专利名称：有机发光装置及其制造方法
技术领域：
提供了一种有机发光装置和一种制造该有机发光装置的方法。
背景技术：
作为自发射器件的有机发光器件具有例如宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度和优异的驱动电压特性的优点，并且可以提供多色的图像。通常，有机发光器件可以包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的有机层。有机层可以包括空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。当在阳极和阴极之间施加电压时，从阳极注入的空穴经HTL移向EML，并且从阴极注入的电子经ETL移向 EML。诸如空穴和电子的载流子在EML中复合，从而产生激子。当激子从激发态回落至基态时，发射光。包括有机发光器件的有机发光装置还可以包括驱动晶体管或开关晶体管。因为有机发光器件因氧和/或湿气而会劣化，所以需要用于有效地密封有机发光器件的密封单元，以实现高质量的有机发光装置。
发明内容
提供了一种有机发光装置，该有机发光装置具有用于防止氧和/或湿气渗透的结构。还提供了一种制造该有机发光装置的方法。根据当前实施例的一方面，提供了一种有机发光装置，所述有机发光装置包括器件基底，包括发光区域和不发光区域；包封基底，覆盖发光区域；第一电极，形成在所述发光区域上，并设置在所述器件基底和所述包封基底之间；有机层，设置在所述包封基底和所述第一电极之间；第二电极，设置在所述有机层和所述包封基底之间；密封构件，围绕所述发光区域；以及第三电极，设置在所述密封构件外侧的不发光区域上，包括围绕所述密封构件的第一部分，并包括与所述第一电极的材料相同的材料。所述第一电极和所述第三电极中的每个可以包括从由金属和导电氧化物组成的组中选择的至少一种材料。所述第一电极和所述第三电极中的每个可以包括氧化铟锡(ITO)。所述密封构件可以包括粘合剂和玻璃料中的至少一种。所述密封构件可以包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种〈式1>F- [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c_ [Q4-O] d_ [Q5] e_ [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g，其中，A是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团;Q2 是由-C(R3) (R4)-C(R5) (R6)-C(R7)(R8)-表示的二价基团A是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12)-表示的二价基团A是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团处是由-C (R15) (R16)-表示的二价基团氓至R16均独立地选自于由 H、-F、-CH3、-CH2F、-chf2和-CF3组成的组J1是二价有机基团J1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基；Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基；a和e 均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，并排除b、c和d均为0 的情况；f是0至10的整数；以及g是0至3的整数。所述密封构件可以顺序地包括第一密封构件层、第二密封构件层和第三密封构件层，所述第一密封构件层和所述第三密封构件层中的每个可以包括粘合剂，所述第二密封构件层可以包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种。所述密封构件的侧表面与所述第三电极的所述第一部分的侧表面可以彼此接触。当所述第一电极的最大厚度为L1，且所述第三电极的所述第一部分的最大厚度为
1^2 ff^i" ？ L^ 1^2 ο当所述第三电极的所述第一部分的最大厚度为L2，且所述密封构件的最大厚度为 L3 时，L2 ^ L3。所述器件基底和所述包封基底之间的空间可以是真空空间。所述有机发光装置还可以包括设置在所述器件基底与所述包封基底之间的空间中的吸湿层。填料可以填充所述器件基底与所述包封基底之间的空间。所述填料可以包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种。所述密封构件与所述第三电极的所述第一部分可以彼此隔开，所述密封构件与所述第三电极的所述第一部分之间的空间可以填充有第一层，所述第一层可以包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种。当所述密封构件的最大厚度为L3,且所述第一层的最大厚度为L4时，L3 ( L4。所述第三电极可以具有从所述第三电极的所述第一部分朝所述密封构件延伸的第二部分，并且所述第三电极的所述第二部分可以位于所述密封构件和所述器件基底之间。当所述第三电极的所述第一部分的最大厚度为L2，且所述第三电极的所述第二部分的最大厚度为L5时，L2 ^ L50所述器件基底可以包括与所述密封构件对应的孔，所述密封构件可以设置在所述孔中。根据当前实施例的另一方面，提供了一种制造有机发光装置的方法，所述方法包括准备包括发光区域和不发光区域的器件基底；在所述发光区域中形成第一电极，并在所述不发光区域中形成包括第一部分且由与所述第一电极的材料相同的材料形成的第三电极；在所述第一电极上形成有机层；在所述有机层上形成第二电极，以及通过将包封基底与所述器件基底组装使得所述包封基底覆盖所述发光区域，并向所述第三电极内侧的不发光区域提供密封构件以围绕所述发光区域，来将所述器件基底和所述包封基底彼此附
