专利名称：一种集成电路芯片的封装方法
技术领域：
本发明涉及一种芯片的封装方法，尤其涉及一种易于实施且功能突出的集成电路芯片的封装方法，属于芯片封装技术领域。
背景技术：
在集成电路的制作中，芯片是通过晶圆制作、形成集成电路以及切割晶圆等步骤而获得。在晶圆的集成电路制作完成之后，由晶圆切割所形成的芯片可以向外电性连接到承载器上；其中，承载器可以是引脚架或是基板，而芯片可以采用打线结合或覆晶结合的方式电性连接至承载器。如果芯片和承载器是以打线结合的方式电性连接，则进入到填入封胶的制作步骤以构成芯片封装体。芯片封装技术就是将芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。随着人们对电子产品功能要求的不断提高，制造功能强大的高频芯片逐渐成为当今研究的重要课题。高频芯片在工作运行中会释放一定量的电磁波，电磁波透过封装体向外界释放，容易造成周边电子产品的电磁波干扰，影响其他电子产品的正常运行。
发明内容
针对上述需求，本发明提供了一种集成电路芯片的封装方法，该封装方法工序安排合理，芯片封装易于实施，封装性能突出，使封装结构具有良好的电磁波屏蔽功能，有效降低对周边电子产品的影响。本发明是一种集成电路芯片的封装方法，该集成电路芯片的封装方法主要包括如下步骤a)安接芯片组，b)性能检测，c) 一次封装，d) 二次封装，e)附金属外壳，f)成品检验。在本发明一较佳实施例中，所述的步骤a)中，芯片组采用覆晶的方式，以锡块作为芯片的实体接触点，使芯片组电性连接在电路板上。在本发明一较佳实施例中，所述的步骤C)中，一次封装采用热喷涂工艺，该工艺可使封装材料均勻的分布在芯片组上，其厚度易于控制，能对芯片组起到良好的保护作用。在本发明一较佳实施例中，所述的一次封装所采用的封装材料主要由粘结剂、固化剂和稀释剂组成，原材料按照一定的比例进行混合配制。在本发明一较佳实施例中，所述的热喷涂工艺主要通过喷枪喷淋工艺完成，其喷淋温度控制在40°C -600C ；喷淋完毕，在30°C -40°C条件下固化。在本发明一较佳实施例中，所述的步骤d)中，二次封装材料的主要成分为硅胶，并含一定比例的金属纤维丝。
在本发明一较佳实施例中，所述的金属纤维丝与硅胶按一定比例充分混合，其中， 金属纤维丝的含量占总量的1. 5%-2. 5%，其材料一般选用含铜、镍、钛的合金或是不锈钢。在本发明一较佳实施例中，所述的步骤f)中，金属外壳采用压差吸附贴合的方式附着在封装体外层，其厚度一般为0. 1-0. 2mm，材料可以是铜或铝合金，并通过焊接工艺与电路板电性连接。本发明揭示了一种集成电路芯片的封装方法，该封装方法工序安排合理，操作简便，按照此法制得的芯片封装体能有效屏蔽芯片工作时产生的电磁波，降低电磁波危害；同时，封装工艺成本低，实用价值高，值得推广。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明 图1是本发明实施例集成电路芯片的封装方法的步骤示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。图1是本发明实施例集成电路芯片的封装方法的步骤示意图；该集成电路芯片的封装方法主要包括如下步骤a)安接芯片组，b)性能检测，c) 一次封装，d) 二次封装，e)附金属外壳，f)成品检验。具体实施步骤如下
a)安接芯片组，芯片组采用覆晶的方式，以锡块作为芯片的实体接触点，使芯片组电性连接在电路板上；
b)性能检测，主要检测芯片与电路板的电连接性能，降低废品率；
