专利名称：一种多量子阱tft-led阵列显示基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种LED阵列显示基板及其制造方法，尤其涉及一种多量子阱 TFT-LED阵列显示基板及其制造方法。
背景技术：
随着人们物质文化生活水平的不断改善，人们对显示技术的要求也越来越高。显示技术逐步向着平板化、体积小、重量轻、耗电省等方面发展。液晶显示器由于具有体积小、 辐射小和功耗低等优点而得到了迅速的发展，成为了当前显示技术的主流，在不少应用领域内逐步取代了传统的CRT显示技术。但是液晶显示器也存在响应速度相对较慢，色彩还原性能较差等方面的不足。上世纪90年代以来，InGaN为发光材料的GaN基蓝光LED器件的制作成功，为LED的迅速普及和推广开辟可广阔的道路。随着红、绿、蓝三基色LED器件的研制成功，红绿蓝三基色光可以混合为白光，白光加现有的彩膜技术就可以实现彩色显示，这就为LED显像技术提供了良好的基础，LED具有发光效率高、显色性好和节约能源等优点，在目前的大屏幕显示方面得到了广泛的应用。目前的LED显示器主要由单色LED单元拼接而成，具有耗电量少、亮度高、工作电压低、驱动简单、寿命长、响应速度快和性能稳定等优点。但目前采用的拼接形式形成的LED显示器存在分辨率低、色彩均勻性差、体积大等不足，LED显示器不同拼接部分的协调性和一致性难以保证，制作成本相对较高，大功率器件散热设计困难，仅适用于大屏幕显示等问题，限制了拼接LED显色器的进一步发展。
发明内容
本发明提供了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法，它制造得到的 LED显示器分辨率高、体积小、散热效果良好，能实现真彩和小屏幕显示，能有效克服了现有拼接LED显示器和TFT-IXD的不足，并具有其他显示方式所不具备的优点。本发明提供的一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板，包括衬底，在衬底上方依次为缓冲层，η型GaN层，三基色多量子阱发光层，三基色多量子阱发光层构成白光发光区；在三基色多量子阱发光层上依次为P型GaN层和透明电极层；η型GaN层、三基色多量子阱发光层、P型GaN层和透明电极层共同组成显示单元，在显示单元上设有控制区，在显示单元之间设有引线区；在控制区内设有由电容器下极板和电容器上极板，以及同处于它们之间的绝缘层所构成的电容器；由工作TFT栅极、工作TFT沟道、工作TFT源极、工作TFT漏极以及绝缘层组成的工作TFT ；以及由控制TFT栅极、控制TFT沟道、控制TFT源极和控制TFT漏极以及中间绝缘层组成的控制TFT ；在引线区内设有η型GaN层接地引线，工作TFT源极引线，控制TFT源极引线及控制TFT栅极引线；其中电容器下极板与η型GaN层接触，η型GaN 层接地弓丨线与电容器下极板连接；电容器上极板分别与工作TFT栅极及控制TFT漏极连接， 工作TFT漏极与透明电极层连接，工作TFT源极与工作TFT源极引线连接，控制TFT源极与控制TFT源极引线连接，控制TFT栅极与控制TFT栅极引线连接；在各层金属电极和不同层引线之间有绝缘层，在控制区及引线区上有钝化保护层，在透明电极层设有彩膜基板。