所述第一电极和所述第三电极中的每个可以包括从由金属和导电氧化物组成的组中选择的至少一种材料。所述第一电极和所述第三电极中的每个可以包括ΙΤ0。将所述器件基底和所述包封基底彼此附着的步骤中的提供所述密封构件的步骤可包括以下步骤中的至少一个在所述器件基底和所述包封基底之间提供粘合剂前驱体， 并使所述粘合剂前驱体固化；在所述器件基底和所述包封基底之间提供玻璃料前驱体，并执行热处理；以及在所述器件基底和所述包封基底之间提供由式1表示的基于硅的化合物。所述方法还可以包括以下步骤中的至少一个在所述器件基底和所述包封基底之间的空间中产生真空；向所述器件基底和所述包封基底之间的所述空间提供吸湿层；以及向所述器件基底和所述包封基底之间的所述空间提供填料。所述方法还可以包括在将所述器件基底和所述包封基底彼此附着之后，向所述密封构件和所述第三电极的所述第一部分之间的空间提供第一层，第一层包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种。形成所述第一电极和所述第三电极的步骤还可以包括另外形成从所述第三电极的所述第一部分朝所述密封构件延伸的第二部分。准备包括所述发光区域和所述不发光区域的所述器件基底的步骤还可以包括在所述器件基底的所述不发光区域中形成与所述密封构件对应的孔。
通过参照附图详细描述当前实施例的示例实施例，当前实施例的以上和其它特征及优点将变得更加明显，在附图中图IA是示出根据实施例的有机发光装置的剖视图(沿图IB的1-1’线截取的剖视图)；图IB是图IA的有机发光装置的平面图，其中，未示出包封基底、第二电极、有机层和绝缘层；图2是根据实施例的密封构件的剖视图；图3A至图3D是顺序地示出根据实施例的制造图IA的有机发光装置的方法的剖视图；图4A是示出根据另一实施例的有机发光装置的剖视图(沿图4B的1_1’线截取的剖视图)；图4B是图4A的有机发光装置的平面图，其中，未示出包封基底、第二电极、有机层和绝缘层；图5是示出根据另一实施例的有机发光装置的剖视图；图6A至图6D是顺序地示出根据另一实施例的制造图5的有机发光装置的方法的剖视图；图7是示出根据另一实施例的有机发光装置的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述当前实施例，在附图中示出了示例实施例。图IA是示出根据实施例的有机发光装置的剖视图(沿图IB的1-1’线截取的剖视图)。图IB是图IA的有机发光装置的平面图，其中，未示出包封基底30、第二电极27、有机层25和绝缘层23。参照图IA和图1B，有机发光装置包括器件基底10、包封基底30、第一电极21、绝缘层23、有机层25、第二电极27、密封构件50和第三电极40，第三电极40包括第一部分 40a。第一电极21、绝缘层23、有机层25和第二电极27可以构成有机发光器件20。同时， 有机发光装置包括位于器件基底10和包封基底30之间的空间60。器件基底10可以是在传统的有机发光装置中使用的任何基底，其可以是具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整性、处理便利性和耐水性的玻璃基底或透明塑料基底。例如，器件基底10可以包括无机材料(例如，主要由SiO2形成的透明玻璃材料) 或绝缘有机材料(例如，透明塑性材料)。绝缘有机材料可以选自于由例如聚醚砜(PES)、 聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)组成的组，但当前实施例不限于此。如果图IA的有机发光装置是从有机发光器件20朝向器件基底10发射光的底部发射装置，则器件基底10可以包括透明材料。然而，如果图IA的有机发光装置是从有机发光器件20沿着背对器件基底10的方向发射光的顶部发射装置，则器件基底10可以包括不透明材料。在后一种情况下，器件基底10可以包括金属。如果器件基底10包括金属，则器件基底10可以包括从由碳、铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、不胀钢合金、铬镍铁合金和科伐合金组成的组中选择的至少一种材料，但当前实施例不限于此。虽然在图IA中未示出，但可以在器件基底10的顶表面上形成用于使器件基底10 平坦化并防止杂质渗透的缓冲层(未示出)。器件基底10包括发光区域A和不发光区域(除了图IB中的发光区域“A”之外的区域)。包封基底30可以被设置为面对器件基底10。包封基底30可以被形成为覆盖发光区域A。包封基底30可以包括各种材料。对于与包封基底30的材料有关的信息，参考器件基底10的上述材料。有机发光器件20设置在器件基底10和包封基底30之间。有机发光器件20可以包括第一电极21、绝缘层23和第二电极27。第一电极21可以是阳极(空穴注入电极)，并且可以使用具有高逸出功的材料通过沉积或溅射来形成第一电极21。第一电极21可以包括从由金属和导电氧化物组成的组中选择的至少一种材料。例如，第一电极21可以包括金属，选自于银(Ag)、镁(Mg)、 铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和两种或更多种金属的组合；或者导电氧化物，选自于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(SiO)和氧化铟 (In2O3)。可选地，第一电极21可以包括金属和导电氧化物的组合(例如，混合物或多层结构)。例如，第一电极21可以包括ΙΤ0，但当前实施例不限于此。绝缘层23可以用作像素限定层。绝缘层23可以包括普通的绝缘材料。例如，绝缘层23可以包括氧化硅或氮化硅，但当前实施例不限于此。有机层25可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。稍后将解释有机层25的每个层。第二电极27可以是阴极(电子注入电极)，并可以包括具有相对低的逸出功的金属、合金、导电化合物或它们的混合物。这样的材料的示例包括锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、 铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)和镁-银(Mg-Ag)。可选地，第二电极27可以包括ITO或ΙΖ0，以实现顶部发射发光器件。如上所述，有机发光器件20设置在器件基底10和包封基底30之间，并且器件基底10和包封基底30可以通过围绕发光区域A的密封构件50彼此附着。密封构件50可以包括粘合剂材料，从而将器件基底10附着到包封基底30。