专利名称：半导体封装结构与其制造方法
技术领域：
本发明是关于ー种半导体封装结构与其制造方法，且特别是ー种具有良好散热效果的半导体封装结构与其制造方法。
背景技术：
随着技术发展的日新月异，发光二极管的发光效率与亮度已达到可被大众接受的水平，因此目前发光二极管已被应用在背光模块、汽车灯头与路灯等上。其中，随着发光二极管之亮度的提高，其发热量也随之增加。若无法将热量有效地排除，则发光二极管之亮度将会降低且使用寿命也会变短。 请參照图1，图I所绘示为公知的发光二极管装置的侧视图。此发光二极管装置100是安装在一电路载板10上,发光二极管装置100包括ー发光二极管110、一基板120、一反射件130与一绝缘体140，其中基板120则为MCPCB基板。发光二极管110与反射件130皆设置在基板120上，反射件130则构成一杯状的凹穴132，发光二极管110是位于凹穴132中。其中，发光二极管110是通过一导电胶102而接合在基板120上。该凹穴132的壁面为光滑的反射面，可将发光二极管110所发出的光进行反射，以增加光线的指向性。由于反射件130与基板120是属于ニ个不同的个体，故随着使用时间的增长，反射件130与基板120间可能会产生异位或脱离的现象。而且，发光二极管110所发出的热量会经由基板120与电路载板10而传递到外界，故发光二极管装置100的散热效率主要是取决于基板120的厚度，因此若基板120的厚度愈厚，发光二极管装置100的散热效率愈差。然而，若将基板120的厚度变薄，则发光二极管装置100的机械强度会变差。此外，导电胶102例如为银胶，由于银胶含有高分子材质及其他热传导效果较差的材质，而导致发光二极管110所发出的热无法有效被排除。虽然，近年来本领域技术人员提出使用金属共晶结构(例如金锡共晶结构)来取代银胶的技术方案，然此种技术方案具有制程较复杂且成本较闻的缺点。因此，如何在较低的成本下提高发光二极管装置100的散热效率，是值得本领域技术人员去思量地。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种半导体封装结构及其制造方法，此半导体封装结构具有较佳的散热效率并具一定的机械强度。根据上述目的与其他目的，本发明提供一种半导体封装结构。此半导体封装结构包括一半导体晶粒、ー导热薄膜、一基板、多个导电图案、与至少ー绝缘体，其中导热薄膜是设置于半导体晶粒的底部，基板主要是由导电材质或半导体材质所构成。此外，于基板上设置有一第一孔穴，所述第一孔穴是贯穿基板，且半导体晶粒是放置在第一孔穴中。导电薄膜图案是分布于基板上，且这些导电图案彼此并不互相电性连接。绝缘体连接于半导体晶粒与基板间。此外，半导体晶粒例如为发光二极管。或者，半导体晶粒也可为雷射ニ极管、太阳能ニ极管、逻辑1C、内存1C、模拟1C、或CMOS影像感测组件。在上述的半导体封装结构中，还包括多个绝缘薄膜图案，其中导电图案为导电薄膜图案，所述导电薄膜图案是分布在基板的表面上，而绝缘薄膜图案则位于导电薄膜图案与基板之间。在上述的半导体封装结构中，基板具有多个第二孔穴，于第二孔穴的表面上分布有导电薄膜图案与绝缘薄膜图案。在上述的半导体封装结构中，于基板的侧壁上是分布有导电薄膜图案与绝缘薄膜图案。 在上述的半导体封装结构中，基板具有多个第二孔穴，而所述导电图案为导电块，这些导电块是设置于第二孔穴中，且绝缘体的个数为多个，绝缘体除了连接于半导体晶粒与基板之间外，还连接于所述基板与所述导电块之间。 在上述的半导体封装结构中，绝缘体的材质为聚亚酰胺、防焊漆、或永久性光阻。在上述的半导体封装结构中，于所述孔穴的孔壁上分布有一金属反射层。在上述的半导体封装结构中，基板主要是由铜、铝或含以上任一成分的合金所构成。在上述的半导体封装结构中，导电图案主要是由铜、镍、金、和银或含以上任一成分的合金所构成。根据上述目的与其他目的，本发明提供一种半导体封装结构的制造方法，其包括下述之步骤。首先，提供一基板，所述基板主要是由导电材质或半导体材质所构成。