晶片加工用胶带的制作方法

专利名称：晶片加工用胶带的制作方法
技术领域：
本发明涉及通过扩张(工* 7 A > K )将接合剂层沿芯片截断时所用的、可扩张的晶片加工用胶带。
背景技术：
IC等半导体装置的制造工序中，实施下述工序磨削晶片背面以使电路图案形成后的晶片减薄的背面研磨工序；在半导体晶片的背面粘附具有粘合性和伸缩性的晶片加工用胶带后，将晶片截断成芯片单元的切割工序；使晶片加工用胶带扩张的工序；拾取截断后的芯片的工序；以及将拾取的芯片粘贴在引线框架或封装基板等上或在堆叠封装中将半导体芯片之间层积、接合的芯片粘贴(die bonding)(装配(mount))工序。上述背面研磨工序中，使用表面保护带，以保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)免受污染。晶片的背面磨削结束后，从晶片表面剥离该表面保护带时，将以下所述的晶片加工用胶带(切割·芯片粘贴带)贴合在晶片背面，然后将切割·芯片粘贴带侧固定在吸附台上，对表面保护带实施降低对晶片的粘接力的处理后，剥离表面保护带。其后，将剥离了表面保护带的晶片以背面贴合有切割·芯片粘贴带的状态从吸附台上取下，供于接下来的切割工序。需要说明的是，上述的降低粘接力的处理在表面保护带由紫外线等能量射线固化性成分构成时，是指紫外线照射处理，在表面保护带由热固性成分构成时，是指热照射(加热)处理。上述背面研磨工序后的切割工序或装配工序中，使用在基材膜上依次层积有粘合剂层和接合剂层的切割 芯片粘贴带。一般，使用切割 芯片粘贴带时，首先，将切割 芯片粘贴带的接合剂层粘附在半导体晶片的背面，固定半导体晶片，使用划片刀将半导体晶片和接合剂层切割成芯片单元。其后，实施扩张工序，在该工序中通过使带在半导体晶片的径向扩张，扩大芯片之间的间隔。该扩张工序是为了在其后的拾取工序中提高CCD相机等对芯片的识别性、同时防止拾取芯片时相邻的芯片之间接触所产生的芯片破损而实施的。其后，通过拾取工序，将芯片连同接合剂层一起从粘合剂层上剥离，进行拾取，通过装配工序， 直接接合在引线框架或封装基板等上。这样，通过使用切割 芯片粘贴带，可以将带有接合剂层的芯片直接接合在引线框架或封装基板等上，所以能够省略接合剂的涂布工序、另外在各芯片上粘接芯片粘贴膜的工序。但是，上述切割(Dicing( Ψ ^ ν > ^ ))工序中，由于如上所述使用划片刀将半导体晶片和接合剂层一起切割，所以不仅产生晶片的切削屑，还产生接合剂层的切削屑。接合剂层的切削屑由于其自身具有粘接功能，所以当切削屑填塞在晶片的切割槽中时，芯片之间紧贴在一起，产生拾取不良等，半导体装置的制造合格率降低。为了解决上述的问题，有人提出了一种方法，在切割工序中，用刀片仅切割半导体晶片，在扩张工序中，通过使切割·芯片粘贴带扩张，与各个芯片对应地将接合剂层截断 (例如专利文献1的W055] W056])。通过这样的利用了扩张时的张力的接合剂层的截断方法，不产生接合剂的切削屑，在拾取工序中不会造成不良影响。
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并且，近年来，作为半导体晶片的切断方法，提出了使用激光加工装置可以不接触地切断晶片的所谓的隐形切割法。例如，专利文献2中，作为隐形切割法，公开了一种半导体基板的切断方法，其具备使光聚焦于通过芯片粘贴树脂层(接合剂层)粘贴有片材的半导体基板的内部，照射激光，由此在半导体基板的内部形成多光子吸收所致的改性区域，于该改性区域形成切断预定部的工序；和使片材扩张(扩大)，由此沿切断预定部将半导体基板和芯片粘贴树脂层切断的工序。并且，作为使用了激光加工装置的半导体晶片的切断方法的其他方法，例如在专利文献3中提出了一种半导体晶片的分割方法，该方法具备在半导体晶片的背面安装芯片粘贴用的粘接膜(接合剂层)的工序；在背面安装有该粘接膜的半导体晶片的粘接膜侧贴上可伸长的保护胶带的工序；从贴有保护胶带的半导体晶片的表面沿线路照射激光光线，分割成一个个半导体芯片的工序；使保护胶带扩张(扩张)，对粘接膜赋予拉伸应力，按每个半导体芯片使粘接膜破裂的工序；和将贴有破裂的粘接膜的半导体芯片从保护胶带脱离的工序。根据专利文献2和专利文献3所述的这些半导体晶片的切断方法，由于通过激光的照射和带的扩张，非接触地切断半导体晶片，所以对半导体晶片的物理负荷小，可以切断半导体晶片而不产生在进行现在主流的刀片切割时那样的晶片的切削屑(chipping，屑)。 并且，由于通过扩张截断接合剂层，所以也不会产生接合剂层的切削屑。因此，作为可代替刀片切割的优异的技术受到瞩目。在通过上述专利文献1 3所记载的扩张截断接合剂层时，为了沿半导体芯片确实地截断接合剂层，对使用的切割 芯片粘贴带要求基材膜具有均勻且各向同性的扩张性。 这是因为，在基材膜上局部产生扩张不充分之处时，在该处不能够向接合剂层传送充分拉伸应力，接合剂层无法截断。但是，已知，一般在挤出成型基材膜时或作为制品将带卷绕成卷筒状时，对切割·芯片粘贴带施加各向异性的力，产生变形应力，基材膜的扩张性不均勻且呈各向异性。 因此，作为具有均勻的扩张性的切割 芯片粘贴带，至今已提出了多种方案(例如参照专利文献4 9)。并且，存在这样的问题，上述扩张后由于上述带产生松弛，所以不能稳定地保持各个芯片的间隔，在传送时相邻芯片间接触，引起接合剂层重新粘连。为了解决该问题，提出了将上述带制成加热收缩性带，在上述截断工序后对带加热使其紧张，保持芯片间的间隔的方法(例如参照专利文献10、11)。作为上述加热收缩性带，优选聚氯乙烯带(例如参照专利文献10 W008])。但是，上述聚氯乙烯带在使用后焚烧处理时，产生二噁烯、作为其类似物的氯化芳香族烃，有可能给环境带来负荷。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2007-5530号公报专利文献2 日本特开2003-338467号公报专利文献3 日本特开2004-273895号公报专利文献4 日本特开平6-134941号公报
专利文献5 日本特开平11-199840号公报专利文献6 日本特开2000-273416号公报专利文献7 日本特开2001-11207号公报专利文献8 日本特开2003-158098号公报专利文献9 日本特开2009-231699号公报专利文献10 日本特开2002-3；34852号公报专利文献11 日本特开2007-27562号公报

发明内容
如上所述，使用加热收缩性带，在截断工序后对带进行加热使其紧张，保持芯片间的间隔，通过该方法，能够防止扩张后的带松弛而导致接合剂层重新粘连。但是，根据使用的加热收缩性带的性能的不同，有时加热产生的收缩不充分，加热收缩工序后残留有松弛， 不能将已截断的半导体芯片和按芯片分割开的接合剂层稳定地固定在带上，而且相邻的半导体芯片之间接触产生破损或接合剂层之间接触发生重新粘连，从而半导体部件制造工序的合格率降低。本发明的目的是提供一种晶片加工用胶带，其具有适于通过扩张来截断接合剂层的工序的均勻扩张性，且在加热收缩工序中显示充分的收缩性，加热收缩工序后不会因松弛引起不良情况。为了解决以上的课题，本发明的第1方式涉及的晶片加工用胶带是通过扩张将接合剂层沿芯片截断时所用的、可扩张的晶片加工用胶带，其特征在于，其具有基材膜和设置在上述基材膜上的粘合剂层，上述基材膜由Jis K7206中规定的维氏软化点为50°C以上且不足90°C的热塑性交联树脂形成，热收缩所致的应力增大在9MPa以上。并且，本发明的第 2方式的特征在于，在上述粘合剂层上层积有接合剂层。根据第1和第2方式的晶片加工用胶带，由于基材膜由维氏软化点为50°C以上且不足90°C的热塑性交联树脂形成，热收缩所致的应力增大在9MPa以上，所以能够设定为具有适于通过扩张来截断接合剂层的工序的均勻扩张性、且在加热收缩工序中显示充分的收缩性、加热收缩工序后不会因松弛引起不良情况的晶片加工用胶带。S卩，非交联树脂中分子链在加工方向发生取向，所以扩张性为各向异性，但如果分子链间发生交联，则扩张性进一步各向同性，即使在接合剂层截断用的扩张工序中也能够很好地使用。并且，在对由交联树脂形成的膜赋予了超出一定值的拉伸变形的情况下，非交联部分屈服而应力保存在交联点上，所以加热使非交联部分软化时，通过保存在交联点上的应力，对基材膜发挥复原力的作用。