c)一次封装，一次封装采用热喷涂工艺，该工艺可使封装材料均勻的分布在芯片组上， 其厚度易于控制，对芯片组起到良好的保护作用；其中，一次封装所采用的封装材料主要由粘结剂、固化剂和稀释剂组成，其混合比例可以是60% :3 :8%，其热喷涂工艺主要通过喷枪喷淋工艺完成，其喷淋温度控制在40°C -600C ；喷淋完毕，在30°C -40°C条件下固化；
d)二次封装，二次封装材料的主要成分为硅胶，并含一定比例的金属纤维丝，金属纤维丝与硅胶按一定比例充分混合；其中，金属纤维丝的含量占二次封装材料总量的 1. 5%-2. 5%，其材料一般选用含铜、镍、钛的合金或是不锈钢，丝径为3-8um ；金属纤维丝能有效遮蔽电磁波辐射，特别是对于一些高频芯片工作时产生的电磁波，具有良好的阻隔作用，能够对封装体周边的电子装置起到良好的保护作用；
e)附金属外壳，金属外壳采用压差吸附贴合的方式附着在封装体外层，其厚度一般为 0. 1-0. 2mm，材料可以是铜或铝合金，其与电路板之间的焊接方式一般选用点焊或是激光焊；
f)成品检验，主要检验芯片的电性连接性能以及电磁波的外射值。本发明揭示了一种集成电路芯片的封装方法，其特点是该封装方法工序安排合理，操作简便，按照此法制得的芯片封装体能有效屏蔽芯片工作时产生的电磁波，降低电磁波危害；同时，封装工艺成本低，实用价值高，值得推广。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
权利要求
1.一种集成电路芯片的封装方法，该集成电路芯片的封装方法主要包括如下步骤a) 安接芯片组，b)性能检测，c) 一次封装，d) 二次封装，e)附金属外壳，f)成品检验。
2.根据权利要求1所述的集成电路芯片的封装方法，其特征在于，所述的步骤a)中，芯片组采用覆晶的方式，以锡块作为芯片的实体接触点，使芯片组电性连接在电路板上。
3.根据权要求1所述的集成电路芯片的封装方法，其特征在于，所述的步骤c)中，一次封装采用热喷涂工艺，该工艺可使封装材料均勻的分布在芯片组上，其厚度易于控制，能对芯片组起到良好的保护作用。
4.根据权利要求3所述的集成电路芯片的封装方法，其特征在于，所述的一次封装所采用的封装材料主要由粘结剂、固化剂和稀释剂组成，原材料按照一定的比例进行混合配制。
5.根据权利要求3所述的集成电路芯片的封装方法，其特征在于，所述的热喷涂工艺主要通过喷枪喷淋工艺完成，其喷淋温度控制在40°C -600C ；喷淋完毕，在30°C -40°C条件下固化。
6.根据权利要求1所述的集成电路芯片的封装方法，其特征在于，所述的步骤d)中，二次封装材料的主要成分为硅胶，并含一定比例的金属纤维丝。
7.根据权利要求6所述的集成电路芯片的封装方法，其特征在于，所述的金属纤维丝与硅胶按一定比例充分混合，其中，金属纤维丝的含量占总量的1. 5%-2. 5%，其材料一般选用含铜、镍、钛的合金或是不锈钢。
8.根据权利要求1所述的集成电路芯片的封装方法，其特征在于，所述的步骤f)中，金属外壳采用压差吸附贴合的方式附着在封装体外层，其厚度一般为0. 1-0. 2mm，材料可以是铜或铝合金，并通过焊接工艺与电路板电性连接。
全文摘要
本发明公开了一种集成电路芯片的封装方法，该集成电路芯片的封装方法主要包括如下步骤a)安接芯片组，b)性能检测，c)一次封装，d)二次封装，e)附金属外壳，f)成品检验。本发明揭示了一种集成电路芯片的封装方法，该封装方法工序安排合理，操作简便，按照此法制得的芯片封装体能有效屏蔽芯片工作时产生的电磁波，降低电磁波危害；同时，封装工艺成本低，实用价值高，值得推广。
文档编号H01L21/56GK102368493SQ20111030508
公开日2012年3月7日 申请日期2011年10月11日 优先权日2011年10月11日
发明者徐子旸 申请人:常熟市广大电器有限公司