于所述基板上设置有一第一孔穴，所述第一孔穴是贯穿基板。接着，将一半导体晶粒置入于第一孔穴中。之后，于半导体晶粒与基板之间涂布ー绝缘体。再者，于基板上形成多个导电图案，这些导电图案彼此并不互相电性连接。接着，形成ー导热薄膜，所述导热薄膜位于半导体晶粒的底部。然后，使半导体晶粒与导电图案电性连接。在上述的半导体封装结构的制造方法中，半导体晶粒为发光二极管、雷射ニ极管、太阳能ニ极管、逻辑1C、内存1C、模拟1C、或CMOS影像感测组件。在上述的半导体封装结构的制造方法中，基板还包括多个第二孔穴，于(b)步骤前，还包括下述步骤将多个绝缘薄膜图案形成于所述基板的表面与所述第二孔穴的表面上。而且，于(d)步骤中，导电图案为导电薄膜图案，所述导电薄膜图案是分布在绝缘薄膜图案上。在上述的半导体封装结构的制造方法中，绝缘薄膜图案是利用电镀法、电泳法、或电化学沉积法而形成。在上述的半导体封装结构的制造方法中，导电薄膜图案与导热薄膜是同时形成。在上述的半导体封装结构的制造方法中，于(b)步骤前，还包括下述步骤将多个绝缘薄膜图案形成于基板的上表面、下表面及侧壁上。而且，于(d)步骤中，导电图案为导电薄膜图案，所述导电薄膜图案是分布在绝缘薄膜图案上。在上述的半导体封装结构的制造方法中，基板还包括多个第二孔穴及多个导电块，且于(d)步骤中，将所述导电块置于所述第二孔穴中以形成所述导电图案。而且，导电块的厚度约等于第二孔穴的深度。此外，还包括下述步骤形成多个导电薄膜图案于导电块上。
在上述的半导体封装结构的制造方法中，还包括下述的步骤形成一金属反射层于孔穴的孔壁。在上述的半导体封装结构的制造方法中，半导体晶粒约等于第一孔穴的深度。在上述的半导体封装结构的制造方法中，于(b)步骤前，还包括下述步骤将所述基板反转，使所述基板的底部朝上。而且，于(e)步骤与(f)步骤间，还包括下述步骤将基板再度反转，以使基板的底部朝下。由于半导体晶粒所发出的热量可以直接经由导热薄膜而传送到外界，故本发明的半导体封装结构具有较佳的散热效率。
图I所绘示为公知的发光二极管装置的侧视图。 图2所绘示为本发明的发光二极管装置的第一实施例。图3A 图3G所绘示为图2中的发光二极管装置的制造流程。图4所绘示为本发明的发光二极管装置的第二实施例。图5A 图5F所绘示为图4中的发光二极管装置的制造流程。图6所绘示为本发明的发光二极管装置的第三实施例的示意图。图7所绘示为本发明的发光二极管装置的第四实施例的示意图。图8所绘示为本发明的发光二极管装置的第五实施例。
具体实施例方式为让本发明的上述目的、特征和优点更能明显易懂，下文将以实施例并配合所附图式，作详细说明如下。在下述的第一、第三、与第五实施例中，主要是以导电薄膜图案为导电图案的实施例。另外，在第二与第四实施例中，则主要是以导电块为导电图案的实施例。请參照图2，图2所绘示为本发明的发光二极管装置的第一实施例。此发光二极管装置200包括ー发光二极管210、ー导热薄膜220、一基板230、多个导电薄膜图案240、多个绝缘薄膜图案250、与至少ー绝缘体260。导热薄膜220是设置于发光二极管210的底部，而基板230的主要材质为铜。于基板230上设置有一第一孔穴231与多个第二孔穴232，第一孔穴231与第二孔穴232是贯穿基板230，而发光二极管210则是放置在第一孔穴231中。此外，导电薄膜图案240是分布于基板230的上、下表面及第ニ孔穴232的孔壁上，其中导电薄膜图案240的厚度较佳是大于10 μ m,其包括一第一导电薄膜图案241与一第二导电薄膜图案242，且第一导电薄膜图案241与第二导电薄膜图案242彼此之间并不相接触。在本实施例中，位于基板230上表面的导电薄膜图案240是通过位于第二孔穴232上的导电薄膜图案240,而与位于基板230下表面的导电薄膜图案240相导通。另外，绝缘薄膜图案250则是位于导电薄膜图案240与基板230之间。绝缘体260连接于发光二极管210与基板230之间，通过所述绝缘体260，可使发光二极管210与基板230相连在一起。