专利名称：嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制造方法
嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制造方法技术领域
本发明有关于一种封装基板及其制造方法，尤指一种嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制造方法。
背景技术：
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品在型态上趋于轻薄短小，在功能上则逐渐迈入高性能、高功能、高速度化的研发方向。请参阅图1A，为现有的覆晶式封装结构的剖视示意图。
如图IA所示，该封装结构的制程先提供一具有核心板102、第一表面IOa及第二表面IOb的双马来醢亚胺-三氮杂苯
(Bismaleimide-Triazine, BT)封装基板10,且于该封装基板10的第一表面IOa 具有覆晶焊垫100 ;再由焊锡凸块11电性连接半导体晶片12的电性连接垫120 ;接着，于该封装基板10的第一表面IOa与该半导体晶片12之间形成底胶17，以包覆该焊锡凸块11 ； 又于该封装基板10的第二表面IOb具有植球垫101，以由焊球13电性连接例如为印刷电路板的另一电子装置(未表示于图中)。
然，因该半导体晶片12属尺寸为45nm以下的制程,故于后端制程(Back-End Of Line, BE0L)中，将采用超低介电系数(Extreme low-kdielectric, ELK)或超低介电常数 (Ultra low-k,ULK)的介电材料,但该low_k的介电材料为多孔特性易脆，以致于当进行覆晶封装后，在信赖度热循环测试，将因该封装基板10与该半导体晶片12之间的热膨胀系数 (thermal expansion coefficient,CTE)差异过大,导致该焊锡凸块11易因热应力不均而产生破裂，使该半导体晶片12产生破裂，造成产品可靠度不佳。
再者，随着电子产品更趋于轻薄短小及功能不断提升的需求，该半导体晶片12的布线密度愈来愈高，以纳米尺寸作单位，因而各该电性连接垫120之间的间距更小；然，现有的封装基板10的覆晶焊垫100之间距以微米尺寸作单位，而无法有效缩小至对应该电性连接垫120之间距的大小，导致虽有高线路密度的半导体晶片12，却未有可配合的封装基板，以致于无法有效生产电子产品。
请参阅图1B，为克服上述的问题，故于该封装基板10与半导体晶片12’之间增设一娃中介层(Silicon interposer) 14,该娃中介层 14 具有娃穿孔(Through-silicon via, TSV) 140及设于该娃穿孔140顶端上的线路重布层(Redistribution layer, RDL) 141,令该硅穿孔140的底端由导电凸块142电性结合间距较大的封装基板10的覆晶焊垫100，而该线路重布层141的最上层线路具有电极垫1410，以由焊锡凸块11’电性结合间距较小的半导体晶片12’的电性连接垫120’，再形成封装胶体18，使该封装基板10可结合具有高布线密度电性连接垫120’的半导体晶片12’，而达到整合高布线密度的半导体晶片12’的目的。 故由该硅中介层14，不仅可解决缺乏可配合的封装基板的问题，且不会改变IC产业原本的供应链(supply chain)及基础设备(infrastructure)。
再者，由该半导体晶片12’设于该硅中介层14上，且该硅中介层14的热膨胀系数与半导体晶片12’的热膨胀系数相同(CET均为2.6ppm)，故可避免该半导体晶片12’与该硅中介层14之间的焊锡凸块11’破裂，有效使产品的可靠度提升。
然，由该硅中介层14虽解决该半导体晶片12与该封装基板10之间的配合问题， 但却因增加该硅中介层14的厚度，导致整体结构的厚度增加，而无法满足薄化的需求。
再者，于完成该硅中介层14之后，需再制作导电凸块142以结合该封装基板10，因制作导电凸块142需将晶圆研磨到100微米以下的厚度，再进行导电凸块142，而使用薄型晶圆的设备与材料均非常昂贵，导致成本大幅提高，而不利于量产。
因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。发明内容
鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明揭露一种嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制造方法，以解决现有技术在需要制作如导电凸块，而导致成本增高的问题。