衬底材料可以是蓝宝石单晶衬底或SiC单晶衬底。η型半导体层和ρ型半导体层是由不同掺杂浓度的P型或η型GaN外延薄膜组成，其中η型半导体层可掺入Si，p型半导体层可掺入Mg、Si等。三基色多量子阱发光层是由红、绿、蓝(RGB)三种多量子阱构成，蓝色量子阱发光层由贫h (In-poor)的InGaN多量子阱层构成，可发出纯正的蓝光；而绿色量子阱发光层由出富h (In-rich)的InGaN多量子阱层构成，可得到较理想的绿光发射；红色量子阱由 AlInGaP多量子阱层构成，可发出较理想的红光。三种三基色的生长顺序是可以改变的，每一种颜色的多量子阱层的厚度、材料和生长条件也是可以改变的。同调整各层的厚度，多量子阱层的层数和生长工艺，可实现各层发光性能的最优化。通过三种颜色发光层所发色光的混色，可实现较理想的白光发射。为实现发光层与下一层薄膜之间的晶格匹配，还可选择在相应发光层生长之前选择适当的缓冲层(buffer layer),以实现三基色多量子阱发光层与η型层的晶格匹配，如在AlInGaP生长前生长GaAs等缓冲层。如透明电极层为原位生长的ITO或性质类似的透明电极材料。电容器的下极板、上极板，工作TFT栅极、工作TFT漏极、工作TFT源极，控制TFT栅极、控制TFT漏极、控制TFT源极以及各种引线的材料为Mo、Au、Cu、Ag、Ni或Al等金属中的一种或一种以上组成的合金，或者它们的搭配或组合。绝缘层和钝化保护层可采用SiOx、 SiNx或SiOxNy等绝缘材料。工作TFT的沟道和控制TFT的沟道层采用非晶硅(a_Si)、多晶硅(poly-Si)或者单晶硅(Si)等半导体材料。彩膜基板包括红色树脂、绿色树脂和蓝色树脂，以及与彩膜相关的其他组件。本发明同时也提供一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板的制造方法，包括以下步骤
步骤一、在衬底上利用MOCVD法依次沉积缓冲层及η型GaN层； 步骤二、在η型GaN层上，采用MOCVD法生长三基色多量子阱发光层； 步骤三、在三基色多量子阱发光层上采用MOCVD法沉积出ρ型GaN层； 步骤四、在P型GaN层上采用MOCVD法沉积透明电极层；
步骤五、在步骤四的基础上进行光刻和刻蚀，刻蚀深度超过三基色多量子阱发光层，但不得刻穿η型GaN层，被刻蚀的区域形成控制区及引线区，未被刻蚀的区域形成发光区，它们共同组成显示阵列；
步骤六、在控制区及引线区上采用磁控溅射法沉积出金属层I，对金属层I进行光刻和刻蚀，使控制区的金属层I形层电容器下极板，使引线区的金属层I形成η型GaN层接地引线；
步骤七、在控制区及引线区上采用PECVD法沉积绝缘层，然后在绝缘层上采用磁控溅射法沉积出金属层II，对金属层II进行光刻和刻蚀后，在控制区上的金属层II分别形成了电容器上极板、与电容器上极板连接的工作TFT栅极以及控制TFT栅极，在引线区上的金属层II形成了控制TFT栅极引线；
步骤八、在步骤七基础上，采用PECVD法沉积出绝缘层，再采用PECVD法在绝缘层上沉积出a-Si有源层，并进行光刻和刻蚀，分别形成工作TFT和控制TFT沟道部分。同时，在工作TFT栅极引线末端的上方绝缘层中形成一个尺寸大小适度的过孔，露出工作TFT栅极引线末端的一部分，供下一步骤中控制TFT漏极与工作TFT栅极相连接，以达到通过控制TFT的开关来控制工作TFT开关的目的；
步骤九、在步骤八基础上，采用磁控溅射法沉积出金属层III，并对金属层III进行光刻和刻蚀，控制区上的金属层III分别形成与透明电极层相连接的工作TFT漏极、工作TFT源极， 以及通过过孔与工作TFT栅极相连接的控制TFT漏极，以及控制TFT源极，在引线区上的
金属层ΠΙ形成了控制TFT源极引线.