一般，扩张工序的晶片加工用胶带的扩张率为10 %左右，然而将10%的拉伸变形赋予由聚乙烯等普通的非交联树脂形成的膜时，发生屈服，即使加热，也几乎不复原，但如果是交联树脂的膜，通过加热到软化点附近或更高温度，容易收缩而复原。并且，一般在上述扩张工序后的加热工序中，通过使用了热风鼓风机等的加热，晶片加工用胶带的温度变为50 90°C左右，所以该晶片加工用胶带的基材膜树脂优选JIS K7206中规定的维氏软化点为50°C以上且不足90°C，更优选为50°C以上且不足80°C。需要说明的是，如果维氏软化点过低，则上述加热收缩时树脂过度软化，发生流动，所以不是优选的。加热收缩工序中晶片加工用胶带的基材发生流动时，晶片加工用胶带熔断。因此，维氏软化点的下限为50°C左右是适当的。基于以上的理由，通过将维氏软化点为50°C以上且不足90°C的热塑性交联树脂用于基材膜，能够设定为具有适于通过扩张来截断接合剂层的工序的均勻扩张性、且在加热收缩工序中显示充分的收缩性的晶片加工用胶带。并且，如果不是这样的晶片加工用胶带在施加了与一般的扩张工序中的晶片加工用胶带的扩张率对应的、10%左右的伸长率后，加热使收缩应力增大至一定值以上的晶片加工用胶带，则不容易充分除去扩张工序中产生的晶片加工用胶带的松弛。如果不能充分除去松弛，则不能将已截断的半导体芯片和按芯片分割开(個片化)的接合剂稳定地固定在晶片加工用胶带上，相邻芯片之间接触会产生破损，或接合剂层之间接触发生重新粘连，从而半导体部件制造工序的合格率降低。对于加热收缩时作用于晶片加工用胶带的应力增大，优选以JIS K7162中规定的方法，对上述晶片加工用胶带的试验片施加10%的拉伸变形后，直接在保持夹具间距离恒定的状态下，加热至该试验片的温度达到70°c的过程、将该试验片在70°C的温度保持1分钟的过程和其后将该试验片返回室温的过程中的、该试验片的最大热收缩应力比即将开始加热之前的初期应力大9MPa以上，更优选为IOMPa以上。对于使用了上述热收缩所致的应力增大不足9MPa的基材膜的晶片加工用胶带，收缩应力与半导体晶片或晶片加工用胶带的自重所引起的扩张应力相抵，所以即使通过加热，也不能充分除去松弛。基于以上的理由，通过将热收缩所致的应力增大在9MPa以上的热塑性交联树脂用于基材膜，能够制成在加热收缩工序后不会因松弛引起不良情况的晶片加工用胶带。本发明的第3方式如上述第1或第2方式所述的晶片加工用胶带，其特征在于，上述热塑性交联树脂为用金属离子使乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物交联而得到的离聚物树脂(7 〃 * 7 7—樹脂)。本发明的第4方式如上述第1或第2方式所述的晶片加工用胶带，其特征在于， 上述热塑性交联树脂是通过电子射线照射使低密度聚乙烯或超低密度聚乙烯交联而得到的树脂。本发明的第5方式如上述第1或第2方式所述的晶片加工用胶带，其特征在于， 上述热塑性交联树脂是通过电子射线照射使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物交联而得到的树脂。本发明的第6方式如上述第1、第2、第3、第4或第5方式所述的晶片加工用胶带，其特征在于，上述热塑性交联树脂中氯原子的含量小于1质量％。根据第3至第5方式的晶片加工用胶带，由于在分子链的结构单元中不含氯，所以能够提供解决了上述课题且低环境负荷的晶片加工用胶带。本发明的第7方式如上述第2、第3、第4、第5或第6方式所述的晶片加工用胶带，其特征在于，上述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法，(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)磨削上述半导体晶片背面的背面研磨工序；(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在上述半导体晶片的背面贴合上述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(d)从上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(e)对上述半导体晶片的分割预定部分照射激光，在该晶片的内部形成多光子吸收所致的改性区域的工序；(f)通过使上述晶片加工用胶带扩张，将上述半导体晶片和上述接合剂层沿截断线截断，得到附带有上述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使上述晶片加工用胶带的不与上述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在上述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有上述接合剂层的上述半导体芯片的工序。本发明的第8方式如上述第2、第3、第4、第5或第6方式所述的晶片加工用胶带， 其特征在于，上述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)磨削上述半导体晶片背面的背面研磨工序；(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在半导体晶片的背面贴合上述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(d)从上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(e)从上述半导体晶片的表面沿截断线照射激光，截断成一个个半导体芯片的工序；(f)通过使上述晶片加工用胶带扩张，从而按每个上述半导体芯片将上述接合剂层截断，得到附带有上述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使上述晶片加工用胶带的不与上述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在上述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有上述接合剂层的上述半导体芯片的工序。本发明的第9方式如上述第2、第3、第4、第5或第6方式所述的晶片加工用胶带，其特征在于，上述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)磨削上述半导体晶片背面的背面研磨工序；(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在半导体晶片的背面贴合上述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(d)从上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(e)使用划片刀沿截断线切削上述半导体晶片，截断成一个个半导体芯片的工序；(f)通过使上述晶片加工用胶带扩张，从而按每个上述半导体芯片将上述接合剂层截断，得到附带有上述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使上述晶片加工用胶带的不与上述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在上述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有上述接合剂层的上述半导体芯片的工序。本发明的第10方式如上述第2、第3、第4、第5或第6方式所述的晶片加工用胶带，其特征在于，上述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法