为达上述及其它目的，本发明揭露一种嵌埋穿孔中介层的封装基板，包括模封层，具有相对的第一表面及第二表面；穿孔中介层，嵌埋于该模封层中，且具有相对的第一侧与第二侧、及贯穿该第一侧与第二侧的多个导电穿孔，该导电穿孔于该第一侧与第二侧上分别具有第一端面与第二端面，且该第二侧与该导电穿孔的第二端面与该模封层的第二表面齐平；线路重布层，嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层的第一侧与该导电穿孔的第一端面上，并电性连接该导电穿孔的第一端面，而该线路重布层的最外层具有电极垫，该电极垫并外露于该模封层的第一表面；以及增层结构，设于该模封层的第二表面上、该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面上，且具有多个导电盲孔，而部分的导电盲孔对应电性连接该导电穿孔的第二端面。
前述的封装基板中，该模封层的第一表面上具有第一开孔，以令该电极垫对应外露于该第一开孔，以以供作为覆晶连接晶片的连接点。
本发明还揭露一种嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，包括提供一承载板; 提供穿孔中介层及设于其上的线路重布层，该穿孔中介层具有相对的第一侧与第二侧、及贯穿该第一侧与第二侧的多个导电穿孔，该导电穿孔于该第一侧与第二侧上分别具有第一端面与第二端面，该线路重布层设于该穿孔中介层的第一侧与该导电穿孔的第一端面上， 且该线路重布层电性连接该导电穿孔的第一端面，而该导电穿孔的第二端面与该第二侧齐平，使该第二侧与该导电穿孔的第二端面结合于该承载板上，又该线路重布层的最外层具有电极垫；于该承载板与该线路重布层上形成模封层，使该穿孔中介层嵌埋于该模封层中， 且该模封层具有外露的第一表面及结合至该承载板上的第二表面；于该模封层的第一表面上形成金属层；移除该承载板，以外露该模封层的第二表面、该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面；于该模封层的第二表面、该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面上形成增层结构，该增层结构具有多个导电盲孔，且部分的导电盲孔对应电性连接该导电穿孔的第二端面；移除该金属层，以外露该模封层的第一表面；以及于该模封层的第一表面上形成第一开孔，以令该电极垫对应外露于该第一开孔。
前述的封装基板及其制造方法中，该增层结构还具有至少一介电层、及设于该介电层上的线路层，且各该导电盲孔设于该介电层中并电性连接该线路层与该导电穿孔的第二端面。还包括绝缘保护层，设于该增层结构上，且该绝缘保护层具有多个第二开孔，以外露部份的线路层，以以供作为电性接触垫。依上述的结构及制造方法，还包括于该模封层的第一表面上形成天线结构或散热片，且该散热片具有开口，以外露出该线路重布层的该些电极垫，并供收纳电子元件。依上述的结构及制造方法，还包括于该承载板上结合电子元件，且该电子元件嵌埋于该模封层中，并电性连接该增层结构或该晶片。又该电子元件例如为主动元件、被动元件或整合型被动元件。前述的封装基板及其制造方法中，形成该穿孔中介层的材质为单晶硅或多晶硅， 该导电穿孔的侧壁上则具有绝缘层，而该穿孔中介层与该线路重布层的制程包括提供一基板，且于该基板上形成多个凹穴；于各该凹穴的侧壁上与该基板上形成绝缘层，且该基板上的绝缘层定义为该第一侧；于该凹穴中的绝缘层上形成金属材，以形成该导电穿孔，且该导电穿孔的第一端面外露于该第一侧并与其齐平；于该第一侧及该导电穿孔的第一端面上形成该线路重布层，该线路重布层电性连接该导电穿孔的第一端面，且该线路重布层的最外层具有该电极垫；以及移除该凹穴下方的基板材料，以形成该穿孔中介层及该第二侧，且该导电穿孔的第二端面外露于该第二侧。前述的封装基板及其制造方法中，形成该穿孔中介层的材质为玻璃或陶瓷，而该穿孔中介层与该线路重布层的制程包括提供一基板，且于该基板的其中一表面定义为该第一侧，并于该第一侧上形成多个凹穴；于该凹穴中形成金属材，以形成该导电穿孔，且该导电穿孔的第一端面外露于该第一侧并与其齐平；于该第一侧及该导电穿孔的第一端面上形成该线路重布层，该线路重布层电性连接该导电穿孔的第一端面，且该线路重布层的最外层具有该电极垫；以及移除该凹穴下方的基板材料，以形成该穿孔中介层及该第二侧，且该导电穿孔的第二端面外露于该第二侧。前述的封装基板及其制造方法中，该穿孔中介层的厚度较佳为75至150微米。由上可知，本发明嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制造方法，主要由将该穿孔中介层嵌埋于该模封层中，以避免外侧堆叠该穿孔中介层，因而可降低整体结构的厚度，且由于该模封层的第二表面上形成增层结构，因而无需使用现有技术的核心板，亦可降低整体结构的厚度。再者，因该穿孔中介层嵌埋于该模封层中，使该穿孔中介层可由该导电穿孔电性连接该增层结构的导电盲孔，因而无需制作如现有技术的导电凸块，故可大幅降低制作成本，而有利于量产。