一入 ，
步骤十、采用PECVD法沉积绝缘层，并通过光刻和刻蚀，在工作TFT源极顶部的绝缘层中形成一个过孔，以便工作TFT源极与引线电路连接；采用磁控溅射法沉积出金属层IV，并进行光刻和刻蚀，形成与工作TFT源极连接的工作TFT源极引线；
步骤十一、采用PECVD法沉积出钝化保护层，对控制区和引线区电路及相关部分形成保护。进行光刻和刻蚀，形成基板的pad电路部分，以便与外电路连接，同时保持发光区域的完整和清洁。步骤十二、在阵列基板上方覆盖与阵列基板配套的彩膜基板。其中三基色多量子阱发光层的制备是先在η型GaN层上采用MOCVD法生长贫In 的InGaN蓝色量子阱发光层，再生长GaN层，然后生长出富h的InGaN绿色量子阱发光层， 接着生长GaN层，最后长出AlInGaP红色量子阱发光层。通过调整各层的厚度，多量子阱层的层数和生长工艺，可实现各层发光性能的最优化。通过三种颜色发光层所发色光的混色， 可实现较理想的白光发射。η型GaN层、三基色多量子阱发光层和ρ型GaN层采用MOCVD (金属有机化合物汽相沉积)工艺，或者采用MBE (分子束外延)方法制备。光刻技术采用半导体技术上采用的通用方法，刻蚀方法采用干刻(如增强等离子刻蚀、反应离子刻蚀等)、湿刻或以上方法的组合。采用磁控溅射或电子束蒸发的方法生长透明电极层、金属层I、金属层II、金属层 ΠΙ和金属层IV ；采用PECVD (等离子增强化学汽相沉积法)生长绝缘层和钝化保护层，多晶
硅或单晶硅的有源层需采用与热处理相结合的比PECVD更复杂的工艺生长。本发明采用MOCVD法在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及η 型GaN层，并在η型GaN层上通过MOCVD工艺和其他薄膜制备工艺，制备红、绿、蓝三基色多量子阱发光层、P型GaN层及透明电极层，将三基色多量子阱发光层、P型GaN层及透明电极层分隔成显示阵列。在每个隔离出来的发光阵列单元上通过集成两个TFT与一个电容器作为该发光单元的控制电路。由于显示阵列是在大面积单晶衬底上结合半导体工艺制备而成的，因此每个象素发光单元的体积可以比现有的LED大屏幕显示的单个LED发光单元小很多，跟目前的LCD显示的象素单元大小相当，能极大的提高显示的分辨率，从而可大大提高显示质量。另外，η型GaN层为整块结构，在η型GaN层上连接金属引线，在引线区也有金属引线，从而能大大改善产品的散热问题。生产工艺与现有半导体工艺兼容，易于大规模产业化的同时，产品性能大幅度提高。本发明中多量子阱TFT-LED阵列显示基板的工作原理为TFT_LED彩色阵列显示基板包括一个电容器、一个工作TFT及一个控制TFT ；工作TFT源极通过工作TFT源极引线
6与驱动电源相连接，控制TFT栅极通过控制TFT栅极引线与扫描信号相连接，控制TFT源极通过控制TFT源极引线与数据信号相连接，电容器下基板与LED与η型层连接，并与接地引线相连接；当控制TFT栅极引线有扫描信号时，控制TFT处于开启状态，数据信号通过控制 TFT源极传送到工作TFT栅极，并为电容器充电。假定工作TFT的外驱动电压恒定，并工作于截止电压以上的非饱和区，工作TFT漏极电流的大小由工作TFT栅极电压决定；当控制 TFT栅极引线没有扫描信号时，控制TFT处于截止状态，存储在电容器中的电荷仍能维持工作TFT栅极的电压并保持恒定，使工作TFT处于开启状态，这样就保证了在整个帧周期中， LED具有恒定的电流通过。这个电路通过控制TFT源极引线上的数据信号电压改变工作TFT 栅极的电压，控制流过工作TFT的电流，从而控制了流过LED的电流，达到控制LED发光亮度的目的。