在本实施例中，绝缘体260的材质为防焊漆(solder resist)、聚亚酰胺(Polyimide)、或永久性光阻(permanent photo resist)。当然，本领域技术人员可使用其他能用于印刷涂布的绝缘材料来作为绝缘体260的材质。此绝缘体260的厚度控制在可有效支撑发光二极管的厚度范围，较佳是介于30 μ m与100 μ m之间，在这个厚度范围内，绝缘体260可有效地支撑着发光二极管210。发光二极管210上还连接有一第一导线211与一第二导线212，其中第一导线211是连接于发光二极管210的负极与第一导电薄膜图案241之间，而第二导线212则是连接于发光二极管210的正极与第二导电薄膜图案242之间。于发光二极管210上还涂布有一荧光粉层290，通过此荧光粉层290，则可控制发光二极管装置200所发出的色光。于第一孔穴231的孔壁上还设置有一金属反射层270，其是用以将发光二极管210所发出的光进行反射。在本实施例中，此金属反射层270为导电薄膜图案240的一部分,其中位于左侧的反射层270为第一导电薄膜图案241的一部分，而位于右侧的反射层270则为第二导电薄膜图案242的一部分。此外，发光二极管装置200还设置有透镜280。通过金属反射层270与透镜280，可达到将光线聚集的效果。在本实施例中，导热薄膜220、导电薄膜图案240、或金属反射层270的主要材质为铜，但除了铜之外，导电薄膜图案240还可包括镍、金、和银或含以上任一成分的合金，以增进导电薄膜图案240的物理性质。发光二极管装置200是设置在一电路载板20上，所述发 光二极管装置200是利用表面黏着技术(surface mount technology)而与电路载板20电性连接。在图I中，发光二极管110是通过导电胶102而固定在基板120上，故发光二极管110所发出的热量需先透过发光二极管110底部的导电胶102后，再透过基板130及位于基板130下的焊锡11而传导至电路载板10上。然而，在图2中，发光二极管210是被绝缘体260与导热薄膜220所固定，故无需使用到导电胶。因此，发光二极管210所发出的热量可以直接透过导热薄膜220与位于其下的焊锡21后便会传导至电路载板20上。因为省去了导电胶的传导过程，故相较于图I的发光二极管110，发光二极管210所发出的热量能较快速地传递到电路载板20上。而且，由于不必另外涂布导电胶，故也可降低成本。请比较图I与图2，由于导热薄膜220厚度小于基板120，故相较于发光二极管装置100，发光二极管装置200具有较佳的散热效率。而且，在本实施例中，反射层270是位于基板230的第一孔穴231中，故不会如发光二极管装置100般有反射件130异位或脱离的现象。此外，由于基板230可保有一定的厚度，故发光二极管装置200仍具有一定的強度。请參照图3A 图3G，图3A 图3G所绘示为图2中的发光二极管装置的制造流程。请參照图3A，首先，提供基板230，于基板230上设置有一第一孔穴231与多个第二孔穴232。再者，请參照图3B，形成绝缘薄膜图案250于基板230上。在本实施例中，绝缘薄膜图案250是利用电镀法、电泳法、或电化学沉积法而形成。所谓电镀法、电泳法、或电化学沉积法是指在基板230上施加一电压，让基板230本身带有正电或负电，而使带有相反电荷的粒子或离子沉积于基板230上。相较于溅镀法、阳极氧化法、或热氧化法，本实施例之制造方法所采用之电镀法、电泳法、或电化学沉积法具有较高的成形速率，故能于较短的时间内形成厚度较厚的绝缘薄膜图案250。在本实施例中，绝缘薄膜图案250的厚度是大于2 μ m,较佳则是大于5 μ m。也因为绝缘薄膜图案250有较大的厚度，故发光二极管装置200之后在使用时较不容易产生介质击穿的现象。另外，在本实施例中，绝缘薄膜图案250的材质为聚合物，例如为环氧树脂、硅胶、聚亚酰胺、或防焊漆。