图IA为现有技术中覆晶封装结构的剖视示意图。图IB为现有技术中具有硅中介层的封装基板的剖视示意图。图2A至2F为本发明嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法的剖视示意图；第2G 图为本发明嵌埋穿孔中介层的封装基板的应用方式。图3A至3D为本发明所述的嵌埋穿孔中介层的制程的剖视示意图。图4A至4D为本发明所述的嵌埋穿孔中介层的另一制程方式的剖视示意图。图5A、6A、7A为本发明所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的其他实施例。图5B、6B、7B为本发明所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的不同应用方式。
7
主要元件符号说明
10封装基板10a，2 第一表·
10b, 22b第二表面100覆晶焊垫
101植球垫102核心极
11，11，，271焊锡凸块12，12’半导体晶片
120，120，，300，300，电性连接垫
13，26焊球14硅中介层
140 硅穿孔141，213 线路重布层
1410，211电极垫142导电凸块
17,270底胶18封装胶体
20 承载板21穿孔中介层
21a 第一侧21b第二侧
210 导电穿孔210a第一端面
210b 第二端面212绝缘层
21， 基板210'凹穴
22 模封层220第一开孔
221 第三开孔23金属层
24 增层结构240介电层
241 线路层242导电盲孔
243 电性接触垫25绝缘保护层
250 第二开孔27,27'，28晶片
29 天线结构30第一电子元件
30’ 第二电子元件31散热片
310 开口32散热胶
L 假想线。
具体实施例方式以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。请参阅图2A至2F，为本发明所揭露的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法的剖视示意图。如图2A所示，首先，提供一承载板20、穿孔中介层(interp0Ser)21及线路重布层 213。所述的穿孔中介层21具有相对的第一侧21a与第二侧21b、及贯穿该第一侧21a 与第二侧21b的多个导电穿孔210，该导电穿孔210于该第一侧21a与第二侧21b上分别具有第一端面210a与第二端面210b，且该导电穿孔210的第二端面210b与该第二侧21b齐平，使该第二侧21b与该导电穿孔210的第二端面210b结合于该承载板20上。又该穿孔中介层21的厚度较佳为75至150微米(μ m)。所述的线路重布层213设于该穿孔中介层21的第一侧21a与该导电穿孔210的第一端面210a上，且该线路重布层213的最内层线路电性连接该导电穿孔210的第一端面 210a，又该线路重布层213的最外层线路具有电极垫211。如图2B所示，于该承载板20与该线路重布层213上形成模封层22，使该穿孔中介层21嵌埋于该模封层22中，且该模封层22具有外露的第一表面2 及结合至该承载板 20上的第二表面22b。如图2C所示，于该模封层22的第一表面2 上形成金属层23。如图2D所示，移除该承载板20，以外露该模封层22的第二表面22b、该穿孔中介层21的第二侧21b与该导电穿孔210的第二端面210b。如图2E所示，利用扩散型(fan-out)技术，于该模封层22的第二表面22b、该穿孔中介层21的第二侧21b与该导电穿孔210的第二端面210b上形成增层结构M，该增层结构M具有多个导电盲孔M2，且部分的导电盲孔242对应电性连接该导电穿孔210的第二端面210b。所述的增层结构M还具有至少一介电层对0、及设于该介电层240上的线路层 M1，且各该导电盲孔242设于该介电层MO中并电性连接该线路层241与该导电穿孔210 的第二端面210b。又，于该增层结构24的最外侧的介电层240与线路层241上形成绝缘保护层25，例如防焊层，且该绝缘保护层25具有多个第二开孔250，以外露部份最外层的线路层对1，以以供作为电性接触垫对3。如图2F所示，移除该金属层23，以外露该模封层22的第一表面22a，再于该模封层22的第一表面2 上形成第一开孔220，以令该电极垫211对应外露于该第一开孔220。本发明的封装基板，由将该穿孔中介层21嵌埋于该模封层22中，相较于现有技术中的外侧堆叠硅中介层的结构，本发明有效降低整体结构的厚度，且因于该模封层22的第二表面22b上形成增层结构24，故无需使用现有技术的核心板，也降低整体结构的厚度。