由于采用上述的技术方案，与现有技术相比，本发明采用一种全新的思路，采用半导体集成工艺，将发光单元(LED单元)与发光的控制单元(TFT单元)共同集成到同一块基片上完整的衬底基板上，从而构成显示阵列基板。根据显示的需要，每一个发光单元的状态由与之相对应的控制单元来控制，即每个阵列发光单元的开关状态和明亮程度(灰度级)可以通过与电路连接的控制单元来调节。为了实现彩色显示，采用三基色多量子阱发光层，它是由红、绿、蓝(RGB)三种量子阱构成，通过三种颜色混色后实现白光发射。在白色发光的基础上，通过与彩膜技术相配合，选择与LED阵列基板对应的彩膜(Color Filter)基板，从而将白光还原成显示所需要的红、蓝、绿三原色。彩膜基板上的颜色单元分布和透光率要符合彩色显示对象素单元的要求。在控制单元的配合下，从而实现彩色显示。这样制造的 LED显示器分辨率高、体积小、散热效果良好，能实现真彩和小屏幕显示，适用家庭及办公等环境，能有效克服了现有拼接LED显示器和TFT-LCD的不足，并具有其他显示方式所不具备的优点。
图1为本发明的结构示意图2为蓝宝石Al2O3 (0001)面衬底上外延生长缓冲层和n-GaN层后的截面图； 图3为n-GaN层上生长红、绿、蓝三基色多量子阱发光层后的截面图； 图4为在红绿蓝三基色多量子阱发光层上生长p-GaN层后的截面图； 图5为在p-GaN层上生长透明电极后的截面图。图6为在图5基础上刻蚀形成控制区及引线区后的平面7为图6中对应A-A截面的截面图8为沉积金属层I后，刻蚀形成电容器下极板和η型GaN层接地引线的平面图； 图9为图8中对应A-A截面的截面图10为沉积金属层Π后，刻蚀形成电容器上极板、与电容器上极板连接的工作TFT栅
极和控制TFT栅极，以及在引线区上形成控制TFT栅极引线后的平面图； 图11为图10中对应A-A截面的截面图12为沉积a-Si有源层，进行光刻和刻蚀，形成工作TFT沟道及控制TFT沟道，并在栅绝缘层上形成工作TFT栅极过孔后的平面图； 图13为图12中对应A-A截面的截面图； 图14为图12中对应B-B截面的截面图； 图15为图12中对应C-C截面的截面图16为沉积金属层III，并进行光刻和刻蚀，形成工作TFT的源、漏极、控制TFT的源、漏极和控制TFT源极引线后的平面图17为图16的中对应A-A截面的截面图； 图18为图16的中对应B-B截面的截面图； 图19为图16的中对应C-C截面的截面图20为沉积金属层IV，进行光刻和刻蚀，形成工作TFT源极引线的平面图； 图21为生长钝化保护层后的平面图； 图22为图21中对应A-A截面的截面图； 图23为图21中对应B-B截面的截面图； 图M为图21中对应C-C截面的截面图。
附图标记
1、衬底；
2、缓冲层；
3、η型 GaN 层；
4、三基色多量子阱发光层；
5、ρ型 GaN 层；
6、透明电极层；
7、控制区；
8、引线区；
9、发光区；
10、电容器下极板； IUn电极接地引线；
12、电容器上极板；
13、工作TFT栅极；
14、工作TFT栅极引线；
15、控制TFT栅极；
16、控制TFT栅极引线；
17、工作TFT沟道；
18、控制TFT沟道；
19、控制TFT源极；
20、控制TFT源极引线；
21、控制TFT漏极；
22、工作TFT源极；
23、工作TFT漏极；
24、工作TFT源极引线；
825、绝缘层；
26、钝化保护层。