另外，为了防止外部的氧和/或湿气渗入包封基底30和器件基底10之间的空间60中，密封构件50可以具有防湿气和/ 或氧的特性。密封构件50可以包括粘合剂和玻璃料中的至少一种。粘合剂可以包括有机粘合剂、无机粘合剂和有机/无机复合粘合剂中的至少一种。粘合剂可以是粘合剂前躯体(例如，用于形成粘合剂的单体)的固化物(例如，交联物)。有机粘合剂的示例可以包括基于丙烯酸的树脂、基于甲基丙烯酸的树脂、聚异戊二烯、基于乙烯基的树脂、基于环氧的树脂、基于氨酯的树脂和基于纤维素的树脂。基于丙烯酸的树脂的示例可以包括丙烯酸丁酯和丙烯酸乙基己酯。基于甲基丙烯酸的树脂的示例可以包括甲基丙烯酸丙二醇酯和甲基丙烯酸四氢糠酯。基于乙烯基的树脂的示例可以包括乙烯基乙酸酯和N-乙烯基吡咯烷酮。基于环氧的树脂的示例可以包括脂环族环氧化物、环氧丙烯酸酯和基于乙烯基环氧的树脂。基于氨酯的树脂的示例可以包括氨酯丙烯酸酯。基于纤维素的树脂的示例可以包括硝酸纤维素。然而，当前实施例不限于此。无机粘合剂的示例可以包括二氧化钛、氧化硅、氧化锆和氧化铝。有机/无机复合粘合剂的示例可以包括3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷或其聚合物；环氧硅酸酯(盐)；乙烯基硅烷(例如，乙烯基三乙氧基硅烷)或其聚合物；胺硅烷或其衍生物(例如，3-氨基丙基三乙氧基硅烷)或其聚合物；甲基丙烯酸酯硅烷(例如，甲基丙烯酸3-(三甲氧基甲硅烷基)丙酯)或其聚合物；芳基硅烷或其衍生物(例如，苯基硅烷)或其聚合物，但当前实施例不限于此。可以通过对玻璃料前驱体执行热处理(例如，熔化)来获得玻璃料。玻璃料前驱体可以是各种金属氧化物和非金属氧化物中的任一种。可以通过使用例如激光束对玻璃料前驱体执行热处理，但当前实施例不限于此。同时，密封构件50可以包括由式1表示的基于硅的化合物和基于硅的化合物的固化物中的至少一种〈式1> F- [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c_ [Q4-O] d_ [Q5] e_ [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g
其中，Q1是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团；
Q2 是由-C (R3) (R4) -C (R5) (R6) -C (R7) (R8)-表示的二价基团；Q3 是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12) _ 表示的二价基团；Q4是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团；Q5是由-C(R15) (R16)-表示的二价基团；R1至R16均独立地选自于由H、-F、-CH3> _CH2F、-CHF2和-CF3组成的组；Y1是二价有机基团；Z1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基；Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基；
a和e均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，并且排除b、c和d均为0的情况；f是0至10的整数；g是0至3的整数。在式1中，Gl1可以是由-CF2-、-CHF-、-CF(Cig-或-C(CF3)2-表示的二价基团。例如，Q1可以为-CF2-。a可以为1至5的整数，例如2、3或4，但当前实施例不限于此。如果 a为2或更大，则至少两个A可以相同或不同。例如，在式1中，"F-KlJa-"可以为CF3CF2CF2-,但当前实施例不限于此。在式1 中，化可以是由-CF2CF2CF2-、-CF(Ci73)CF2CF2-、-CF2CF2CH2-或-CH2CF2CHF-表示的二价基团。例如，％可以为-CF2CF2CF2-或-CF2CF2CH2-O b可以为0至50的整数，例如 0至31的整数，但当前实施例不限于此。如果b为2或更大，则至少两个A可以相同或不同。例如，在式1中，b可以为0。可选地，在式1中，“-[Q2_0]b-”可以为-(CF2CF2CF2O) 21CF2CF2CH20-、- (CF2CF2CF2O) 30CF2CF2CH20_、- (CF2CF2CF2O) 21_、- (CF2CF2CF2O) nCF2CF2CH20_ 或-(CF 2CF2CF20) η-,但当前实施例不限于此。在式1 中，Q3 可以是由-CF2CF2-、-CFO^F3) CF2-、-CF2CH2-、-CWCF3) CH2-或-CH2CHF-表示的二价基团。c可以为0至20的整数，例如0至10的整数，或者例如 1至6的整数，但当前实施例不限于此。如果c为2或更大，则至少两个( 可以相同或不同。例如，在式1中，c可以为0。可选地，在式1中，“-Κ 3-0]。-”可以为-CF(CF3) CH2O-, - [CF (CF3) CF2O] 3_、- [CF (CF3) CF2O] 3CF (CF3) CH2O-, - [CF (CF3) CF2O] 4CF (CF3) CH2O-或-[CF(CF3)CF2OJ5CF(CF3)CH2O-,但当前实施例不限于此。在式1中，仏可以是由-CF2-、-CF(CF3) _、-CHF-或-CH(CF3)-表示的二价基团。d 可以为0至20的整数，例如0至10的整数，但当前实施例不限于此。如果d为2或更大， 则至少两个Q4可以相同或不同。例如，在式1中，d可以为0。可选地，在式1中，“-[Q4-O] d-”可以为-(CF2O) 10_，但当前实施例不限于此。在式1 中，A 可以是由-CH2-、-CF2-、-CF(CF3)_、-CHF-或-CH(CF3)-表示的二价基团。e可以为1至20的整数，例如1至10的整数，或者例如1至3的整数，但当前实施例不限于此。如果e为2或更大，则至少两个％可以相同或不同。例如，在式1 中，“4Q5]e-”可以为-CH2CH2CH2-、-CF2CF2-或 _CF(CF3)-，但当前实施例不限于此。