再者，因该穿孔中介层21嵌埋于该模封层22中，使该穿孔中介层21由该导电穿孔210电性连接该增层结构M的导电盲孔M2，故该穿孔中介层21无需于该导电穿孔210 的第二端面210b上制作如现有技术的导电凸块，因而有效降低制作成本，以利于量产。请参阅图2G，为本发明封装基板的应用方式；如图2G所示，将晶片27由焊锡凸块 271以覆晶方式电性连接于该线路重布层213的电极垫211上，再于该电极垫211与该晶片 27之间填入底胶270，且将该电性接触垫243作为植球垫而于其上结合焊球沈，以接置于例如为印刷电路板的另一电子装置(未图示)。其中，所述的晶片27亦可为堆叠式(multiple chips)或被动元件(passives component)，该被动元件可为电容、电感、电阻。将晶片27结合于封装基板的穿孔中介层21，相较于现有技术的覆晶式封装基板， 可提升产品的可靠度。请参阅图3A至3D及图4A至4D，显示该穿孔中介层21的不同结构及其制程。如图3A至3D所示，该穿孔中介层21的材质为单晶硅(singlecrystal)或多晶硅 (poly silicon)ο如图3A所示，提供一基板21’，且于该基极21，上形成多个凹穴210’。如图:3B所示，于各该凹穴210’的侧壁上与该基板21’上形成绝缘层212，且该基板21’上的绝缘层212表面定义为该第一侧21a ；接着，于该凹穴210’中的绝缘层212上形成金属材，以形成该导电穿孔210，且该导电穿孔210的第一端面210a外露于该第一侧21a并与其齐平。如图3C所示，于该第一侧21a及该导电穿孔210的第一端面210a上形成该线路重布层213，该线路重布层213的最内层线路电性连接该导电穿孔210的第一端面210a，且该线路重布层213的最外层线路具有该电极垫211。如图3D所示，进行薄化制程，移除该凹穴210’下方的基板21’材料(如图3C所示的假想线L下方)，以形成该穿孔中介层21及该第二侧21b，且该导电穿孔210的第二端面210b外露于该第二侧21b。于本制程中，由该绝缘层212以避免该导电穿孔210与该穿孔中介层21的硅材导通，可避免造成短路。如图4A至4D所示，该穿孔中介层21的材质可为玻璃(glass)、或例如为Al2O3或 AlN的陶瓷，其中，因陶瓷的热膨胀系数(大约为3ppm/°C)接近硅，故可采用之。如图4A所示，提供一基板21’，且于该基板21’的其中一表面定义为该第一侧21a， 并于该第一侧21a上形成多个凹穴210’。如图4B所示，于该凹穴210’中形成金属材，以形成该导电穿孔210，且该导电穿孔 210的第一端面210a外露于该第一侧21a并与其齐平。如图4C所示，于该第一侧21a及该导电穿孔210的第一端面210a上形成该线路重布层213，该线路重布层213的最内层线路电性连接该导电穿孔210的第一端面210a，且该线路重布层213的最外层线路具有该电极垫211。如图4D所示，移除该凹穴210’下方的基板21’材料(如图4C所示的假想线L下方)，以形成该穿孔中介层21及该第二侧21b，且该导电穿孔210的第二端面210b外露于该第二侧21b。于本制程中，因该穿孔中介层21的玻璃材或陶瓷材硅为绝缘体，因而无需于各该凹穴210’的侧壁上形成绝缘层212。于上述两制程中，因该穿孔中介层21用于嵌埋于该模封层22中，所以不需再于该导电穿孔210的第二端面210b上制作导电凸块，因而降低制作成本。再者，该穿孔中介层21的热膨胀系数与硅晶圆接近或者相同，可提高封装后热循环测试的信赖度。请一并参阅图5A、6A、7A与图5B、6B、7B，为本发明嵌埋穿孔中介层21的封装基板的其他实施例及其应用。如图5A所示，于图2F所示的封装基板中，于该模封层22的第一表面2 上形成天线结构四，且该天线结构四埋设于介电材中。再者，形成该模封层22的前(第2B图的制程的前)，可于该承载板20上结合具有电性连接垫300的第一电子元件30，使该第一电子元件30嵌埋于该模封层22中，且当形成该增层结构M时，该第一电子元件30可由该电性连接垫300电性连接该增层结构M的导电盲孔M2。其中，该第一电子元件30为主动元件 (半导体晶片等)、被动元件(电容、电感、电阻)或整合型被动元件antegrated Passive Device, IPD)。如图5B所示，为图5A所示的封装基板的应用，将晶片27由焊锡凸块271以覆晶方式电性连接于该线路重布层213的电极垫211上，再于该电极垫211与该晶片27之间填入底胶270，且于该电性接触垫243上结合焊球沈，以接置于例如为印刷电路板的另一电子装置(未图示)。