具体实施例方式本发明一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板结构如图M所示在衬底1上方依次为缓冲层2和η型GaN层3，三基色(RGB)多量子阱发光层4，三基色多量子阱发光层构成白光发光区9 ；在三基色多量子阱发光层4上依次为ρ型GaN层5和透明电极层6 ；η型GaN 层3、三基色多量子阱发光层4、ρ型GaN层5和透明电极层6共同组成显示单元，在显示单元上设有控制区7，在显示单元之间设有引线区8 ；在控制区7内有由电容器下极板10和电容器上极板12，以及同处于它们之间的绝缘层25所构成的电容器。由工作TFT栅极13、工作TFT沟道17、工作TFT源极22、工作TFT漏极23以及绝缘层25组成的工作TFT ；以及由控制TFT栅极15、控制TFT沟道18、控制TFT源极19和控制TFT漏极21以及绝缘层25组成的控制TFT;在引线区内有η型GaN层接地引线11，工作TFT源极引线24，控制TFT源极引线20及控制TFT栅极引线16 ；其中电容器下极板10与η型GaN层3良好接触，η型GaN 层接地引线11为电容器下极板10的延伸；电容器上极板12分别与工作TFT栅极13及控制TFT漏极21连接，工作TFT漏极23与透明电极层6连接，工作TFT源极22与工作TFT 源极引线M连接，控制TFT源极19与控制TFT源极引线20连接，控制TFT栅极15与控制 TFT栅极引线16连接；在各层金属电极和不同层引线之间有绝缘层25，在控制区7及引线区8上有钝化保护层沈；在透明电极层6上方覆盖有配套的彩膜基板。本发明中MOCVD方法的镓源为TMGa (三甲基镓)，氮源为NH3 (氨)，铟源为TMh (三甲基铟)，铝源为TMAl (三甲基铝)，镁源为TMMg (三甲基镁)、硅源为SiH4 (硅烷)。以下是该实施例多量子阱TFT-LED阵列显示基板的制造方法，它包括以下主要步骤
步骤一、采用大面积的整块蓝宝石单晶作为衬底1，将衬底1放入MOCVD设备中，先通入 H2气氛下加热至1100°C烘烤20min ；然后在800°C下通入氮气对衬底进行100s的氮化处理； 处理后通入NH3 (氨气)和TMAl (三甲基铝)、在800°C的条件下在衬底上气相外延生长厚度为80nm的AlN缓冲层，然后通入TMGa (三甲基镓)和氨气在600°C下生长厚度为200nm的 GaN缓冲层；AlN缓冲层、GaN缓冲层共同组成缓冲层2 ；在600°C的条件下掺Si在缓冲层2 上生长厚度为2um的η型GaN层3，如图2所示；
步骤二、在600°C的条件下在η型GaN层3上生长厚度为IOnm的GaN层缓冲层，在550°C 下生长厚度为3nm的InGaNan=O. 08)的蓝色量子阱发光层，再在600°C下生长厚度为IOnm 的GaN层，重复以上步骤5-6次，即形成了多量子阱结构的蓝光LED发光层；然后在550°C下生长厚度为3nm的InGaNan=O. 08)的绿色量子阱发光层，接着在600°C下生长厚度为IOnm 的GaN层，重复以上步骤5-6次，即形成了多量子阱结构的绿光LED发光层；继续生长50nm 的GaAs层作为缓冲层，在800°C生长3nm的AlInGaP红色量子阱发光层，继续生长IOnm的 GaAs层，重复以上的后两个步骤5-6次，最后生长30nm左右的GaN层缓冲层，即形成了多量子阱结构的红光LED发光层。红光LED发光层、绿光LED发光层及蓝光LED发光层共同组成三基色发光层4，如图3所示；
步骤三、在650°C的条件下，在三基色三基色多量子阱发光层4上生长厚度为120nm的P型GaN层5，在600°C的条件下退火1小时，并使用H2SO4溶液、H2O2溶液、氢氟酸溶液、盐酸、NH4OH等结合超声波清洗技术去除所述LED外延片表面的有机杂质和金属离子，如图4 所示；