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(a)使用划片刀沿截断预定线将形成有电路图案的半导体晶片切削至小于晶片厚度的深度的工序；(b)在上述半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(c)对上述半导体晶片背面进行磨削，截断成一个个半导体芯片的背面研磨工序；(d)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在上述半导体芯片的背面贴合上述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(e)从上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(f)通过使上述晶片加工用胶带扩张，从而按每个上述半导体芯片将上述接合剂层截断，得到附带有上述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使上述晶片加工用胶带的不与上述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在上述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有上述接合剂层的上述半导体芯片的工序。对于本发明的晶片加工用胶带，基材膜由维氏软化点为50°C以上且不足90°C的热塑性交联树脂形成，热收缩所致的应力增大在9MPa以上，所以能够设定成这样的晶片加工用胶带，其具有适于通过扩张来截断接合剂层的工序的均勻扩张性，且在加热收缩工序中显示充分的收缩性，加热收缩工序后不会因松弛引起不良情况。S卩，由于热塑性交联树脂的维氏软化点在50°C以上且不足90°C，因此该热塑性交联树脂能够制成具有适于通过扩张来截断接合剂层的工序的均勻扩张性、且在加热收缩工序中显示充分的收缩性的晶片加工用胶带。并且，通过热收缩所致的应力增大在9MPa以上，能够制成成在加热收缩工序后不会因松弛引起不良情况的晶片加工用胶带。


图1是表示在半导体晶片上贴合有本发明的实施方式所涉及的晶片加工用胶带和表面保护带的状态的截面图。图2是表示在半导体晶片上贴合有表面保护用带的状态的截面图。图3是用于说明在晶片加工用胶带上贴合半导体晶片和环形框架的工序的截面图。图4是用于说明从半导体晶片的表面剥离表面保护带的工序的截面图。图5是表示通过激光加工在半导体晶片形成了改性区域的状况的截面图。图6(a)是表示晶片加工用胶带搭载于扩张装置上的状态的截面图。图6(b)是表示扩张后的晶片加工用胶带、接合剂层和半导体晶片的截面图。图7是用于说明通过加热收缩来除去带的松弛(弛 )的工序的截面图。图8是用于说明从晶片加工用胶带的粘合剂层的表面拾取附带有接合剂层的半导体芯片的工序的截面图。图9是用于说明松弛量的测定方法的截面图。符号说明10晶片加工用胶带
11基材膜12粘合剂层(粘着剤層)13接合剂层(接着剤層)14表面保护膜20环形框架21 台座22上顶部件25加热台26吸附台(吸着〒一 A )27紫外线光源28加热收缩区域四热风喷嘴30改性区域(改質領域)41 顶针42吸附夹头50JIS B7609 中适用的 IOg 砝码W半导体晶片C半导体芯片a松弛量
具体实施例方式以下，对于本发明的实施方式基于附图进行详细说明。图1是表示在本发明的实施方式所涉及的晶片加工用胶带10上贴合有半导体晶片W的状态的截面图。在半导体晶片W的电路图案形成面(晶片表面)贴合有表面保护带 14，所述表面保护带14用于在磨削晶片背面的背面研磨工序中保护电路图案。并且，在半导体晶片W的背面贴合有晶片加工用胶带10。本发明的晶片加工用胶带10是在通过扩张将接合剂层13沿芯片截断时所用的可扩张的带。该晶片加工用胶带10具有基材膜11、设置在基材膜11上的粘合剂层12和设置在粘合剂层12上的接合剂层13，将半导体晶片W的背面贴合在接合剂层13上。需要说明的是，也可以将各层预先切断(预切)成规定形状以适应其使用工序和装置。进而，本发明的晶片加工用胶带包含切断成一片片晶片的形态和将由多个晶片形成的长尺寸片材卷成卷筒状的形态。以下对各层的构成进行说明。〈基材膜〉基材膜11由JIS K7206中规定的维氏软化点为50°C以上且不足90°C的热塑性交联树脂构成。通过使用这样的构成的基材膜11，能够实现具有在截断接合剂层13的扩张工序中可使用的均勻且各向同性的扩张性的晶片加工用胶带10。而且，与非交联树脂相比，交联树脂对拉伸的复原力大，所以在扩张工序后的拉长了的状态施加热来使该树脂软化时收缩应力大，通过加热收缩能够除去扩张工序后在带上产生的松弛，使带紧张，能够稳定保持各个半导体芯片的间隔。另外，一般在扩张工序后的加热工序中带达到50 90°C左右，所以软化点如果比该范围过高，则难以充分除去松弛，并且，相反如果软化点过低，则带有熔断的危险。作为上述热塑性交联树脂，只要JIS K7206中规定的维氏软化点为50°C以上且不足90°C，任何热塑性交联树脂均可，但是用金属离子使乙烯_(甲基)丙烯酸2元共聚合物或乙烯-(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸交联而得到的离聚物树脂，从均勻扩张性方面适于扩张工序、且通过交联使得在加热时复原力发挥强大的作用的角度出发，即使在除去扩张工序中所产生的带的松弛的工序中也是特别优选的。并且，上述离聚物树脂由于分子链的构成中不含氯，所以使用后即使将无用的带焚烧处理，也不会产生二噁烯、其类似物这样的氯化芳香族烃，所以环境负荷也小。上述离聚物树脂所含有的金属离子为任何金属离子均可，但从溶出性低、特别是从低污染性方面来说，特别优选锌离子。作为上述热塑性交联树脂，除上述离聚物树脂外，通过照射电子射线使比重为 0. 910以上 不足0. 930的低密度聚乙烯或比重不足0. 910的超低密度聚乙烯交联而得到的树脂也是优选的。该热塑性交联树脂由于交联部位和非交联部位同时存在于树脂中，所以具有恒定的均勻扩张性，因而适于上述扩张工序，在加热时复原力发挥强大的作用的方面，即使在将扩张工序中所产生的带松弛除去的工序中也是特别优选的。通过适宜提高对低密度聚乙烯或超低密度聚乙烯照射的电子射线的量，能够得到维氏软化点为50°C以上且不足90°C的、具有充分的均勻扩张性的树脂。并且，上述电子射线交联后的聚乙烯由于在分子链的构成中不含氯，所以使用后将无用的带焚烧处理，也不会产生二噁烯、其类似物这样的氯化芳香族烃，因而环境负荷也小。作为上述低密度聚乙烯或超低密度聚乙烯的一例，可举出日本Polychem社制造的KERNEL等。作为上述热塑性交联树脂，除上述离聚物树脂和电子射线交联的聚乙烯外，还优选通过对乙烯-乙酸乙烯酯共聚物照射电子射线而进行交联得到的树脂。在加热时复原力发挥强大的作用的方面，在将扩张工序所产生的带松弛除去的工序中特别优选该热塑性交联树脂。通过将电子射线的量调整为适宜量，能够得到维氏软化点为50°C以上且不足90°C 的、具有充分的均勻扩张性的树脂。并且，上述电子射线交联得到的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物在分子链的构成中也不含氯，所以使用后将无用的带焚烧处理时不产生二噁烯、其类似物这样的氯化芳香族烃，因而环境负荷也小。作为上述的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的一例， 可举出日本Polychem社制造的々 > 卜，七> (Ultracene)等。需要说明的是，图1所示的例子中，基材膜11为单层，但不限于此，也可以为将2 种以上的维氏软化点为50°C以上且不足90°C的热塑性交联树脂层积而成的2层以上的多层结构。对基材膜11的厚度没有特别规定，但作为，厚度优选为50 200 μ m左右，更优选为IOOym 150μπι，这样厚度在晶片加工用胶带10的扩张工序中易于拉伸且具有相应于不破裂的程度的充分强度。作为多层的基材膜11的制造方法，能够使用现有公知的挤出法、层积法等。使用层积法时，在层间可以存在接合剂。作为接合剂，能够使用现有公知的接合剂。〈粘合剂层〉粘合剂层12能够在基材膜11上涂布粘合剂来形成。对构成本发明晶片加工用胶带10的粘合剂层12没有特别限制，只要具有切割时不产生与接合剂层13的剥离、不产生碎屑分散等不良情况的程度的保持性、以及拾取时容易与接合剂层13剥离的特性即可。为了提高切割后的拾取性，粘合剂层12优选能量射线固化性的材料，且优选为在固化后容易