再者，请參照图3C，将基板230倒置，也就是说将基板230的底部朝上，此时基板230是受到一支撑架(未绘示)所支持，且还可使用ー耐高温的胶布(tape，未绘示)将基板230进行固定。之后，请參照图3D，将发光二极管210经由第一孔穴231的底部而置入于第一孔穴231中，且在本实施例中发光二极管210的厚度约等于第一孔穴231的厚度。因此，当发光二极管210置入于第一孔穴231后，其底面约与基板230的底面同高。再者，请參照图3E，使用网板印刷或热压及微影制程或真空压合的方式将绝缘体260涂布于发光二极管210与基板230之间，借此发光二极管210可被初步支持并固定。之后，请參照图3F，利用电镀法或电泳法，形成导热薄膜220、导电薄膜图案240、及金属反射层270于基板230上。在导热薄膜220形成后，发光二极管210便同时被绝缘体260与导热薄膜220所固定住。在本实施例中，导热薄膜220与导电薄膜图案240是同时形成，但本领域技术人员应可明了 导热薄膜220与导电薄膜图案240也是可分别形成地。由于导热薄膜220与导电薄膜图案240是属于相同的材质，且也可共享相同的制程，故可有效地降低成本。接着，请參照图3G，将基板230再一次进行反转，以使基板230的底部朝下，同时 将半导体晶粒210与导电薄膜图案240电性连接，亦即将第一导线211连接于发光二极管210的正极与第一导电薄膜图案241间，并将第二导线212连接于发光二极管210的负极与第二导电薄膜图案242间。另外，还可将荧光粉层290涂布在发光二极管210上。之后，将透镜280安装在发光二极管210的上方，并使用表面黏着技术将发光二极管装置200安装在电路载板20上。此时，便形成了如图2所示之发光二极管装置200。在上述实施例中，之所以要将基板230进行翻转，是为了之后方便涂布绝缘体260，但本领域技术人员也可依据情况而选择不将基板230翻转。请參照图4，图4所绘示为本发明之发光二极管装置的第二实施例。此发光二极管装置300包括ー发光二极管310、ー导热薄膜320、一基板330、多个导电薄膜图案340、多个导电块350、及多个绝缘体360。其中，导热薄膜320是设置于发光二极管310的下表面。基板330的主要材质为铜，于基板330上设置有一第一孔穴331与多个第二孔穴332，且第一孔穴331与第二孔穴332是贯穿基板330。发光二极管310是放置在第一孔穴331中，而导电块350则是设置在第二孔穴332中。在本实施例中，导电块350包括一第一导电块351与一第二导电块352，其分别位于不同的第二孔穴332中。另外，导电薄膜图案340还包括一第一导电薄膜图案341与一第二导电薄膜图案342，其分别位于第一导电块351与第ニ导电块352的上、下表面。其中，发光二极管310上还连接有一第一导线311与一第二导线312，其中第一导线311是连接于发光二极管310的正极与第一导电薄膜图案341间，而第二导线312则是连接于发光二极管310的负极与第二导电薄膜图案342间。于发光二极管310上还涂布有ー荧光粉层390，通过此荧光粉层390，则可控制发光二极管装置300所发出的色光。此外，在本实施例中，第一导电块351及第ニ导电块352并未与基板330电性连接。在第一实施例中，位于基板230上表面的导电薄膜图案240是通过位于第二孔穴232上的导电薄膜图案240,而与位于基板230下表面的导电薄膜图案240相导通。然而，在第三实施例中，位于基板330上表面的导电薄膜图案340则是通过导电块350，而与位于基板330下表面的导电薄膜图案340相导通。也因此，相较于第一实施例之发光二极管装置200，于发光二极管装置300中并未设置绝缘薄膜图案。在第二实施例中，发光二极管310所发出的热量在透过导热薄膜320与位于其下的焊锡31后便会传导至一电路载板30上。相较于图I之发光二极管装置100，发光二极管装置300具有较佳的散热效率。在第一实施例与第二实施例中，基板230，330的主要材质为铜，但本领域技术人员也可使用其他的导体材质，如铝。