步骤四、在三基色多量子阱发光层顶部采用磁控溅射法在ρ型GaN层5上沉积出一层厚度为200nm的ITO透明电极层6，如图5所示；
步骤五、在ITO上涂覆光刻胶，通过曝光和显影，露出需要刻蚀的控制区7及引线区8， 然后湿刻和干刻相结合方法的进行刻蚀，刻蚀深度既要保证η型GaN层2裸露，但又不能将 η型GaN层2被穿透，被刻蚀后的的区域形成控制区7及引线区8，未被刻蚀的区域则形成发光区，它们共同组成显示阵列，如图6、图7所示；
步骤六、对基板进行清洗后，采用磁控溅射法在控制区7和引线区8沉积金属层I ；进行清洗后，涂光刻胶，对控制区7及引线区8的金属层I进行光刻和刻蚀，得到电容器的下极板10及η型GaN层接地引线11，如图8、图9所示；
步骤七、对基板进行清洗后，用PECVD法在控制区7及引线区8上生长一层SiNx或SW2 作为绝缘层25 ；然后继续采用磁控溅射法在绝缘层25上沉积出金属层II，对金属层II进行光刻和刻蚀，在控制区上的绝缘层25形成了电容器的介质层，在控制区上的金属层II分别形成了电容器上极板12、与电容器上极板12连接的工作TFT栅极13和工作TFT栅极引线 14，以及控制TFT栅极15，在引线区8上的金属层II形成了控制TFT栅极引线16，如图10、 图11所示；
步骤八、用PECVD法在上沉积出SiNx或SW2绝缘层25 ；再采用PECVD法在在绝缘层25 上沉积出a-Si有源层，并进行光刻和刻蚀，分别形成工作TFT沟道17及控制TFT沟道18， 在工作TFT栅极13与控制TFT漏极21之间的引线末端的栅绝缘层上形成一个过孔，露出工作TFT栅极引线14末端，如图12、图13、图14及图15所示；
步骤九、在步骤八的基础上采用磁控溅射法沉积出金属层III，对金属层III进行光刻和刻蚀，在控制区7上的金属层III分别形成与透明电极层6连接的工作TFT漏极23，工作TFT 源极22，与工作TFT栅极13连接控制TFT漏极21以及控制TFT源极22 ；在引线区8上的
金属层ΠΙ形成了控制TFT源极引线20，如图16、图17、图18及图19所示；
步骤十、在基板的控制区7及引线区8上采用PECVD法沉积出绝缘层25，然后在工作 TFT源极22顶部的绝缘层25形成一个过孔；然后在的绝缘层25上采用磁控溅射法沉积出金属层IV，并对金属层IV进行光刻和刻蚀，形成与工作TFT源极22连接的工作TFT源极引线24，如图20所示；
步骤十一、在基板的控制区7及引线区8上采用PECVD法沉积出钝化保护层沈，如图 21、图22、图23和图24所示；
步骤十二、在每个发光单元上分别覆盖红绿蓝彩膜实现了每个像素的红、绿、蓝色LED 全彩显示。按照上述步骤和工艺，可以得到较好质量的多量子阱TFT-LED阵列显示基板。本发明以上所述内容，仅给出了实现本发明的一种实施方案，但此方案中的各部分结构的形状、厚度，以及工艺条件是可以改变的，但这种改变不脱离双TFT结构来控制 LED发光，并通过多量子阱三基色发光层发射白光并配合彩膜来满足显示要求的思想和范畴，对本领域人员自己明了的所有变更应当包含在所述的权利要求范围内。
权利要求