12与接合剂层13剥离的材料。例如，本发明中，优选含有使分子中具有碘值0. 5 20的能量射线固化性碳-碳双键的化合物(A)与选自多异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂和环氧树脂中的至少一种化合物(B)进行加成反应而成的聚合物。此处，能量射线是指紫外线这样的光线、或电子射线等电离性放射线。对于粘合剂层12的主成分之一的化合物(A)进行说明。化合物(A)的能量射线固化性碳-碳双键的优选导入量以碘值计为0. 5 20，更优选为0. 8 10。碘值为0. 5以上时，能够获得能量射线照射后的粘合力的降低效果，碘值为20以下时，能量射线照射后的粘合剂的流动性充分，能够充分获得晶片加工用胶带10扩张后的芯片的间隙，所以能够抑制拾取时难以进行各芯片的图像识别的问题。进而，化合物(A)本身具有稳定性，容易制造。上述化合物(A)的玻璃化转变点优选为-70°C 0°C，更优选为_66°C _28°C。 玻璃化转变点在_70°C以上时，对能量射线照射所产生的热的耐热性充分，玻璃化转变点在 0°C以下时，可充分得到防止表面状态粗糙的晶片上的切割后半导体芯片飞散的效果。上述化合物(A)以何种方式制造均可，例如，可使用将丙烯酸系共聚物与具有能量射线固化性碳-碳双键的化合物混合而得到的混合物、将具有官能团的丙烯酸系共聚物或具有官能团的甲基丙烯酸系共聚物(Al)与具有可与该官能团反应的官能团且具有能量射线固化性碳-碳双键的化合物m反应而得到的化合物。其中，上述的具有官能团的化合物(Al)能够使丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等具有能量射线固化性碳-碳双键的单体(Al-I)与具有能量射线固化性碳-碳双键且具有官能团的单体(A1-2)共聚而得到。作为单体(Al-I)，可举出烷基链的碳原子数为6 12的丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、 丙烯酸癸酯；或作为烷基链的碳原子数为5以下的单体的、丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯；或与这些相同的的甲基丙烯酸酯等。作为单体(Al-I)，由于越使用碳原子数大的单体，玻璃化转变点越低，所以能够制作所期望的玻璃化转变点的物质。并且，除玻璃化转变点外，为了提高相容性和各种性能， 也可以在单体(Al-I)的总质量的5质量％以下的范围内混合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳双键的低分子化合物。作为单体(All)具有的官能团，可举出羧基、羟基、氨基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等，作为单体(A1-2)的具体例，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸-N-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸-N-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油基酯、甲基丙烯酸缩水甘油基酯、烯丙基缩水甘油基醚、多异氰酸酯化合物的一部分异氰酸酯基用具有羟基或羧基和能量射线固化性碳-碳双键的单体进行氨基甲酸酯化后得到的化合物等。化合物(A2)中，作为所用的官能团，在化合物(Al)、也就是单体(A1-2)所具有的官能团为羧基或环状酸酐基时，可举出羟基、环氧基、异氰酸酯基等；在为羟基时，可举出环状酸酐基、异氰酸酯基等；在为氨基时，可举出环氧基、异氰酸酯基等；在为环氧基时，可举出羧基、环状酸酐基、氨基等，作为具体例，可举出与单体(All)的具体例中所列挙的基团同样的基团。化合物(Al)与化合物(A2)的反应中，通过使未反应的官能团残留，能够制造具有本发明中规定的酸值或羟值等特性的化合物。上述的化合物(A)的合成中，作为以溶液聚合进行反应时的有机溶剂，能够使用酮系、酯系、醇系、芳香族系的溶剂，其中，优选甲苯、 乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮等一般为丙烯酸系聚合物的良溶剂的、沸点为60 120°C的溶剂；作为聚合引发剂，通常使用α，α'-偶氮二异丁腈等偶氮二系、苯甲酰基过氧化物等有机过氧化物系等的自由基引发剂。此时，根据需要能够合用催化剂、阻聚剂，通过调节聚合温度和聚合时间，能够得到所期望的分子量的化合物 (A)。并且，关于调节分子量，优选使用硫醇、四氯化碳系的溶剂。需要说明的是，该反应不限于溶液聚合，也可以为本体聚合、悬浮聚合等其他方法。如上能够得到化合物(A)，本发明中化合物(A)的分子量优选30万 100万左右。 如果分子量小于30万，则凝集力变小，切割晶片时芯片易于产生偏移，有时难以进行图像识别。为了极力防止所述的芯片偏移，分子量优选为40万以上。并且，如果分子量超过100 万，则合成时和涂布时有可能形成凝胶。需要说明的是，本发明中的分子量是指按聚苯乙烯换算的质量平均分子量。化合物(A)具有使羟值达到5 100的OH基时，通过减小能量射线照射后的粘合力，能够进一步降低拾取错误的危险性，所以是优选的。并且，化合物(A)优选具有使酸值达到0. 5 30的COOH基。此处，如果化合物㈧的羟值过低，则能量射线照射后的粘合力的降低效果不充分；如果羟值过高，则具有损害能量射线照射后的粘合剂的流动性的倾向。 并且，如果酸值过低，则带复原性的改善效果不充分，如果酸值过高，则具有损害粘合剂的流动性的倾向。其次，对粘合剂层的另一主成分化合物(B)进行说明。化合物(B)为选自多异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂和环氧树脂的化合物，能够单独使用或组合两种以上使用。该化合物(B)作为交联剂发挥作用，通过该化合物(B)与化合物(A)或基材膜反应而得到的交联结构，能够在粘合剂涂布后提高以化合物(A)和(B)为主成分的粘合剂的凝集力。作为多异氰酸酯类，没有特别限制，可举出例如4，4' -二苯基甲烷二异氰酸酯、 甲苯二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、4，4' -二苯基醚二异氰酸酯、4，4' _[2，2_双 (4-苯氧基苯基)丙烷]二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、2，2，4_三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4，4' - 二环己基甲烷二异氰酸酯、2， 4' -二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等，具体能够使用 CORONET L(日本聚氨酯株式会社制造，商品名)等。作为三聚氰胺-甲醛树脂，具体能够使用Nikalac MX-45 (三和化学株式会社制造，商品名)、> 7 > (日立化成工业株式会社，制造商品名)等。作为环氧树脂，能够使用TETRAD-X(三菱化学株式会社制造，商品名)等。 本发明中，特别优选使用多异氰酸酯类。作为⑶的添加量，需要以相对于100质量份化合物㈧为0. 1 10质量份、优选0. 4 3质量份的比例选择其添加量。通过在该范围内选择，能够设定为适当的凝集力， 交联反应不会急剧进行，因而粘合剂的混合和涂布等的作业性良好。并且，本发明中，粘合剂层12优选含有光聚合引发剂(C)。对粘合剂层12所含有的光聚合引发剂(C)没有特别限制，能够使用以往已知的光聚合引发剂。可举出例如二苯甲酮、4，4’_ 二甲氨基二苯甲酮、4，4’_ 二乙氨基二苯甲酮、4，4’_ 二氯二苯甲酮等二苯甲酮类、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类、2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类、2-氯噻吨酮、 苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、偶苯酰、2，4，5_三芳基咪唑二聚物(洛粉碱二聚物)、吖啶系化合物等，这些能够单独使用或组合2种以上使用。作为(C)的添加量，相对于100质量份化合物(A)，优选设定为0. 1 10质量份，更优选设定为0. 5 5质量份。进而，在本发明所用的能量射线固化性的粘合剂中能够根据需要配合赋粘剂、粘合调节剂、表面活性剂等或其他的改性剂等。并且，也可以适宜添加无机化合物填料。粘合剂层12的厚度优选为至少5 μ m、更优选为10 μ m以上。另外，粘合剂层也可以为多层层积形成的结构，各层的组成可以相同，也可以分别不同。