专利名称：一种直接法硅片镀膜用石墨载板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶体硅太阳电池，具体涉及一种直接法硅片镀膜用石墨载板。
背景技术：
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产生任何的环境污染。目前，应用于制造太阳电池的流程为表面清洗及结构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化太阳能电池制造技术相对简单、 成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。在晶体硅太阳电池生产过程中，为了提高钝化效果和减反射效果通常会在硅片的表面镀一层氮化硅薄膜，常规采用的方法是PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子增强化学气相沉积)镀氮化硅。文献[APPLIED PHYSICS LETTERS 94， 063509，2009]报道氮化硅是一种带固定正电荷的介质层，对P型衬底扩散制结的发射极有很好的钝化作用，但是会在P型衬底背表面和硅片边缘形成反型层，造成太阳电池的漏电流增大，对晶体硅太阳电池电性能有很大的恶化影响。为了消除这种氮化硅对背表面及边缘的恶化影响，光伏研究者做了大量的工作。中国专利CN20092(^^634. 3采用水平放置硅片的方法来实现降低氮化硅对背面及硅片边缘的影响，但是这种水平石墨舟在实际生产中具有操作困难且产量低等特点。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服以上现有技术存在的不足，提供一种对硅片进行镀膜时不会对硅片边缘及背面镀膜的直接法镀膜用石墨载板。本实用新型解决技术问题采用如下技术方案一种直接法硅片镀膜用石墨载板，包括石墨承载板，在石墨承载板的一面上均布多个硅片承载凹槽，所述凹槽的深度为200-400微米。进一步地，在石墨承载板上与设置有硅片承载凹槽的面相对的面上设置有导轨。 (请补充设置导轨的作用)进一步地，所述导轨设置于紧邻石墨承载板端部位置。进一步地，所述石墨承载板为方形。进一步地，所述硅片承载凹槽为与硅片大小相适配的方形凹槽。本实用新型的有益效果如下本实用新型的直接法硅片镀膜用石墨载板使用时， 将硅片放置在凹槽里，由于硅片只有正面露出，所以在对硅片在进行镀膜时，氮化硅层就不会镀在硅片的边缘，也就不会形成反型层，大大提升了电池的并联电阻，提高电池的可靠性；另外本实用新型的直接法硅片镀膜用石墨载板结构简单，制备方便。
图1为本实用新型直接法硅片镀膜用石墨载板的主视结构示意图；[0013]图2为本实用新型直接法硅片镀膜用石墨载板的A-A截面结构示意图；图中标记示意为1-石墨承载板；2-凹槽；3-导轨。
具体实施方式
实施例1如图1、图2所示，本实用新型采用一种方形石墨承载板1，在石墨承载板1上均勻分布着与硅片大小相配合的I6个硅片承载凹槽2，硅片承载凹槽2的深度为300微米，并且为方形凹槽。在石墨承载板1上与设置有硅片承载凹槽2的面相对的面上设置有导轨3、导轨3设置于紧邻石墨承载板1端部位置。具体实施中硅片承载凹槽2的数目可以根据需要而设定。最后应说明的是以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种直接法硅片镀膜用石墨载板，其特征在于包括石墨承载板，在石墨承载板的一面上均布多个硅片承载凹槽，所述凹槽的深度为200-400微米。
2.根据权利要求1所述的直接法硅片镀膜用石墨载板，其特征在于在石墨承载板上与设置有硅片承载凹槽的面相对的面上设置有导轨。
3.根据权利要求2所述的直接法硅片镀膜用石墨载板，其特征在于所述导轨设置于紧邻石墨承载板端部位置。
4.根据权利要求1所述的直接法硅片镀膜用石墨载板，其特征在于所述石墨承载板为方形。
5.根据利要求1所述的直接法硅片镀膜用石墨载板，其特征在于所述硅片承载凹槽为与硅片大小相适配的方形凹槽。
专利摘要本实用新型公开了一种直接法硅片镀膜用石墨载板，包括石墨承载板，在石墨承载板的一面上均布多个硅片承载凹槽，所述凹槽的深度为200-400微米；在石墨承载板上与设置有硅片承载凹槽的面相对的面上设置有导轨；所述导轨设置于紧邻石墨承载板端部位置。本实用新型的直接法硅片镀膜用石墨载板使用时，将硅片放置在凹槽里，在对硅片在进行镀膜时，氮化硅层就不会镀在硅片的边缘，也就不会形成反型层，大大提升了电池的并联电阻，提高电池的可靠性。
文档编号H01L31/18GK202076300SQ20112009912
公开日2011年12月14日 申请日期2011年4月7日 优先权日2011年4月7日
发明者李潘剑, 王立建 申请人:无锡市佳诚太阳能科技有限公司