或者，也可使用半导体材质来作为基板230，330的主要材质，如硅。此外，基板230，330也可为陶瓷基板或PCB基板。此外，本领域技术人员也可考虑不设置金属反射层270，370于基板230，330上。请參照图5A 图5F，图5A 图5F所绘示为图4中之发光二极管装置的制造流程。首先，请參照图5A，提供基板330，于基板330上设置有第一孔穴331与第二孔穴332。再者，请參照图5B，将基板330倒置，也就是说将基板330的底部朝上，此时基板330是受到一支撑架(未绘示)所支持，且还可使用ー耐高温的胶布(tape，未绘示)将基板330进行固定。之后，请參照图5C，将发光二极管310经由第一孔穴331的底部而置入于第一孔穴331中，同时也将导电块350经由第二孔穴332的底部而置入于第二孔穴332中。而且，发光二极管310的厚度与导电块350的厚度约等于基板330的厚度。也就是说，在发光二 极管310与导电块350分别置入于第一孔穴331与第二孔穴332后，其底面与基板330的底面约在同一个水平上。接着，请參照图使用网板印刷或热压及微影制程或真空压合的方式将绝缘体360涂布于发光二极管310与基板330之间，以及导电块350与基板330之间。之后，请參照图5E，形成导热薄膜320、导电薄膜图案340、及金属反射层370于基板330 上。接着，请參照图5F，将基板330进行反转，以使基板330的底部朝下，同时将半导体晶粒310与导电薄膜图案340电性连接，亦即将第一导线311与第二导线312分别连接于发光二极管310的正极与负扱。另外，还可将荧光粉层390涂布在发光二极管310上。最后，将透镜380安装在发光二极管310的上方，并使用表面黏着技术将发光二极管装置300安装在电路载板30上。此时，便完成了如图4所示之发光二极管装置300的制作。在上述之第一实施例与第二实施例所揭露的制造流程中，之所以要将基板230，330进行翻转，是为了之后方便涂布绝缘体260，360，但本领域技术人员也可依据情况而选择不将基板230，330翻转。另外，在上述第一实施例与第二实施例中，只显示出单ー发光二极管装置的制造流程，然而本领域技术人员应可明白此制造流程是多个发光二极管装置同时进行制作，亦即采用晶圆级封装(wafer level package)的方式，以增加生产上的效率。进行晶圆级封装时，若将发光二极管210，310的厚度设计成与第一孔穴231，331的深度相同，并将导电块350的厚度设计成与第二孔穴332的深度相同，则更可増加生产的速度。然而，发光二极管210, 310的厚度也不限于一定要与第一孔穴231, 331的深度相同，同理导电块350的厚度也不需一定需与第二孔穴332的深度相同。在第一实施例中，发光二极管210是以打线的方式分别与第一导电薄膜图案241及第ニ导电薄膜图案242电性连接。在第二实施例中，发光二极管310是以打线的方式分别与第一导电块351与第二导电块352电性连接。然而，发光二极管并不限于用打线的方式与其他组件进行电性连接。请參照图6，图6所绘示为本发明之发光二极管装置的第三实施例之示意图。在本实施例中，发光二极管210’的负极是使用打线的方式与第一导电薄膜图案241电性连接。发光二极管210’的正极则是位于发光二极管210’的下侧，且与导热薄膜220直接接触。也就是说，在本实施例中，导热薄膜220除了有导热功用外，还有导电的功效。另外，导热薄膜220并未与第一导电薄膜图案231电性连接。由于在本实施例中导热薄膜220具有导电的效果，故基板230上便无需设置第二导电薄膜图案，且也只需在第一导电薄膜图案231所覆盖的那ー侧的基板230上设置第一孔穴231。另外，请參照图7，图7所绘示为本发明之发光二极管装置的第四实施例之示意图。在本实施例中，发光二极管310’的负极是使用打线的方式与第一导电块351电性连接，而发光二极管310’的正极则是与导热薄膜320直接接触。也就是说，在本实施例中，发光ニ极管310’的负极与正极是分别设在发光二极管310’的上、下ニ侧，且导热薄膜320除了有导热功用外，还有导电的功效。