在式1中，Y1可以是从由-CONH-^-Si(R20) (R21) _、C2-C2tl亚烷基(例如，亚乙基、亚丙基、亚丁基或亚戊基)和取代有至少一个-F的C2-C^1亚烷基组成的组中选择的二价基团。 这里，‘和R21可以均独立地选自于由C1-Cltl烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基)、取代有至少一个F的C1-Cltl烷基、C1-Cltl烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基)和取代有至少一个F WC1-Cltl烷氧基组成的组。f可以为0至5的整数。当 Y1包括-F时，Y1可以包括至少两个-F，例如至少5个-F。在式1中，f可以为0。可选地，在式1中，“-[Yjf_”可以为-COnH-CH2CH2CH2-、-S i (Me) 2-Si (OMe) 2_CH2CH2-或-CONH-CH2CH2CH2-Si (Me) 2_Si (OMe) 2-CH2CH2-，但当前实施例不限于此。(在上面中，Me是甲基。)在式1中，乙可以为C1-Cltl烷基或取代有至少一个-F的C1-Cltl烷基。例如，Z1可以为甲基、乙基、丙基、丁基或戊基。当&包括-F时，Z1可以包括至少两个-F，例如至少5 个-F。在式1中，&可以为C1-Cltl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-Cltl烷氧基。例如， 4可以为甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。当包括-F时，4可以包括至少两个-F，例如至少5个-F。在式1中，g可以为0、1、2或3。例如，g可以为0。例如，在式1中，Gl1可以是由-CF2-、-CHF-、-CF (CF3)-或-C (CF3) 2-表示的二价基团；a可以是2、3或4; 可以是由-CF2CF2CF2-或-CF2CF2CH2-表示的二价基团；b可以是0至31的整数处可以是由-CF2CF2-、-CF (Ci73) CF2-、-CF2CH2-、-CF (Ci73) CH2-或-CH2CHF-表示的二价基团；c 可以是 0 至10的整数处可以是由-CF2-、-CF (CF3)-、-CHF-或-CH(CF3)-表示的二价基团；d可以是 0至10的整数处可以是由-CH2-、-CF2-、-CF (CF3)-、-CHF-或-CH (CF3)-表示的二价基团； e 可以是 1 至 10 的整数；-[YJf-可以是-C0NH-CH2CH2CH2-、-Si (Me)2-Si (OMe) 2_CH2CH2-或-C ONH-CH2CH2CH2-Si (Me)2-Si (OMe)2-CH2CH2-(Me =甲基)而可以是甲基、乙基、丙基、丁基或戊基；Z2可以是甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊基氧；g可以是0或1。密封构件50可以包括基于硅的化合物。可以考虑式1的结构来选择用于固化由式1表示的基于硅的化合物的条件。同时，当形成密封构件50时，根据是否提供热、交联催化剂等，可以形成基于硅的化合物的交联的固化物。因此，密封构件50可以包括基于硅的化合物的固化物。可选地，密封构件50可以包括基于硅的化合物和基于硅的化合物的固化物两者。同时，根据形成密封构件50时的条件，可以在稍后将进行说明的密封构件50的接触器件基底10的区域、密封构件50的接触包封基底30的区域、密封构件50的接触第三电极40的第一部分40a的区域和/或密封构件50的接触第三电极240的第二部分MOb的区域中另外形成自组装单层(SAM)。可以通过基于硅的化合物的&与可存在于器件基底10、 包封基底30、第三电极40的第一部分40a和/或第三电极MO的第二部分MOb中的亲水基团(例如，-0H)之间的反应来形成SAM。SAM可以包括由式Ia表示的部分(moiety)〈式la>F- [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c_ [Q4-O] d_ [Q5] e_ [Y1] f_Si (Z1) h(Z2) 2_h_*。对于关于由式la表示的部分的信息，参考式1。在式Ia中，h是0至2的整数，* 是与由基于硅的化合物形成SAM的区域的表面的结合位。例如，在式Ia中，*是与器件基底10的表面、包封基底30的表面、第三电极40的第一部分40a的表面和/或第三电极240 的第二部分MOb的表面的结合位。密封构件50可包括由式1表示的基于硅的化合物和基于硅的化合物的固化物 (可选地，由基于硅的化合物形成的SAM)中的至少一种，密封构件50包括其中什么样的组合可以根据形成密封构件50时的条件而改变。基于硅的化合物可以提供非常低的表面能。因此，因为包括由式1表示的基于硅的化合物和基于硅的化合物的固化物(可选地，由基于硅的化合物形成的SAM)中的至少一种的密封构件50的暴露于外部的表面具有低表面能，所以湿气和/或氧不会使自身附着到密封构件50的该表面。因此，可以防止湿气和/或氧透过密封构件50。密封构件50可以具有包括两种或更多种材料的多层结构。例如，如图2中所示，密封构件50可以包括从器件基底10(或从稍后将描述的第三电极MO的第二部分240b)顺序地堆叠的第一密封构件层51b、第二密封构件层53和第三密封构件层51a。第一密封构件层51b和第三密封构件层51a中的每个可以包括上述粘合剂。第二密封构件层53可以包括由式1表示的基于硅的化合物和基于硅的化合物的固化物(可选地，由基于硅的化合物形成的SAM)中的至少一种。第三电极40设置在密封构件50外侧的不发光区域上。在图IA中，第三电极40 包括围绕密封构件50的第一部分40a。第一电极21和第三电极40由相同的材料形成。例如，第一电极21和第三电极40均可以包括ΙΤ0，但当前实施例不限于此。密封构件50的侧表面和第三电极40的第一部分40a的侧表面彼此接触。因此， 可以充分地防止氧和/或湿气通过密封构件50的侧表面渗透到包封基底30和器件基底10 之间的空间60中，由此防止有机发光器件20因氧和/或湿气而劣化。与第一电极21和第二电极27不同，第三电极40可以是不与电源连接的“浮置电极”。第一电极21的最大厚度L1和第三电极40的第一部分40a的最大厚度L2可以具 W L1 = L2的关系。同时，第三电极40的第一部分40a的最大厚度L2和密封构件50的最大厚度L3可以具有L2 ^ L3的关系。