有机电场发光元件用材料及使用其的有机电场发光元件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种使用碳棚烧化合物作为有机电场发光元件用材料的有机电场发 光元件，详细而言设及一种对包含有机化合物的发光层施加电场而放出光的薄膜型装置 (device)。
【背景技术】
[0002] 一般情况下，有机电场发光元件（W下称为有机电致发光(electrofluorescence， EU元件），其最简单的结构包含发光层及夹持所述层的一对对向电极。即，在有机化元件中 利用如下现象:若在两电极间施加电场，则自阴极注入电子，自阳极注入空穴，运些在发光 层中再结合而放出光。
[0003] 近年来，开始进行使用有机薄膜的有机化元件的开发。特别是为了提高发光效率， W提高自电极注入载流子的效率为目的而进行电极种类的最佳化，通过开发在电极间设置 包含芳香族二胺的空穴传输层与包含8-径基哇嘟侣络合物(Alqs)的发光层作为薄膜的元 件，与现有的使用蔥等单晶的元件相比较而言进行了大幅度的发光效率的改善，因此W对 具有自发光、高速响应性等特征的高性能平板的实用化为目标而进行开发。
[0004] 而且，作为提高元件的发光效率的尝试，还研究了并非使用巧光而是使用憐光。W 所述设置有包含芳香族二胺的空穴传输层与包含Alqs的发光层的元件为代表的众多元件 利用了巧光发光，通过使用憐光发光、即利用来自=重激发态（triplet excited state)的 发光，可期待与现有的使用巧光(单重态（singlet))的元件相比而言提高3倍~4倍左右的 效率。为了所述目的而开始研究W香豆素衍生物或二苯甲酬衍生物为发光层，但仅仅获得 极低的亮度。而且，作为利用=重态的尝试，开始研究使用館络合物，但其并未实现高效率 的发光。近年来，如专利文献1所列举那样W发光的高效率化或长寿命化为目的而进行众多 W银络合物等有机金属络合物为中屯、的研究。
[0005] [现有技术文献]
[0006] [专利文献]
[0007] [专利文献 1]W001/041512 Al
[000引[专利文献2]日本专利特开2001-313178号公报
[0009] [专利文献3]日本专利特开2005-162709号公报
[0010] [专利文献4]日本专利特开2005-166574号公报
[0011] [专利文献5]US2012/0319088 Al
[0012] [专利文献6]W02013/094834 Al
[0013] [非专利文献]
[0014] [非专利文献1]《美国化学学会会刊(J.Am.Chem.Soc.)》2012,134,17982-17990 [00 1引[非专利文献2]《美国化学学会会刊（J.Am.Chem.Soc.)》2010,132,6578-6587
[0016]为了获得高的发光效率，重要的是与所述渗杂剂材料同时使用的主体材料。作为 主体材料而提出的代表性材料可列举在专利文献2中所介绍的巧挫化合物4，少-双(9-巧挫 基)联苯(CBP)。在将CBP用作WS(2-苯基化晚）银络合物（Ir(ppy)3)为代表的绿色憐光发 光材料的主体材料的情况下，CBP除了容易流出空穴且难W流出电子的特性W外，电荷注入 平衡被打破，过剩的空穴流出至电子传输层侧，其结果来自Ir(ppy)3的发光效率降低。
[0017] 如上所述，为了 W有机EL元件获得高的发光效率，需要具有高的S重激发能 (triplet excitaion energy),且需要在两电荷(空穴、电子)注入传输特性中获得平衡的 主体材料。进一步期望电化学（electrochemis化y)稳定、具有高的耐热性与优异的非晶态 (amor地OUS)稳定性的化合物，要求进一步的改良。
[0018] 在专利文献3、专利文献4、专利文献5、专利文献6W及非专利文献1、非专利文献2 中掲示了 W下所示的碳棚烧化合物。
[0019] [化 1]
[0021] 然而，并未指出键结有一个W上二苯并巧喃基的碳棚烧化合物的有用性。
【发明内容】
[0022] 为了将有机化元件应用于平板显示器等显示元件中，需要在改善元件的发光效率 的同时充分地确保驱动时的稳定性。本发明鉴于所述现状，其目的在于提供高效率且具有 高的驱动稳定性的实用上有用的有机化元件及适于所述有机化元件的化合物。
[0023] 本发明人等人进行积极研究的结果是:发现通过将键结有至少一个W上二苯并巧 喃基的碳棚烧化合物用于有机化元件中可显示出优异的特性，从而完成本发明。