另外，第一导电块351未与基板330电性连接。由于在本实施例中导热薄膜320具有导电的效果，故便无需设置第二导电块。请參照图8，图8所绘示为本发明之发光二极管装置的第五实施例。相较于图2，发光二极管装置400的基板430并未设置有第二孔穴，其第一导电薄膜图案441与第二导电薄膜图案442除了分布于基板430的上表面与下表面外，还分布在基板430的侧壁上。因 此，位于基板430上表面的导电薄膜图案440是通过位于侧壁上的导电薄膜图案440，而与位于下表面的导电薄膜图案440相导通。在上述之实施例中，发光二极管装置皆只安装ー发光二极管，但本领域技术人员也可依情况安装更多的发光二极管，这些发光二极管可利用并联的方式连接在一起。此外，上述实施例中所描述之发光二极管装置仅为半导体封装结构的其中ー种，但其结构还可应用在其他型态的半导体封装结构上，以增加散热的效率。也就是说，可将上述之实施例中的发光二极管改为其他型态的半导体晶粒，例如雷射ニ极管、太阳能ニ极管、逻辑1C、内存1C、模拟1C、或CMOS影像感测组件。而且，随着所安装之半导体晶粒的不同，导电薄膜图案的个数也会不同。导电薄膜图案的个数主要是取决于半导体晶粒的接脚数，例如接脚的数目若为10个，则导电薄膜图案的个数便有为10个。上述实施例仅是为了方便说明而举例，虽遭所属技术领域的技术人员任意进行修改，均不会脱离如权利要求书中所欲保护的范围。
权利要求
1.一种半导体封装结构,包括 一半导体晶粒； 一导热薄膜，所述导热薄膜设置于所述半导体晶粒的底部； 一基板，所述基板主要是由导电材质或半导体材质所构成，于所述基板上设置有一第一孔穴，所述第一孔穴是贯穿所述基板，所述半导体晶粒是放置在所述第一孔穴中； 多个导电图案，这些导电图案是分布于所述基板上，且这些导电图案彼此并不互相电性连接，且所述导电图案与所述基板并不互相电性连接；及 至少一绝缘体，所述绝缘体连接于所述半导体晶粒与所述基板之间； 其中，所述半导体晶粒与所述导电图案电性连接。
2.如权利要求I所述的半导体封装结构，其中所述半导体晶粒为发光二极管、雷射二极管、太阳能二极管、逻辑1C、内存1C、模拟1C、或CMOS影像感测组件。
3.如权利要求I或2所述的半导体封装结构，还包括多个绝缘薄膜图案，其中所述导电图案为导电薄膜图案，所述导电薄膜图案是分布在所述基板的表面上，而所述绝缘薄膜图案则位于所述导电薄膜图案与所述基板之间。
4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其中所述基板具有多个第二孔穴，于所述第二孔穴的表面上分布有所述导电薄膜图案与所述绝缘薄膜图案。
5.如权利要求3所述的半导体封装结构，其中于所述基板的侧壁上是分布有所述导电薄膜图案与所述绝缘薄膜图案。
6.如权利要求I或2所述的半导体封装结构，其中所述基板具有多个第二孔穴，而所述导电图案为导电块，这些导电块是设置于所述第二孔穴中，且所述绝缘体的个数为多个并分别连接于所述半导体晶粒与所述基板之间及所述基板与所述导电块之间。
7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其中所述导电图案还包括多个导电薄膜图案，这些导电薄膜图案是覆盖于所述导电块的上表面与下表面上。
8.如权利要求I或2所述的半导体封装结构，其中所述半导体晶粒的厚度约等于所述基板的厚度。
9.如权利要求I所述的半导体封装结构，其中所述导热薄膜与所述多个导电图案中的一个导电图案电性相连。
10.如权利要求I或2所述的半导体封装结构，其中所述绝缘体的材质为聚亚酰胺、防焊漆、或永久性光阻。
11.如权利要求I或2所述的半导体封装结构，其中于所述第一孔穴的孔壁上分布有一金属反射层。
12.如权利要求I或2所述的半导体封装结构，其中所述基板主要是由铜、铝或含以上任一成分的合金所构成。