这里，因为第三电极40的第一部分40a的与密封构件50接触的部分具有最大厚度L2,所以密封构件50的侧表面不会暴露于外部。因此，可以有效地防止氧和/或湿气通过密封构件50的侧表面渗透到包封基底30和器件基底10之间的空间60 中，由此防止有机发光器件20因湿气和/或氧而劣化。器件基底10和包封基底30之间的空间60可以是真空空间。可选地，在器件基底10和包封基底30之间的空间60中还可以包括吸湿层(在图 IA中未示出)。吸湿层可以位于包封基底30的底表面或密封构件50的内侧上。吸湿层可以吸收在器件基底10和包封基底30之间的空间60中存在的氧和/或湿气，即便氧和/或湿气是少量的。为此，吸湿层可以包括平均直径为IOOnm或更小的金属氧化物。金属氧化物可以是碱金属氧化物或碱土金属氧化物。碱金属氧化物的示例可以包括氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)和氧化钾(K2O),碱土金属氧化物的示例可以包括氧化钡 (BaO)、氧化钙(CaO)和氧化镁(MgO)，但当前实施例不限于此。
可选地，吸湿层还可以包括粘结剂和分散剂。可选地，填料(在图IA中未示出)可以填充器件基底10和包封基底30之间的空间60。因此，器件基底10和包封基底30之间的空间60被有机发光器件20和填料完全填充，并且器件基底10和包封基底30之间不会存在空的空间。填料可以是具有预定的可见光透射率的材料，从而基本上不与有机发光器件20 的材料反应，并能够使从有机发光器件20发射的光有效地出射到外部。例如，填料可以是硅树脂、环氧树脂等。同时，填料可以包括由式1表示的基于硅的化合物和基于硅的化合物的固化物 (可选地，由基于硅的化合物形成的SAM)中的至少一种。上面已经描述了式1，这里将不再描述式1。因为基于硅的化合物具有低的表面能，所以如果使用由式1表示的基于硅的化合物作为填料，则可以防止在器件基底10和包封基底30之间存在的湿气和/或氧(即便其是少量的)到达有机发光器件20。因此，可以有效地防止有机发光器件20因湿气和/或氧而劣化，由此可以实现具有长寿命的有机发光装置。现在将参照图3A至图3D解释制造在图IA和图IB中示出的有机发光装置的方法。首先，准备包括发光区域和不发光区域的器件基底10。器件基底10可以包括驱动晶体管或开关晶体管。接下来，如图3A中所示，在器件基底10的发光区域中形成第一电极21，并在器件基底10的不发光区域中形成包括第一部分40a的第三电极40。在这种情况下，可以同时形成第三电极40和第一电极21。例如，可以通过在器件基底10的发光区域和不发光区域中形成ITO层并同时图案化出第一电极21和第三电极40来同时形成均由ITO形成的第一电极21和第三电极40。可选地，可以通过使用包括第一电极21和第三电极40的图案的掩模在器件基底10上沉积ITO来同时形成均由ITO形成的第一电极21和第三电极40。在这种情况下，第一电极21的厚度L1和第三电极40的厚度L2可以相同。根据该方法，因为当形成第一电极21时也形成第三电极40，所以不需要形成第三电极40的单独的工艺。因此，可以在低成本下用简便易行的方式执行制造有机发光装置的方法。可以通过公知的方法(例如，激光蚀刻、湿蚀刻或使用包括预定图案的掩模的沉积)形成第一电极21和第三电极40。接下来，如图:3B中所示，顺序地形成在第一电极21的两端形成的绝缘层23、有机层25和第二电极27，由此形成有机发光器件20。现在将解释包含在有机层25中的每个层的材料和形成方法。可以通过诸如真空沉积、旋涂、浇铸或Langmuir-Blodgett(LB)沉积的公知方法形成HIL。如果通过真空沉积形成HIL，则沉积条件可根据用于形成HIL的目标化合物以及将形成的HIL的结构和热特性而改变。例如，沉积条件可以包括大约100°C至大约500°C的沉积温度、大约10,托至大约10_3托的真空度和大约0. 01 A /秒至100 k /秒的沉积速率。同时，如果通过旋涂形成HIL，则涂覆条件可根据用于形成HIL的目标化合物以及将形成的HIL的结构和热特性而改变。例如，涂覆条件可以包括大约2000rpm至5000rpm的涂覆速度和大约80°C至200°C的热处理温度(在涂覆之后由此去除溶剂)。
HIL可以包括通常用于形成HIL的任何材料。可用于形成HIL的材料的示例包括酞菁化合物(例如，铜酞菁)、4，4'，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA，见下式)、N，N，_ 二(1-萘基)-N，N，- 二苯基联苯胺(NPB)、TDATA (见下式)、2T-NATA (见下式)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚3，4_乙撑二氧噻吩/聚4-苯乙烯磺酸盐 (PED0T/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚4-苯乙烯磺酸盐(PANI/PSS)，
但当前实施例不限于此。
权利要求
1.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括 器件基底，包括发光区域和不发光区域； 包封基底，覆盖发光区域；第一电极，形成在所述发光区域上，并设置在所述器件基底和所述包封基底之间； 有机层，设置在所述包封基底和所述第一电极之间； 第二电极，设置在所述有机层和所述包封基底之间； 密封构件，围绕所述发光区域；以及第三电极，设置在所述密封构件外侧的不发光区域上，包括围绕所述密封构件的第一部分，并包括与所述第一电极的材料相同的材料。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一电极和所述第三电极中的每个包括金属和导电氧化物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一电极和所述第三电极中的每个包括氧化铟锡。