〈接合剂层〉在贴合半导体晶片并切割后，拾取芯片时，接合剂层13与粘合剂层12剥离而附着于芯片上，将芯片固定于基板或引线框架上时接合剂层13作为接合剂使用。半导体晶片加工时，该接合剂层13既可以预先层积在晶片加工用胶带10(其中，在基材膜11上层积有粘合剂层12)上，也可以分别贴合在半导体晶片上。接合剂不限于这些，只要是在切割 芯片粘贴带上一般使用的膜状接合剂即可，优选丙烯酸系粘接剂、环氧树脂/酚树脂/丙烯酸树脂的混合系粘接剂等。适宜设定其厚度，但优选5 ΙΟΟμπι左右。本发明的晶片加工用胶带10中，接合剂层13也可以通过将预先成膜的接合剂层 13 (以下称为粘接膜)直接或间接层积在基材膜11上来形成。优选层积时的温度为10 100°C的范围并施加0. 01 ΙΟΝ/m的线性压力。需要说明的是，对于将粘接膜在分离板上形成了接合剂层13而得到的物体，可以在层积后剥离分离板，或者也可以直接作为晶片加工用胶带10的保护用膜使用，在层积半导体晶片时将分离板剥离。粘接膜也可以层积在粘合剂层12整个面，但也可以层积预先切断(预切)成与所贴合的半导体晶片对应的形状的粘接膜。在层积对应半导体晶片的粘接膜时，如图1所示， 在贴合半导体晶片W的部分有接合剂层13，在贴合环形框架20的部分没有接合剂层13而仅存在粘合剂层12。一般，为了使接合剂层13难以与被粘物剥离，使用经预切的粘接膜，由此环形框架20能够与粘合剂层12贴合，可获得使用后剥离带时不易在环形框架20上残留糊剂的效果。〈用途〉作为本发明的晶片加工用胶带10的使用用途，只要用于至少包含通过扩张来截断接合剂层13的工序的半导体装置的制造方法，就没有特别限定。例如，能够优选用于以下的半导体装置的制造方法(A) (D)。半导体装置的制造方法(A)该半导体装置的制造方法包括(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)磨削上述半导体晶片背面的背面研磨工序；(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在上述半导体晶片的背面贴合上述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(d)从上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；
(e)对上述半导体晶片的分割预定部分照射激光，在该晶片的内部形成多光子吸收所致的改性区域的工序；(f)通过使上述晶片加工用胶带扩张，从而将上述半导体晶片和上述接合剂层沿截断线截断，得到附带有上述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使上述晶片加工用胶带的不与上述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在上述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有接合剂层的上述半导体芯片的工序。半导体装置的制造方法(B)该半导体装置的制造方法包括(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)磨削上述半导体晶片背面的背面研磨工序；(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在半导体晶片的背面贴合上述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(d)从上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(e)从上述半导体晶片的表面沿截断线照射激光，截断成一个个半导体芯片的工序；(f)通过使上述晶片加工用胶带扩张，从而按每个上述半导体芯片将上述接合剂层截断，得到附带有上述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使上述晶片加工用胶带的不与上述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在上述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有接合剂层的上述半导体芯片的工序。半导体装置的制造方法(C)该半导体装置的制造方法包括(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)磨削上述半导体晶片背面的背面研磨工序；(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在半导体晶片的背面贴合上述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(d)从上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(e)使用划片刀沿截断线切削上述半导体晶片，截断成一个个半导体芯片的工序；(f)通过使上述晶片加工用胶带扩张，从而按每个上述半导体芯片将上述接合剂层截断，得到附带有上述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使上述晶片加工用胶带的不与上述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在上述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有接合剂层的上述半导体芯片的工序。半导体装置的制造方法(D)
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该半导体装置的制造方法包括(a)使用划片刀沿截断预定线将形成有电路图案的半导体晶片切削至小于晶片厚度的深度的工序；(b)在上述半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(c)对上述半导体晶片背面进行磨削，截断成一个个半导体芯片的背面研磨工序；(d)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在上述半导体芯片的背面贴合上述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(e)从上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(f)通过使上述晶片加工用胶带扩张，从而按每个上述半导体芯片将上述接合剂层截断，得到附带有上述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使上述晶片加工用胶带的不与上述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在上述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有接合剂层的上述半导体芯片的工序。需要说明的是，上述半导体装置的制造方法(A)至(D)是使用具有基材膜、粘合剂层和接合剂层的晶片加工用胶带时的制造方法。在将晶片加工用胶带设定为仅具有基材膜和粘合剂层的情况下，在半导体晶片上贴合晶片加工用胶带的工序中，在半导体晶片的背面通过接合剂层贴合晶片加工用胶带。〈使用方法〉对于将本发明的晶片加工用胶带10应用于上述半导体装置的制造方法(A)时的、 带的使用方法，参照图2 图5进行说明。首先，如图2所示，在形成有电路图案的半导体晶片W的表面贴合由紫外线固化性成分形成的表面保护带14，实施磨削半导体晶片W的背面的背面研磨工序。背面研磨工序结束后，如图3所示，使半导体晶片W的表面侧向下在晶片安装器 (7 >夕一 (mounter))的加热台25上安装半导体晶片W，然后，在半导体晶片W的背面贴合晶片加工用胶带10。在此使用的晶片加工用胶带10层积有预先切断(预切)成与所贴合的半导体晶片W对应的形状的粘接膜；在与半导体晶片W贴合的面，设置有粘合剂层 12在接合剂层13露出区域之周围露出的区域。使该晶片加工用胶带10的接合剂层13露出的部分与半导体晶片W的背面贴合，同时使接合剂层13周围的粘合剂层12露出的部分与环形框架20贴合。