如图6A所示，于图2F所示的封装基板中，于形成该模封层22的前，亦可于该承载板20上结合具有电性连接垫300’的第二电子元件30’，使该第二电子元件30’嵌埋于该模封层22中，且可令该第二电子元件30’的电性连接垫300’对应外露于该模封层22的第三开孔221。其中，该第二电子元件30’为主动元件(半导体晶片等)、被动元件(电容、电感、电阻)或整合型被动元件(IPD)。如图6B所示，为图6A所示的封装基板的应用，将另一晶片27’由焊锡凸块271以覆晶方式电性连接于该电极垫211与该第二电子元件30’的电性连接垫300’上，再于该封装基板与该晶片27’之间填入底胶270，且于该电性接触垫243上结合焊球26，以接置于例如为印刷电路板的另一电子装置(未图示)。如图7A所示，于图2F所示的封装基板中，该第一电子元件30嵌埋于该模封层22 中，且于该模封层22的第一表面2 上形成散热片31，该散热片31具有开口 310，以外露出该线路重布层213的电极垫211，并供收纳电子元件。如图7B所示，为图7A所示的封装基板的应用，于该电极垫211上由焊锡凸块271 以覆晶方式电性连接两晶片28，以令各该晶片观位于该开口 310中，再于该开口 310中、该散热片31及该些晶片观上形成封装胶体，如散热胶32，以包覆该些晶片观。于上述各实施例及其应用的说明中，有关封装基板中的各元件，如天线结构29、 第一电子元件30、第二电子元件30’或散热片31，可依需求作增设，并不仅限于上述型态， 且于应用时，有关晶片27，27’，28的数量并无特别限制。本发明还提供一种嵌埋穿孔中介层21的封装基板，包括具有相对的第一表面 2 及第二表面22b的模封层22、嵌埋于该模封层22中的穿孔中介层21、嵌埋于该模封层 22中且设于该穿孔中介层21上的线路重布层213、以及设于该模封层22的第二表面22b 上的增层结构对。所述的模封层22的第一表面2 上具有第一开孔220。所述的穿孔中介层21具有相对的第一侧21a与第二侧21b、及贯穿该第一侧21a 与第二侧21b的多个导电穿孔210，该导电穿孔210于该第一侧21a与第二侧21b上分别具有第一端面210a与第二端面210b，且该第二侧21b与该导电穿孔210的第二端面210b与该模封层22的第二表面22b齐平。再者，形成该穿孔中介层21的材质为玻璃、陶瓷、单晶硅或多晶硅，若为单晶硅或多晶硅，则该导电穿孔210的侧壁上具有绝缘层212。所述的线路重布层213设于该穿孔中介层21的第一侧21a与该导电穿孔210的第一端面210a上，且该线路重布层213的最内层线路电性连接该导电穿孔210的第一端面 210a，而该线路重布层213的最外层线路具有电极垫211，该电极垫211并对应外露于该模封层22的第一开孔220，以以供作为覆晶连接至少一晶片27，27’，28的连接点。所述的增层结构M复设于该穿孔中介层21的第二侧21b与该导电穿孔210的第二端面210b上，该增层结构M具有至少一介电层对0、及设于该介电层240上的线路层 Ml、以及设于该介电层240中并电性连接该线路层241与该导电穿孔210的第二端面210b 的多个导电盲孔对2。所述的封装基板还包括绝缘保护层25，设于该增层结构M上，且该绝缘保护层25 具有多个第二开孔250，以外露部份的线路层Ml，以以供作为电性接触垫M3，而结合焊球26。所述的封装基板还包括天线结构四，设于该模封层22的第一表面2 上。所述的封装基板还包括第一电子元件30，嵌埋于该模封层22中且电性连接该增层结构M。所述的封装基板还包括具有电性连接垫300 ’的第二电子元件30 ’，嵌埋于该模封层22中，且令该第二电子元件30’的电性连接垫300’对应外露于该模封层22。所述的封装基板还包括散热片31，设于该模封层22的第一表面2 上，且该散热片31具有开口 310，以外露出该线路重布层213的该些电极垫211，并供收纳电子元件。综上所述，本发明嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制造方法，由将穿孔中介层嵌埋于模封层中的技术，以避免堆叠该穿孔中介层及使用核心板，故有效降低整体结构的厚度。再者，因该穿孔中介层嵌埋于该模封层中，使该穿孔中介层由该导电穿孔电性连接该增层结构的导电盲孔，故该穿孔中介层无需于该导电穿孔的端面上制作导电凸块，以有效降低制作成本。又，由该穿孔中介层结合晶片，可提升产品的可靠度。上述实施例用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此项技术的人士均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如本发明的权利要求所列。
权利要求