4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述密封构件包括粘合剂和玻璃料中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述密封构件包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种〈式1>F— [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c- [Q4-O] d- [Q5] e- [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g，其中，Q1是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团；Q2 是由-C(R3) (R4)-C(R5) (R6)-C(R7) (R8)-表示的二价基团；Q3 是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12)-表示的二价基团；Q4是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团；Q5是由-C(R15) (R16)-表示的二价基团；R1至R16均独立地选自于由H、-F、-CH3> -CH2F, -CHF2和-CF3组成的组； Y1是二价有机基团；Z1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基； Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基； a和e均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，其中，b、c和d不均为0 ； f是0至10的整数；以及 g是0至3的整数。
6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述密封构件顺序地包括第一密封构件层、第二密封构件层和第三密封构件层，其中，所述第一密封构件层和所述第三密封构件层中的每个包括粘合剂，所述第二密封构件层包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种；〈式1>F- [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c- [Q4-O] d- [Q5] e- [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g， 其中，Q1是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团；Q2 是由-C(R3) (R4)-C(R5) (R6)-C(R7) (R8)-表示的二价基团；Q3 是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12)-表示的二价基团；Q4是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团；Q5是由-C(R15) (R16)-表示的二价基团；R1 至 R16 均独立地为 H、-F、-CH3> -CH2F, -CHF2 或-CF3 ；Y1是二价有机基团；Z1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基； Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基； a和e均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，其中，b、c和d不均为0 ； f是0至10的整数；以及 g是0至3的整数。
7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述密封构件的侧表面与所述第三电极的所述第一部分的侧表面彼此接触。
8.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，当所述第一电极的最大厚度为L1，且所述第三电极的所述第一部分的最大厚度为L2时，L1 = L2。
9.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，当所述第三电极的所述第一部分的最大厚度为L2，且所述密封构件的最大厚度为L3时，L2 ^ L3。
10.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述器件基底和所述包封基底之间的空间是真空空间。
11.根据权利要求1所述的有机发光装置，所述有机发光装置还包括设置在所述器件基底与所述包封基底之间的空间中的吸湿层。
12.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，填料填充所述器件基底与所述包封基底之间的空间。
13.根据权利要求12所述的有机发光装置，其中，所述填料包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种〈式1>F— [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c- [Q4-O] d- [Q5] e- [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g，其中，Q1是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团；Q2 是由-C(R3) (R4)-C(R5) (R6)-C(R7) (R8)-表示的二价基团；Q3 是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12)-表示的二价基团；Q4是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团；Q5是由-C(R15) (R16)-表示的二价基团；R1 至 R16 均独立地为 H、-F、-CH3> -CH2F, -CHF2 或-CF3 ；Y1是二价有机基团；Z1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基； Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基； a和e均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，其中，b、c和d不均为0 ；f是0至10的整数；以及 g是0至3的整数。