此时，将加热台25设定为70 80°C，由此实施加热贴合。接着，将贴合有晶片加工用胶带10的半导体晶片W从加热台(t 一夕一f 一y ^ )25上搬出，如图4所示，以晶片加工用胶带10侧向下安装在晶片吸附台沈上。然后， 使用例如紫外线光源27，从吸附固定于吸附台沈上的半导体晶片W的上方对表面保护带 14的基材面侧照射lOOOmJ/cm2的紫外线，使半导体晶片W与表面保护带14的粘接力降低， 从半导体晶片W的表面剥离表面保护带14。接着，如图5所示，对半导体晶片W的分割预定部分照射激光，在半导体晶片W的内部形成多光子吸收所致的改性区域30。接着，如图6(a)所示，将贴合有半导体晶片W和环形框架20的晶片加工用胶带10 以基材膜11侧向下地安装在扩张装置的台座21上。图中，符号22为扩张装置的中空圆柱形状的上顶部件。其次，如图6(b)所示，以固定了环形框架20的状态，使扩张装置的上顶部件22升高，将晶片加工用胶带10扩张。作为扩张条件，扩张速度例如为10 500毫米/秒，扩张量(上顶量)例如为5 25mm。如此，晶片加工用胶带10在半导体晶片W的径向被拉伸， 由此半导体晶片W以改性区域30为起点被截断成芯片单元。此时，对于接合剂层13的粘接在半导体晶片W的背面的部分，扩张所致的拉伸(变形)受到抑制，不会发生破裂，但在芯片C间的位置，带的扩张所产生的张力集中，发生破裂。因此，接合剂层13也与半导体晶片W —起被截断。由此，能够得到附带有接合剂层13的2个以上半导体芯片C。其次，如图7所示，进行这样的工序将上顶部件22返回原来的位置，除去先前的扩张工序中产生的晶片加工用胶带10的松弛，稳定保持半导体芯片C的间隔。该工序中， 例如，对晶片加工用胶带10的存在半导体芯片C的区域与环形框架20之间的圆环状的区域观，使用热风喷嘴四吹50 90°C的热风，使基材膜11加热收缩，从而使晶片加工用胶带10紧张。其后，对粘合剂层12实施能量射线固化处理或热固化处理等，减弱粘合剂层12 对接合剂层13的粘合力。然后，如图8所示，从基材膜11的背面(没有贴合半导体晶片的面)用顶针41顶起半导体芯片C，同时利用吸附夹头(吸着二 > 〃卜)42进行吸附，由此拾取半导体芯片C。在上述那样的半导体装置的制造方法中，由热塑性交联树脂形成的基材膜11对于扩张时所施加的拉伸的复原力大，且维氏软化点也低，所以通过加热，容易收缩。因此，能够很好地用于通过加热收缩来除去在截断接合剂层13的扩张工序后晶片加工用胶带10所产生的松弛，从而使带紧张的工序。实施例其次，对于用于明确本发明效果所进行的实施例和比较例，进行详细说明，但本发明并不限于这些实施例。实施例1 5、比较例1 7的晶片加工用胶带10中分别使用了表1、表2所示的基材膜11。构成作为其他结构的粘合剂层12的粘合剂组合物、构成接合剂层13的接合剂组合物和晶片加工用胶带10的制作方法是相同的。需要说明的是，以下的说明中，密度按照JIS K7112测定，熔点用DSC(差示扫描热量测定)测定。(1)样品的制作(1. 1)实施例 1(基材膜11的制作)将通过自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯(质量比 8:1: 1)三元共聚物的锌离聚物a(密度0.96g/cm3、锌离子含量4质量％、氯含量不足 1质量％、维氏软化点56°C、熔点86°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度 100 μ m的长尺寸膜状，由此制作用于形成基材膜11的支持基材1。(粘合剂组合物1的制备)通过将丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-羟乙酯和丙烯酸进行自由基聚合，得到丙烯酸系共聚物(分子量60万、羟值4. 7mgK0H/g、酸值0. 2mgK0H/g)。相对于100质量份该丙烯酸系共聚物，加入三羟甲基丙烷三丙烯酸酯30质量份作为光聚合性固化物，加入CORONET L(日本聚氨酯制造)2质量份作为多异氰酸酯，加入IrgacUre-184(日本Ciki-Geigy社制造)1质量份作为光聚合引发剂，制成混合物，将该混合物溶解在乙酸乙酯中，搅拌，制备粘合剂组合物1。(接合剂组合物1的制备)在由作为环氧树脂的线性甲酚-酚醛型环氧树脂(环氧当量197、分子量1200、软化点70°C) 50质量份、作为硅烷偶联剂的Y-巯基丙基三甲氧基硅烷1.5质量份、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷3质量份、平均粒径16nm的二氧化硅填料30质量份组成的组合物中加入环己酮，搅拌混合，进而使用珠磨机混炼90分钟。向其中加入100质量份的通过使丙烯酸丁酯和丙烯酸-2-羟乙酯进行自由基聚合而合成的丙烯酸类树脂(分子量20万、羟值 3. 5mgK0H/g)、1质量份的作为固化剂的CORONET L，搅拌混合，制备接合剂组合物1。(晶片加工用胶带10的制作)在用于形成基材膜11的支持基材1上以干燥后的厚度为20 μ m的方式涂布粘合剂组合物1，在110°c干燥3分钟，制成在基材膜11上形成有粘合剂层12的粘合片材。与此不同，将接合剂组合物1以干燥后的厚度为20 μ m的方式涂布在经脱模处理的由聚乙烯-对苯二甲酸酯膜形成的剥离衬垫上，在110°C干燥3分钟，制作成在剥离衬垫上形成有接合剂层13的粘接膜。其次，将粘合片材剪裁为能够以覆盖环形框架20的开口部的方式贴合的图3等所示的形状。并且，将粘接膜剪裁成能够覆盖半导体晶片W的背面的图3等所示的形状。然后，将上述粘合片材的粘合剂层12侧和上述粘接膜的接合剂层13侧以如图3等所示在粘接膜周围形成粘合剂层12露出的部分的方式贴合，制作晶片加工用胶带10。如此，制作成依次层积有用于形成基材膜11的支持基材、能量射线固化型粘合剂层12、接合剂层13的晶片加工用胶带10，将其作为实施例1的样品。(1.2)实施例 2(基材膜11的制备)将通过自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸(质量比9. 5 0.5) 二元共聚物的锌离聚物b (密度0. 95g/cm3、锌离子含量2质量％、氯含量不足1质量％、维氏软化点81°C、 熔点100°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度100 μ m的长尺寸膜状，由此制作用于形成基材膜11的支持基材2。使用该用于形成基材膜11的支持基材2、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为实施例2的样品。(1. 3)实施例 3(基材膜11的制备)将通过茂金属聚合法合成的超低密度聚乙烯ULDPEa (密度0. 90g/cm3、氯含量不足 1质量％、维氏软化点72°C、熔点90°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度 100 μ m的长尺寸膜状后，使用中能量电子射线加速装置(中工彳、X—電子線加速装置) 以加速电压lMeV、照射量20Mrad照射电子射线，由此制作用于形成基材膜11的支持基材 3。使用该用于形成基材膜11的支持基材3、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为实施例3的样品。(1.4)实施例 4
