述开口和所述第二开口中的每一个盖构件。
23.根据权利要求22所述的基板盒，其中，所述阻塞单元具有驱动机构，用于驱动所述盖构件以打开/闭合。
24.根据权利要求22或23所述的基板盒，其中，所述阻塞单元具有切换机构，用于根据所述安装部件与所述外部连接部件之间的连接状态来在所述盖构件的打开和关闭之间切换。
25.根据权利要求1至M中任何一项所述的基板盒，其中，在所述盒主框架中将所述基板容纳为至少部分地彼此交叠。
26.根据权利要求1至25中任何一项所述的基板盒， 其中，所述基板被所述盒主框架容纳为卷形。
27.一种基板处理设备，包括基板处理单元，其执行对基板的处理；根据权利要求1至26中任何一项所述的基板盒；以及基板处理侧连接部件，其设置在所述基板处理单元中，并且连接到所述基板盒。
28.根据权利要求27所述的基板盒，其中，所述基板处理侧连接部件至少设置在所述基板处理单元中的载入/载出基板的侧部。
29.根据权利要求27或观所述的基板盒， 其中，可移动地设置所述基板处理侧连接部件。
30.根据权利要求27至四中任何一项所述的基板盒， 其中，设置多个基板处理侧连接部件。
31.根据权利要求27至30中任何一项所述的基板盒，其中，所述基板盒被用作以下部件的至少一个供应单元，用于向所述基板处理单元供应所述基板；以及回收单元，用于从所述基板处理单元回收所述基板。
32.根据权利要求27至31中任何一项所述的基板盒，其中，所述基板处理单元包括以下中的至少一个在所述基板上形成显示元件，以及传送所述基板。
33.一种基板处理系统，包括第一处理设备，其执行对基板的第一处理；第二处理设备，其在所述第一处理后执行对所述基板的第二处理；以及基板中继设备，其从所述第一处理设备回收所述基板，并且向所述第二处理设备供应所回收的基板，其中，使用根据权利要求1至26中任何一项所述的基板盒作为所述基板中继设备。
34.根据权利要求33所述的基板处理系统，< 其中，所述第一处理包括在所述基板上形成电路的处理，并且所述第二处理包括在所述基板上形成像素的处理。
35.根据权利要求33或34所述的基板处理系统，其中，根据所述第一处理设备和所述第二处理设备的每一个处理信息来使用所述基板中继设备。
36.根据权利要求35所述的基板处理系统， 进一步包括系统控制单元，其至少管理所述处理信息。
37.根据权利要求33至36中任何一项所述的基板处理系统，进一步包括主控制单元，其执行所述第一处理设备和第二处理设备以及所述基板中继设备的控制。
38.根据权利要求37所述的基板处理系统，其中，所述主控制单元响应于基于所述基板的传送量的数据来确定所述基板中继设备的中继目的地。
39.一种控制设备，包括基板处理设备，其执行对基板的处理；以及主控制单元，其执行连接到所述基板处理设备的根据权利要求1至沈中任何一项所述的基板盒的控制。
40.一种制造显示元件的方法，包括使用基板处理单元来执行对基板的处理的过程；以及使用根据权利要求1至26中任何一项所述的基板盒向所述基板处理单元供应所述基板的过程。
41.一种基板盒，包括盒主框架，其具有用于载入/载出基板的开口，并且容纳通过所述开口的所述基板； 安装部件，其设置在所述盒主框架中，并且可拆卸地连接到外部连接部件， 其中，所述开口被设置为根据所述安装部件与所述外部连接部件之间的连接状态，由所述基板阻塞。
42.根据权利要求41所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有夹持机构，用于夹持在所述开口内的所述基板，并且所述夹持机构在夹持所述基板的同时阻塞所述开口。
43.根据权利要求42所述的基板盒，其中，所述夹持机构具有气体排放端口，用于向夹持所述基板的部分供应气体。
44.根据权利要求43所述的基板盒，其中，所述气体排放端口排放所述气体，以在所述夹持机构和所述基板之间提供间隙。
45.根据权利要求43或44所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有切换机构，用于根据所述安装部件和所述外部连接部件之间的连接状态来在所述气体的排放和不排放之间切换。
46.根据权利要求41至45中任何一项所述的基板盒， 其中，所述开口设置在所述安装部件中。
47.根据权利要求41至46中任何一项所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有缠绕/供给机构，用于缠绕或供应所述基板。
48.根据权利要求47所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有容纳单元，所述容纳单元连接到所述开口，并且容纳所述基板，并且所述缠绕/供给机构设置在所述容纳单元中。
49.根据权利要求47或48所述的基板盒， 其中，所述缠绕/供给机构具有 轴构件，其被可旋转地保持；以及第一引导构件，其将所述基板向所述轴构件或所述开口引导。
50.根据权利要求49所述的基板盒，其中，所述轴构件具有附着部件以附着所述基板。