[0024] 本发明设及一种有机电场发光元件用材料，其包含下述通式（1)所表示的碳棚烧 化合物。
[0025] [化2]
[0027] 此处，环A表示式（la)或式（化)所表示的CsBi地10的2价的碳棚烷基，在分子内存在 多个环A的情况下，可相同也可不同。
[002引 S表示重复数，为1~4的整数，n、m表示取代数，n为0~4的整数，m为0~4的整数。但 n = 1 时，S = 1。
[0029] Li表示n+1价的经取代或未经取代的碳数为6~30的芳香族控基、经取代或未经取 代的碳数为3~30的芳香族杂环基、或2个~6个所述芳香族控基或芳香族杂环基的芳香族 环连结而构成的连结芳香族基，在n = l的情况下，为包含至少一个芳香族杂环基的基或单 键。
[0030] L2表示单键或2价的经取代或未经取代的碳数为6~30的芳香族控基、经取代或未 经取代的碳数为3~30的芳香族杂环基、或2个~6个所述芳香族控基或芳香族杂环基的芳 香族环连结而构成的连结芳香族基，末端的L 2-H也可为碳数1~12的烷基、碳数1~12的烧 氧基、或乙酷基。
[0031] R表示碳数1~12的烷基、碳数1~12的烷氧基、乙酷基或经取代或未经取代的碳数 为6~30的芳香族控基、经取代或未经取代的碳数为3~30的芳香族杂环基、或2个~6个所 述芳香族控基或芳香族杂环基的芳香族环连结而构成的连结芳香族基。
[0032] l1、L2、R为连结芳香族基的情况下，运些可为直链状也可为分支状，连结的芳香环 可相同也可不同。
[0033] 在分子内存在多个s、L2、則寸，可相同也可不同。
[0034] 关于所述通式(1)，优选的是满足W下的1)~4)中的任意一个W上。
[0035] 1)11为0或1的整数。
[0036] 2)环(A)为式（Ia)所表示的CsBio出0的2价的碳棚烷基。
[0037] 3化i、L2分别独立地为经取代或未经取代的碳数为6~18的芳香族控基、经取代或 未经取代的碳数为3~17的芳香族杂环基、或2个~6个选自所述芳香族控基及所述芳香族 杂环基的芳香族环连结而构成的连结芳香族基。
[0038] 4化i、L2分别独立地为经取代或未经取代的碳数为3~30的芳香族杂环基、或2个~ 6个选自所述芳香族杂环基的芳香族环连结而构成的连结芳香族基。
[0039] 所述通式(1)所表示的碳棚烧化合物中的氨的一部分或全部可经気取代。
[0040] 而且，本发明设及一种有机电场发光元件，其是在基板上层叠阳极、有机层及阴极 而成的有机电场发光元件，其特征在于:具有有机层，所述有机层包含所述有机电场发光元 件用材料。
[0041] 所述包含有机电场发光元件用材料的有机层优选为选自由发光层、电子传输层及 空穴阻挡层所组成的群组中的至少一个层或含有憐光发光渗杂剂的发光层，在包含憐光发 光渗杂剂时，优选为其发光波长在550nm W下具有发光极大波长。
[0042] 本发明的憐光元件用材料采用在碳棚烧骨架上键结有至少一个W上二苯并巧喃 基的结构。具有此种结构特征的碳棚烧化合物由于对电子注入传输性造成影响的最低未占 分子轨道化owest Unoccupied Molecular Orbital,LUMO)广泛分布于分子整体中，故能W 高水平控制元件的电子注入传输性。进而，因具有对封入渗杂剂的最低=重激发能（Tl能 量)而言充分高的Tl能量，故可实现自渗杂剂的有效率的发光。根据所述特征，通过将运些 用于有机化元件中，可降低元件的驱动电压W及达成高的发光效率。
[0043] 而且，本发明的有机电场发光元件用材料显示出良好的非晶态特性与高的热稳定 性，同时在激发状态下极其稳定，因此使用其的有机化元件的驱动寿命长且具有实用水平 的耐久性。
【附图说明】
[0044] 图1是表示有机EL元件的一结构例的剖面图。
[0045] 图2是表示本发明的碳棚烧化合物1的NMR图。
【具体实施方式】
[0046] 本发明的有机电场发光元件用材料是所述通式（1)所表示的碳棚烧化合物。可认 为，所述碳棚烧化合物通过具有键结有至少一个W上二苯并巧喃基的结构，从而带来所述 优异的效果。
[0047] Li表示n+1价的经取代或未经取代的碳数为6~30的芳香族控基、经取代或未经取 代的碳数为3~30的芳香族杂环基、或2个~6个所述芳香族控基或芳香族杂环基的芳香族 环连结而构成的连结芳香族基。在为连结芳香族基的情况下，可为直链状也可为分支状，连 结的芳香环可相同也可不同。L 2、R为连结芳香族基时也同样。
[0048] L2表示