(基材膜11的制备)将通过茂金属聚合法合成的低密度聚乙烯LDPEb (密度0. 91g/cm3、氯含量不足1 质量％、维氏软化点81°C、熔点102°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度 100 μ m的长尺寸膜状后，使用中能量电子射线加速装置以加速电压lMeV、照射量20Mrad照射电子射线，由此制作用于形成基材膜11的支持基材4。使用该用于形成基材膜11的支持基材4、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为实施例4的样品。(1.5)实施例 5(基材膜11的制备)将通过自由基聚合法合成的乙烯-乙酸乙烯酯(质量比9 1)共聚物EVAa(密度0. 93g/cm3、氯含量不足1质量％、维氏软化点69°C、熔点96°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度IOOym的长尺寸膜状后，使用中能量电子射线加速装置以加速电压lMeV、照射量20Mrad照射电子射线，由此制作用于形成基材膜11的支持基材5。使用该用于形成基材膜11的支持基材5、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为实施例5的样品。(1.6)比较例 1(基材膜11的制备)将通过自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸(质量比9. 5 0.5) 二元共聚物的锌离聚物c (密度0. 94g/cm3、锌离子含量1质量％、氯含量不足1质量％、维氏软化点80°C、 熔点98°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度100 μ m的长尺寸膜状，由此制作用于形成基材膜11的支持基材6。使用该用于形成基材膜11的支持基材6、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为比较例1的样品。(1.7)比较例 2(基材膜11的制备)将通过自由基聚合法合成的乙烯-乙酸乙烯酯(质量比9 1)共聚物EVAa(密度0. 93g/cm3、氯含量不足1质量％、维氏软化点69°C、熔点96°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度100 μ m的长尺寸膜状，由此制作用于形成基材膜11的支持基材 7。使用该用于形成基材膜11的支持基材7、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为比较例2的样品。(1.8)比较例 3(基材膜11的制备)将市售的工业用聚氯乙烯a(增塑剂30质量％、密度1. 45g/cm3、氯含量56. 8质量％、维氏软化点76°C、熔点100°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度 100 μ m的长尺寸膜状，由此制作用于形成基材膜11的支持基材8。使用该用于形成基材膜11的支持基材8、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为比较例3的样品。(1.9)比较例 4
(基材膜11的制备)将通过茂金属聚合法合成的超低密度聚乙烯ULDPEa (密度0. 90g/cm3、氯含量不足 1质量％、维氏软化点72°C、熔点90°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度 100 μ m的长尺寸膜状，由此制作用于形成基材膜11的支持基材9。使用该用于形成基材膜11的支持基材9、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为比较例4的样品。(1. 10)比较例 5(基材膜11的制备)将通过茂金属聚合法合成的低密度聚乙烯LDPEb (密度0. 91g/cm3、氯含量不足1 质量％、维氏软化点81°C、熔点102°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度 100 μ m的长尺寸膜状，由此制作用于形成基材膜11的支持基材10。使用该用于形成基材膜11的支持基材10、粘合剂组合物1、接合剂组合物1，通过与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为比较例5的样品。(1.11)比较例 6(基材膜11的制备)将通过茂金属聚合法合成的低密度聚乙烯LDPEc(密度0. 91g/cm3、氯含量不足1 质量％、维氏软化点96°C、熔点102°C )的树脂珠粒在140°C熔融，使用挤出机，成型为厚度 100 μ m的长尺寸膜状后，使用中能量电子射线加速装置以加速电压IMeV,照射量20Mrad照射电子射线，由此制作用于形成基材膜11的支持基材11。使用该用于形成基材膜11的支持基材11、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为比较例6的样品。(1.12)比较例 7(基材膜11的制备)将通过茂金属聚合法合成的低密度聚乙烯LDPEc(密度0. 91g/cm3、氯含量不足1 质量％、维氏软化点96°C、熔点102°C )的树脂珠粒于140°C熔融，使用挤出机成型为厚度 100 μ m的长尺寸膜状，由此制作用于形成基材膜11的支持基材12。使用该用于形成基材膜11的支持基材12、和粘合剂组合物1、接合剂组合物1，利用与实施例1相同的方法制作晶片加工用胶带10，将其作为比较例7的样品。(2)样品的评价(2. 1)加热所致的收缩应力的增大量通过以下所示的方法，测定在加热实施例1 5和比较例1 7的晶片加工用胶带时的收缩应力的增大量。从实施例1 5和比较例1 7的晶片加工用胶带除去接合剂层后，将该晶片加工用胶带加工成JIS K7162中规定的尺寸的试验片。此时，制作试验片长度方向(实施拉伸变形的方向)沿将晶片加工用胶带卷成卷筒状时的收卷方向(支持基材的挤出成型工序中挤出-收卷方向(MD方向))的试验片和长度方向沿相对于收卷方向垂直的方向(TD方向)的试验片这两种试验片。接下来，使用附带加热腔的Mrograph以JIS K7162中规定的方法对上述带的试验片施加10%的拉伸变形后，直接在保持夹具间距离恒定(一定)的状态下，监测加热至该试验片的温度达到70°C的过程、其后在70°C的温度保持1分钟的过程和其后将该试验片返回室温的过程中的收缩应力。由所得到的测定结果，从观测到的最大收缩应力值中减去即将开始加热之前的初期应力值，求出收缩应力的增大量。将使用各实施例和各比较例的晶片加工用胶带时的结果列于表1和表2。(2. 半导体加工工序中的适合性试验通过以下所示的方法，对于上述实施例和上述比较例的晶片加工用胶带，实施与上述的半导体装置的制造方法(A)相当的下述的半导体加工工序中的适合性试验。(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序。(b)磨削上述半导体晶片背面的背面研磨工序。(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在上述半导体晶片的背面贴合上述晶片加工用胶带的接合剂层，同时将晶片加工用环形框架与上述晶片加工用胶带的粘合剂层的露出部分贴合的工序，其中，该露出部分是晶片加工用胶带的粘合剂层不与接合剂层重叠而露出的部分。(d)从上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序。(e)对上述半导体晶片的分割预定部分照射激光，在该晶片的内部形成多光子吸收所致的改性区域的工序。(f)通过使上述晶片加工用胶带扩张10%，从而将上述半导体晶片和上述接合剂层沿截断线截断，得到附带有上述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序。(g)将上述晶片加工用胶带的不与上述半导体芯片重叠的部分(在半导体芯片所存在的区域与环形框架之间的圆环状的区域)加热到50°C或70°C或90°C，继续加热直至通过目视观察上述带没有松弛的加热工序。另外，记录该加热工序中的加热时间。并且，在上述加热工序后，将JIS B7609中适用的IOg砝码载置于基材膜的背面(没有贴合半导体晶片的面)，测定晶片加工用胶带的松弛量，确认到该松弛量小于5mm。(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有接合剂层的上述半导体芯片的工序。(g)工序结束时的松弛量的测定通过如下方式进行如图9所示，在晶片加工用胶带10贴在环形框架20上的状态，将JIS B7609中适用的IOg砝码载置于基材膜的背面(没有贴合半导体晶片的面)，由此测定松弛量。将从晶片加工用胶带10处于与环形框架20 的贴合面平行的状态时的位置(图9中用点划线表示的位置)下降的距离(图9中a的距离)作为松弛量。将使用各实施例和各比较例的晶片加工用胶带时的松弛量和加热时间的结果列于表1和表2。(2. 3)拾取成功率对于上述实施例和比较例的晶片加工用胶带，评价最终的(h)工序的合格率(拾取成功率)。将使用各实施例和各比较例的晶片加工用胶带时的结果列于表1和表2。表 1