51.根据权利要求49或50所述的基板盒，其中，所述引导构件可移动地设置在所述轴构件的至少旋转半径方向上。
52.根据权利要求47至51中任何一项所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有传送机构，用于在所述开口和所述缠绕/供给机构之间传送所述基板。
53.根据权利要求52所述的基板盒，其中，所述传送机构具有张力机构，用于向所述基板施加张力。
54.根据权利要求52或53所述的基板盒，其中，所述传送机构具有测量单元，用于测量所述基板的传送量。
55.根据权利要求M所述的基板盒，进一步包括存储器单元，用于存储基于所述传送量的数据。
56.根据权利要求M或55所述的基板盒，进一步包括通信单元，用于传送基于所述传送量的数据。
57.根据权利要求M至56中任何一项所述的基板盒， 进一步包括显示单元，用于显示基于所述传送量的数据。
58.根据权利要求52至57中任何一项所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有基板引导构件，用于在所述开口和所述传送机构之间引导所述基板。
59.根据权利要求41至58中任何一项所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有能够闭合/打开的盖。
60.根据权利要求41至59中任何一项所述的基板盒， 其中，所述盒主框架具有窗口，用于观察所述基板的容纳状况。
61.根据权利要求41至60中任何一项所述的基板盒， 其中，所述盒主框架具有第二开口，其载入/载出保护基板以保护所述基板的表面。
62.根据权利要求61所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有挤压机构，用于向所述基板挤压所述保护基板。
63.根据权利要求62所述的基板盒，其中，所述盒主框架具有保护基板引导构件，用于在所述第二开口和所述挤压机构之间引导所述保护基板。
64.根据权利要求41至63中任何一项所述的基板盒，其中，在所述盒主框架中将所述基板容纳为至少部分地彼此交叠。
65.根据权利要求41至64中任何一项所述的基板盒， 其中，在所述盒主框架中将所述基板容纳为卷形。
66.一种基板处理设备，包括 基板处理单元，其执行基板的处理；根据权利要求41至65中任何一项所述的基板盒；以及基板处理侧连接部件，其设置在所述基板处理单元中，并且连接到所述基板盒。
67.根据权利要求66所述的基板盒，其中，所述基板处理侧连接部件至少设置在所述基板处理单元中的载入或载出基板的侧部。
68.根据权利要求66或67所述的基板盒， 其中，可移动地设置所述基板处理侧连接部件。
69.根据权利要求66至68中任何一项所述的基板盒， 其中，设置多个基板处理侧连接部件。
70.根据权利要求66至69中任何一项所述的基板盒，其中，所述基板盒被用作以下部件的至少一个供应单元，用于向所述基板处理单元供应所述基板；以及回收单元，用于从所述基板处理单元回收所述基板。
71.根据权利要求66至70中任何一项所述的基板盒，其中，所述基板处理单元包括以下中的至少一个在所述基板上形成显示元件，以及传送所述基板。
72.一种基板处理系统，包括第一处理设备，其执行对基板的第一处理；第二处理设备，其在所述第一处理后执行对所述基板的第二处理；以及基板中继设备，其从所述第一处理设备回收所述基板，并且向所述第二处理设备供应所回收的基板，其中，使用根据权利要求41至65中任何一项所述的基板盒作为所述基板中继设备。
73.根据权利要求72所述的基板处理系统，其中，所述第一处理包括形成所述基板的电路的处理，并且所述第二处理包括在所述基板上形成像素的处理。
74.根据权利要求72或73所述的基板处理系统，其中，根据所述第一处理设备和所述第二处理设备的每一个处理信息来使用所述基板中继设备。
75.根据权利要求74所述的基板处理系统， 进一步包括系统控制单元，其至少管理所述处理信息。
76.一种控制设备，包括基板处理设备，其执行对基板的处理；以及主控制单元，其执行连接到所述基板处理设备的根据权利要求41至65中任何一项所述的基板盒的控制。
77.一种制造显示元件的方法，包括使用基板处理单元来执行基板的处理的过程；以及使用根据权利要求41至65中任何一项所述的基板盒向所述基板处理单元供应所述基板的过程。
全文摘要
为了提供一种能够防止异物附着到基板的基板盒、基板处理设备、基板处理系统、控制设备以及制造显示元件的方法，提供了一种基板盒。所述基板盒包括盒主框架，其具有用于载入/载出基板的开口，并且容纳通过所述开口的基板；安装部件，其设置在盒主框架中，并且可拆卸地连接到外部连接部件；以及阻塞单元，其根据安装部件与外部连接部件之间的连接状态来阻塞所述开口。
文档编号H01L21/00GK102549713SQ201080042310
公开日2012年7月4日 申请日期2010年9月24日 优先权日2009年9月25日
发明者木内彻 申请人:株式会社尼康