14.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述密封构件与所述第三电极的所述第一部分彼此隔开，所述密封构件与所述第三电极的所述第一部分之间的空间填充有第一层，所述第一层包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种〈式1>F- [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c- [Q4-O] d- [Q5] e- [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g，其中，Q1是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团；Q2 是由-C(R3) (R4)-C(R5) (R6)-C(R7) (R8)-表示的二价基团；Q3 是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12)-表示的二价基团；Q4是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团；Q5是由-C(R15) (R16)-表示的二价基团；R1 至 R16 均独立地为 H、-F、-CH3> -CH2F, -CHF2 或-CF3 ；Y1是二价有机基团；Z1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基； Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基； a和e均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，其中，b、c和d不均为0 ； f是0至10的整数；以及 g是0至3的整数。
15.根据权利要求14所述的有机发光装置，其中，当所述密封构件的最大厚度为L3，且所述第一层的最大厚度为L4时，L3 ^ L4。
16.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第三电极具有从所述第三电极的所述第一部分朝所述密封构件延伸的第二部分，并且所述第三电极的所述第二部分位于所述密封构件和所述器件基底之间。
17.根据权利要求16所述的有机发光装置，其中，当所述第三电极的所述第一部分的最大厚度为L2，且所述第三电极的所述第二部分的最大厚度为L5时，L2 ^ L5。
18.根据权利要求16所述的有机发光装置，其中，所述密封构件与所述第三电极的所述第一部分彼此隔开，所述密封构件和所述第三电极的所述第一部分之间的空间填充有第一层，所述第一层包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种〈式1>F— [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c- [Q4-O] d- [Q5] e- [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g，其中，Q1是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团；Q2 是由-C(R3) (R4)-C(R5) (R6)-C(R7) (R8)-表示的二价基团；Q3 是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12)-表示的二价基团；Q4是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团；Q5是由-C(R15) (R16)-表示的二价基团；R1 至 R16 均独立地为 H、-F、-CH3> -CH2F, -CHF2 或-CF3 ； Y1是二价有机基团；Z1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基； Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基； a和e均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，其中，b、c和d不均为0 ； f是0至10的整数；以及 g是0至3的整数。
19.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述器件基底包括与所述密封构件对应的孔，所述密封构件设置在所述孔中。
20.一种制造有机发光装置的方法，所述方法包括 准备包括发光区域和不发光区域的器件基底；在所述发光区域上形成第一电极，并在所述不发光区域上形成包括第一部分且包括与所述第一电极的材料相同的材料的第三电极； 在所述第一电极上形成有机层； 在所述有机层上形成第二电极，以及通过将包封基底与所述器件基底组装使得所述包封基底覆盖所述发光区域，并向所述第三电极内侧的不发光区域提供密封构件以围绕所述发光区域，来将所述器件基底和所述包封基底彼此附着。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一电极和所述第三电极中的每个包括从由金属和导电氧化物组成的组中选择的至少一种材料。
22.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一电极和所述第三电极中的每个包括氧化铟锡。