2权利要求
1.一种晶片加工用胶带，其是可扩张的晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带用于通过扩张将接合剂层沿芯片截断时，其特征在于，其具有基材膜和设置在所述基材膜上的粘合剂层，所述基材膜由Jis K7206中规定的维氏软化点为50°C以上且不足90°C的热塑性交联树脂形成，以JIS K7162中规定的方法，对该晶片加工用胶带的试验片施加10%的拉伸变形后， 直接在保持夹具间距离恒定的状态下，在加热至该试验片的温度达到70°C的过程、将该试验片在70°C的温度保持1分钟的过程和其后将该试验片返回室温的过程中，该试验片的最大热收缩应力比即将开始加热之前的初期应力大9MPa以上。
2.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，在所述粘合剂层上层积有接合剂层。
3.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂是用金属离子使乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物交联而得到的离聚物树脂。
4.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂是用金属离子使乙烯-(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物交联而得到的离聚物树脂。
5.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂是通过电子射线照射使低密度聚乙烯交联而得到的树脂、或通过电子射线照射使超低密度聚乙烯交联而得到的树脂。
6.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂是通过电子射线照射使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物交联而得到的树脂。
7.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述热塑性交联树脂中氯原子的含量小于1质量％。
8.如权利要求2所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)磨削所述半导体晶片背面的背面研磨工序；(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在所述半导体晶片的背面贴合所述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(d)从所述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(e)对所述半导体晶片的分割预定部分照射激光，在该晶片的内部形成多光子吸收所致的改性区域的工序；(f)通过使所述晶片加工用胶带扩张，将所述半导体晶片和所述接合剂层沿截断线截断，得到带有所述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使所述晶片加工用胶带的不与所述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在所述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有所述接合剂层的所述半导体芯片的工序。
9.如权利要求2所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)磨削所述半导体晶片背面的背面研磨工序；(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在半导体晶片的背面贴合所述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(d)从所述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(e)从所述半导体晶片的表面沿截断线照射激光，截断成一个个半导体芯片的工序；(f)通过使所述晶片加工用胶带扩张，从而按每个所述半导体芯片将所述接合剂层截断，得到附带有所述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使所述晶片加工用胶带的不与所述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在所述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有所述接合剂层的所述半导体芯片的工序。
10.如权利要求2所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法，(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)磨削所述半导体晶片背面的背面研磨工序；(c)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在半导体晶片的背面贴合所述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(d)从所述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(e)使用划片刀沿截断线切削所述半导体晶片，截断成一个个半导体芯片的工序；(f)通过使所述晶片加工用胶带扩张，从而按每个所述半导体芯片将所述接合剂层截断，得到附带有所述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使所述晶片加工用胶带的不与所述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在所述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有所述接合剂层的所述半导体芯片的工序。
11.如权利要求2所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述晶片加工用胶带用于包括下述工序的半导体装置的制造方法(a)使用划片刀沿截断预定线将形成有电路图案的半导体晶片切削至小于晶片厚度的深度的工序；(b)在所述半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；(c)对所述半导体晶片背面进行磨削，截断成一个个半导体芯片的背面研磨工序；(d)在将半导体晶片加热至70 80°C的状态下，在所述半导体芯片的背面贴合所述晶片加工用胶带的接合剂层的工序；(e)从所述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；(f)通过使所述晶片加工用胶带扩张，从而按每个所述半导体芯片将所述接合剂层截断，得到附带有所述接合剂层的2个以上半导体芯片的工序；(g)通过使所述晶片加工用胶带的不与所述半导体芯片重叠的部分加热收缩，从而除去在所述扩张工序中产生的松弛，而保持该半导体芯片的间隔的工序；和(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层拾取附带有所述接合剂层的所述半导体芯片的工序。
全文摘要
本发明提供一种晶片加工用胶带，其具有适于通过扩张来截断接合剂层的工序的均匀扩张性，且在加热收缩工序中显示充分的收缩性，加热收缩工序后不会因松弛引起不良情况。作为通过扩张将接合剂层(13)沿芯片截断时所用的可扩张的晶片加工用胶带10的基材膜11，使用JIS K7206中规定的维氏软化点为50℃以上且不足90℃、热收缩所致的应力增大在9MPa以上的热塑性交联树脂。
文档编号H01L21/683GK102206469SQ20111008034
公开日2011年10月5日 申请日期2011年3月31日 优先权日2010年3月31日
发明者三原尚明, 盛岛泰正 申请人:古河电气工业株式会社