1.一种嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，包括模封层，具有相对的第一表面及第二表面；穿孔中介层，嵌埋于该模封层中，且具有相对的第一侧与第二侧、及贯穿该第一侧与第二侧的多个导电穿孔，该导电穿孔于该第一侧与第二侧上分别具有第一端面与第二端面， 且该第二侧与该导电穿孔的第二端面与该模封层的第二表面齐平；线路重布层，嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层的第一侧与该导电穿孔的第一端面上，并电性连接该导电穿孔的第一端面，而该线路重布层的最外层具有电极垫，该电极垫并外露于该模封层的第一表面；以及增层结构，设于该模封层的第二表面上、该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面上，且具有多个导电盲孔，而部分的导电盲孔对应电性连接该导电穿孔的第二端面。
2.如权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，该模封层的第一表面上具有第一开孔，以令该电极垫对应外露于该第一开孔，以以供作为覆晶连接晶片的连接点。
3.如权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，形成该穿孔中介层的材质为玻璃、陶瓷、单晶硅或多晶硅。
4.如权利要求3所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，形成该穿孔中介层的材质为单晶硅或多晶硅，该导电穿孔的侧壁上具有绝缘层。
5.如权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，该穿孔中介层的厚度为75至150微米。
6.如权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，该增层结构还具有至少一介电层、及设于该介电层上的线路层，且各该导电盲孔设于该介电层中并电性连接该线路层与该导电穿孔的第二端面。
7.如权利要求6所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，还包括绝缘保护层， 设于该增层结构上，且该绝缘保护层具有多个第二开孔，以外露部份的线路层，以以供作为电性接触垫。
8.如权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，还包括天线结构，设于该模封层的第一表面上。
9.如权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，还包括第一电子元件，嵌埋于该模封层中且电性连接该增层结构。
10.如权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，还包括具有电性连接垫的第二电子元件，嵌埋于该模封层中，且令该第二电子元件的电性连接垫对应外露于该模封层。
11.如权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，还包括散热片，设于该模封层的第一表面上，且该散热片具有开口，以外露出该线路重布层的该些电极垫，并供收纳电子元件。
12.—种嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，包括提供一承载板；提供穿孔中介层及设于其上的线路重布层，该穿孔中介层具有相对的第一侧与第二侧、及贯穿该第一侧与第二侧的多个导电穿孔，该导电穿孔于该第一侧与第二侧上分别具有第一端面与第二端面，该线路重布层设于该穿孔中介层的第一侧与该导电穿孔的第一端面上，且该线路重布层电性连接该导电穿孔的第一端面，而该导电穿孔的第二端面与该第二侧齐平，使该第二侧与该导电穿孔的第二端面结合于该承载板上，又该线路重布层的最外层具有电极垫；于该承载板与该线路重布层上形成模封层，使该穿孔中介层嵌埋于该模封层中，且该模封层具有外露的第一表面及结合至该承载板上的第二表面； 于该模封层的第一表面上形成金属层；移除该承载板，以外露该模封层的第二表面、该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面；于该模封层的第二表面、该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面上形成增层结构，该增层结构具有多个导电盲孔，且部分的导电盲孔对应电性连接该导电穿孔的第二端面；移除该金属层，以外露该模封层的第一表面；以及于该模封层的第一表面上形成第一开孔，以令该电极垫对应外露于该第一开孔。