13.如权利要求I或2所述的半导体封装结构，其中所述导电图案主要是由铜、镍、金、和银或含以上任一成分的合金所构成。
14.一种半导体封装结构的制造方法，包括 (a)提供一基板，所述基板主要是由导电材质或半导体材质所构成，于所述基板上设置有一第一孔穴，所述第一孔穴是贯穿所述基板； (b)将一半导体晶粒置入于所述第一孔穴中；(C)于所述半导体晶粒与所述基板之间涂布一绝缘体； (d)于所述基板上形成多个导电图案，这些导电图案彼此并不互相电性连接； (e)形成一导热薄膜，所述导热薄膜位于所述半导体晶粒的底部；及 (f)使所述半导体晶粒与所述导电图案电性连接。
15.如权利要求14所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述半导体晶粒为发光二极管、雷射二极管、太阳能二极管、逻辑1C、内存1C、模拟1C、或CMOS影像感测组件。
16.如权利要求14或15所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述基板还包括多个第二孔穴，于(b)步骤前，还包括下述步骤 将多个绝缘薄膜图案形成于所述基板的表面与所述第二孔穴的表面上； 而且，于(d)步骤中，所述导电图案为导电薄膜图案，所述导电薄膜图案是分布在所述绝缘薄膜图案上。
17.如权利要求16所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述绝缘薄膜图案是利用电镀法、电泳法、或电化学沉积法而形成。
18.如权利要求16所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述导电薄膜图案与所述导热薄膜是同时形成。
19.如权利要求16所述的半导体封装结构的制造方法，其中于(b)步骤前，还包括下述步骤 将多个绝缘薄膜图案形成于所述基板的上表面、下表面及侧壁上； 而且，于(d)步骤中，所述导电图案为导电薄膜图案，所述导电薄膜图案是分布在所述绝缘薄膜图案上。
20.如权利要求14或15所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述基板还包括多个第二孔穴及多个导电块，且于(d)步骤中，将所述导电块置于所述第二孔穴中以形成所述导电图案。
21.如权利要求20所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述导电块的厚度约等于所述第二孔穴的深度。
22.如权利要求20所述的半导体封装结构的制造方法，还包括下述步骤 形成多个导电薄膜图案于所述导电块上。
23.如权利要求14或15所述的半导体封装结构的制造方法，还包括下述的步骤 形成一金属反射层于所述第一孔穴的孔壁。
24.如权利要求14或15所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述半导体晶粒约等于所述第一孔穴的深度。
25.如权利要求14或15所述的半导体封装结构的制造方法，其中于(b)步骤前，还包括下述步骤 将所述基板反转，使所述基板的底部朝上； 而且，于(e)步骤与(f)步骤间，还包括下述步骤 将所述基板再度反转，以使所述基板的底部朝下。
全文摘要
本发明提供一种半导体封装结构与其制造方法，此半导体封装结构包括一半导体晶粒、一导热薄膜、一基板、多个导电薄膜图案、与至少一绝缘体，其中导热薄膜是设置于半导体晶粒的底部，基板主要是由导电材质或半导体材质所构成。此外，于基板上设置有一第一孔穴，所述第一孔穴是贯穿基板，且半导体晶粒是放置在第一孔穴中。导电薄膜图案是分布于基板上，且这些导电薄膜图案彼此并不互相接触。另外，绝缘体则连接于半导体晶粒与基板间。
文档编号H01L23/367GK102683546SQ20111010827
公开日2012年9月19日 申请日期2011年4月28日 优先权日2011年3月9日
发明者吴上义, 蔡佳伦, 钱文正, 黄田昊 申请人:联京光电股份有限公司