23.根据权利要求20所述的方法，其中，将所述器件基底和所述包封基底彼此附着的步骤中的提供所述密封构件的步骤包括以下步骤中的至少一个在所述器件基底和所述包封基底之间提供粘合剂前驱体，并使所述粘合剂前驱体固化；在所述器件基底和所述包封基底之间提供玻璃料前驱体，并执行热处理；以及在所述器件基底和所述包封基底之间提供由式1表示的基于硅的化合物〈式1>F- [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c- [Q4-O] d- [Q5] e- [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g，其中，Q1是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团；Q2 是由-C(R3) (R4)-C(R5) (R6)-C(R7) (R8)-表示的二价基团；Q3 是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12)-表示的二价基团；Q4是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团；Q5是由-C(R15) (R16)-表示的二价基团；R1 至 R16 均独立地为 H、-F、-CH3> -CH2F, -CHF2 或-CF3 ；Y1是二价有机基团；Z1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基； Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基；a和e均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，其中，b、c和d不均为0 ； f是0至10的整数；以及 g是0至3的整数。
24.根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括以下步骤中的至少一个在所述器件基底和所述包封基底之间的空间中产生真空；向所述器件基底和所述包封基底之间的所述空间提供吸湿层；以及向所述器件基底和所述包封基底之间的所述空间提供填料。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述填料包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种〈式1>F— [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c- [Q4-O] d- [Q5] e- [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g，其中，Q1是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团；Q2 是由-C(R3) (R4)-C(R5) (R6)-C(R7) (R8)-表示的二价基团；Q3 是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12)-表示的二价基团；Q4是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团；Q5是由-C(R15) (R16)-表示的二价基团；R1 至 R16 均独立地为 H、-F、-CH3> -CH2F, -CHF2 或-CF3 ；Y1是二价有机基团；Z1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基； Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基； a和e均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，其中，b、c和d不均为0 ； f是0至10的整数；以及 g是0至3的整数。
26.根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括在将所述器件基底和所述包封基底彼此附着之后，向所述密封构件和所述第三电极的所述第一部分之间的空间提供第一层，所述第一层包括由式1表示的基于硅的化合物和所述基于硅的化合物的固化物中的至少一种〈式1>F— [Q1] a-0- [Q2-O]b- [Q3-O] c- [Q4-O] d- [Q5] e- [Y1] f_Si (Z1) g (Z2) 3_g，其中，Q1是由-C(R1) (R2)-表示的二价基团；Q2 是由-C(R3) (R4)-C(R5) (R6)-C(R7) (R8)-表示的二价基团；Q3 是由-C(R9) (R10)-C(R11) (R12)-表示的二价基团；Q4是由-C(R13) (R14)-表示的二价基团；Q5是由-C(R15) (R16)-表示的二价基团；R1至R16均独立地选自于由H、-F、-CH3> -CH2F, -CHF2和-CF3组成的组； Y1是二价有机基团；Z1是C1-C3tl烷基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷基； Z2是C1-C3tl烷氧基或取代有至少一个-F的C1-C3tl烷氧基；a和e均独立地为1至20的整数；b、c和d均独立地为0至200的整数，其中，b、c和d不均为0 ； f是0至10的整数；以及 g是0至3的整数。
27.根据权利要求20所述的方法，其中，形成所述第一电极和所述第三电极的步骤还包括另外形成从所述第三电极的所述第一部分朝所述密封构件延伸的第二部分。
28.根据权利要求20所述的方法，其中，准备包括所述发光区域和所述不发光区域的所述器件基底的步骤还包括在所述器件基底的所述不发光区域中形成与所述密封构件对应的孔。
全文摘要
提供了一种有机发光装置和一种制造该有机发光装置的方法。该有机发光装置包括器件基底，包括发光区域和不发光区域；包封基底，覆盖发光区域；第一电极，形成在所述发光区域上，并设置在所述器件基底和所述包封基底之间；有机层，设置在所述包封基底和所述第一电极之间；第二电极，设置在所述有机层和所述包封基底之间；密封构件，围绕所述发光区域；以及第三电极，设置在所述密封构件外侧的不发光区域上，包括围绕所述密封构件的第一部分，并包括与所述第一电极的材料相同的材料。
文档编号H01L27/32GK102332464SQ201110199190
公开日2012年1月25日 申请日期2011年7月12日 优先权日2010年7月12日
发明者姜皓文, 李雅蘫, 韩官荣 申请人:三星移动显示器株式会社