13.如权利要求12所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，形成该穿孔中介层的材质为单晶硅或多晶硅，而该穿孔中介层与该线路重布层的制程包括提供一基板，且于该基板上形成多个凹穴；于各该凹穴的侧壁上与该基板上形成绝缘层，且该基板上的绝缘层定义为该第一侧； 于该凹穴中的绝缘层上形成金属材，以形成该导电穿孔，且该导电穿孔的第一端面外露于该第一侧并与其齐平；于该第一侧及该导电穿孔的第一端面上形成该线路重布层，该线路重布层电性连接该导电穿孔的第一端面，且该线路重布层的最外层具有该电极垫；以及移除该凹穴下方的基板材料，以形成该穿孔中介层及该第二侧，且该导电穿孔的第二端面外露于该第二侧。
14.如权利要求12所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，形成该穿孔中介层的材质为玻璃或陶瓷，而该穿孔中介层与该线路重布层的制程包括提供一基板，且于该基板的其中一表面定义为该第一侧，并于该第一侧上形成多个凹穴；于该凹穴中形成金属材，以形成该导电穿孔，且该导电穿孔的第一端面外露于该第一侧并与其齐平；于该第一侧及该导电穿孔的第一端面上形成该线路重布层，该线路重布层电性连接该导电穿孔的第一端面，且该线路重布层的最外层具有该电极垫；以及移除该凹穴下方的基板材料，以形成该穿孔中介层及该第二侧，且该导电穿孔的第二端面外露于该第二侧。
15.如权利要求12所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，该穿孔中介层的厚度为75至150微米。
16.如权利要求12所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，该增层结构还具有至少一介电层、及设于该介电层上的线路层，且各该导电盲孔设于该介电层中并电性连接该线路层与该导电穿孔的第二端面。
17.如权利要求16所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，还包括于该增层结构上形成绝缘保护层，且该绝缘保护层具有多个第二开孔，以外露部份的线路层，以以供作为电性接触垫。
18.如权利要求12所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，还包括于该模封层的第一表面上形成天线结构。
19.如权利要求12所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，还包括于该承载板上结合第一电子元件，且该第一电子元件嵌埋于该模封层中并电性连接该增层结构。
20.如权利要求19所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，该第一电子元件为主动元件、被动元件或整合型被动元件。
21.如权利要求12所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，还包括于该承载板上结合具有电性连接垫的第二电子元件，该第二电子元件嵌埋于该模封层中，且令该第二电子元件的电性连接垫对应外露于该模封层。
22.如权利要求21所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，该第二电子元件为主动元件、被动元件或整合型被动元件。
23.如权利要求12所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板的制造方法，其特征在于，还包括于该模封层的第一表面上形成散热片，且该散热片具有开口，以外露出该线路重布层的该些电极垫，并供收纳电子元件。
全文摘要
本发明涉及一种嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法制造方法。所述嵌埋穿孔中介层的封装基板包括具有相对的第一表面及第二表面的模封层、嵌埋于该模封层中且与第二表面齐平的穿孔中介层、嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层上以外露于该第一表面的线路重布层、以及设于该模封层的第二表面上且电性连接该穿孔中介层的增层结构。由该穿孔中介层嵌埋于该模封层中及于该模封层的第二表面上形成增层结构，以省略使用核心板，故可降低整体结构的厚度，并且此穿孔中介层的热膨胀系数与硅晶圆接近或者相同，可提高封装后热循环测试的信赖度。
文档编号H01L21/48GK102543927SQ201110104459
公开日2012年7月4日 申请日期2011年4月21日 优先权日2010年12月14日
发明者曾子章, 胡玉山, 胡迪群 申请人:欣兴电子股份有限公司, 苏州群策科技有限公司