1.一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板，其特征在于在衬底(1)上方依次为缓冲层(2)，η型GaN层(3)，三基色多量子阱发光层(4)，三基色多量子阱发光层(4)构成白光发光区(9)；在三基色多量子阱发光层(4)上依次为ρ型GaN层(5)和透明电极层(6) ;η型GaN 层(3)、三基色多量子阱发光层(4)、ρ型GaN层(5)和透明电极层(6)共同组成显示单元，在显示单元上设有控制区(7)，在显示单元之间设有引线区(8)；在控制区(7)内设有由电容器下极板(10)和电容器上极板(12)，以及同处于它们之间的绝缘层(25)所构成的电容器； 由工作TFT栅极(13 )、工作TFT沟道(17 )、工作TFT源极(22 )、工作TFT漏极(23 )以及绝缘层(25)组成的工作TFT ；以及由控制TFT栅极(15)、控制TFT沟道(18)、控制TFT源极(19) 和控制TFT漏极(21)以及中间绝缘层(25)组成的控制TFT ；在引线区内设有η型GaN层接地引线(11)，工作TFT源极引线(24)，控制TFT源极引线(20)及控制TFT栅极引线(16)； 其中电容器下极板(10 )与η型GaN层(3 )接触，η型GaN层接地引线(11)与电容器下极板 (10)连接；电容器上极板(12)分别与工作TFT栅极(13)及控制TFT漏极(21)连接，工作 TFT漏极(23)与透明电极层(6)连接，工作TFT源极(22)与工作TFT源极引线(24)连接， 控制TFT源极(19)与控制TFT源极引线(20)连接，控制TFT栅极(15)与控制TFT栅极引线(16)连接；绝缘层(25)处于各层金属电极和不同层引线之间，在控制区(7)及引线区(8) 上有钝化保护层(26 )，在透明电极层(6 )设有彩膜基板。
2.根据权利要求1所述的多量子阱TFT-LED阵列显示基板，其特征在于衬底(1)材料为蓝宝石单晶衬底或SiC单晶衬底。
3.根据权利要求1所述的多量子阱TFT-LED阵列显示基板，其特征在于η型半导体层(3)和ρ型半导体层(5)是由不同掺杂浓度的ρ型或η型GaN外延薄膜组成，其中η型半导体层掺入Si，ρ型半导体层可掺入Mg或Si。
4.根据权利要求1所述的多量子阱TFT-LED阵列显示基板，其特征在于三基色多量子阱发光层(4)是由红、绿、蓝三种多量子阱构成。
5.根据权利要求1所述的多量子阱TFT-LED阵列显示基板，其特征在于透明电极层 (6)为原位生长的ITO或ΙΖ0;电容器下极板(10)、上极板(12)，工作TFT栅极(13)、工作 TFT漏极(23)、工作TFT源极(22)，控制TFT栅极(15)、控制TFT漏极(21)、控制TFT源极 (19)以及各种引线的材料为Mo、Au、Cu、Ag、Ni或Al中的一种或一种以上组成的合金，或者它们的搭配或组合；绝缘层(25)和钝化保护层(26)采用SiOx、SiNx或SiOxNy绝缘材料制作。
6.根据权利要求1所述的多量子阱TFT-LED阵列显示基板，其特征在于工作TFT沟道(17)和控制TFT沟道(18)采用非晶硅、多晶硅或者单晶硅。
7.根据权利要求1所述的TFT-LED彩膜阵列显示基板，其特征在于彩膜基板包括红色树脂、绿色树脂和蓝色树脂组成的颜色单元，彩膜基板位于透明电极层(6)上方。
8.一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板的制作方法，其特征在于步骤一、在衬底(1)基片上利用MOCVD法依次沉积缓冲层(2 )，η型GaN层(3 )；步骤二、在η型GaN层(3 )上，采用MOCVD法生长三基色多量子阱发光层(4);步骤三、在三基色多量子阱发光层(4)上采用MOCVD法沉积出ρ型GaN层(5)；步骤四、在P型GaN层(5 )上采用磁控溅射法沉积透明电极层(6 )；步骤五、在步骤四的基础上进行光刻和刻蚀，刻蚀深度超过三基色多量子阱发光层(4)，但不得刻穿η型GaN层(3)，被刻蚀的区域形成控制区(7)及引线区(8)，未被刻蚀的区域形成发光区(9)，它们共同组成显示阵列；步骤六、在控制区(7)及引线区(8)上采用磁控溅射法沉积出金属层I，对金属层I进行光刻和刻蚀，使控制区的金属层I形层电容器下极板(10)，使引线区(8)的金属层I形成η型GaN层接地引线(11);步骤七、在控制区(7)及引线区(8)上采用PECVD法沉积出绝缘层(25)，然后在绝缘层 (25)上采用磁控溅射法沉积出金属层II，对金属层II进行光刻和刻蚀后，在控制区上的金属层II分别形成了电容器上极板(12)、与电容器上极板(12)连接的工作TFT栅极(13)以及控制TFT栅极(15)，在引线区(8)上的金属层II形成了控制TFT栅极引线(16);步骤八、在步骤七基础上，采用PECVD法沉积出绝缘层(25)；再采用PECVD法在在绝缘层(25)上沉积出a-Si有源层，并进行掩膜刻蚀，分别形成工作TFT沟道层(17)及控制TFT 沟道层(18)，在工作TFT栅极引线(14)末端的上方绝缘层中形成一个过孔，露出工作TFT 栅极引线(14)末端的一部分，供下一步骤中控制TFT漏极(21)与工作TFT栅极(13)相连接，以达到通过控制TFT的开关来控制工作TFT开关的目的；步骤九、在步骤八基础上，采用磁控溅射法沉积出金属层III，对金属层III进行光刻和刻蚀，在控制区上的金属层III分别形成与透明电极层连接的工作TFT漏极(23)，工作TFT源极 (22)，与工作TFT栅极(13)连接的控制TFT漏极(21)，控制TFT源极(19)，通过过孔与工作 TFT栅极(13)相连接的控制TFT漏极(21)以及控制TFT源极(19)，在引线区上的金属层 III形成了控制TFT源极引线(20 )；步骤十、采用PECVD法沉积出绝缘层(25)，并通过光刻和刻蚀，在工作TFT源极(22)顶部的绝缘层(25)中形成一个过孔，以便工作TFT源极(22)与引线电路连接；采用磁控溅射法沉积出金属层IV，并进行光刻和刻蚀，形成与工作TFT源极(22)连接的工作TFT源极引线⑶；步骤十一、采用PECVD法沉积出钝化保护层(26 )，对控制区(7 )和引线区(8 )电路及相关部分形成保护，对钝化保护层(26)进行光刻和刻蚀，形成基板的pad电路部分，以便与外电路连接，同时保持发光区域的完整和清洁；步骤十二、在透明电极层(6)上方覆盖与配套的彩膜基板。
9.根据权利要求8所述的多量子阱TFT-LED阵列显示基板的制作方法，其特征在于 刻蚀的方法采用湿法刻蚀、干法刻蚀相结合的方法。
全文摘要
本发明公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法。采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。其特征包括在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型GaN层，并在n型GaN层上通过MOCVD工艺和制备红、绿、蓝三基色多量子阱发光层构成白色发光区、p型GaN层及透明电极层，将包含三基色多量子阱发光层、p型GaN层及透明电极层分隔成显示阵列。在每个隔离出来的发光阵列单元上通过集成两个TFT与一个电容器作为该发光单元的控制电路，在基板表面覆盖红绿蓝三基色彩膜层，以实现彩色的显示。本发明能一定程度上克服现有LED和LCD显示的不足，大幅提高显示质量和显示效果，且制造方法与现有的半导体工艺相兼容，易于实现产业化。
文档编号H01L27/15GK102427080SQ20111036750
公开日2012年4月25日 申请日期2011年11月18日 优先权日2011年11月18日
发明者杨利忠, 杨小平, 胡绍璐, 邓朝勇, 雷远清 申请人:贵州大学