专利名称：一种高导热半导体封装器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及了半导体封装技术，特别是一种高导热半导体封装器件。
背景技术：
半导体器件中的发射结电流具有正温度系数，当半导体器件在工作时产生的热量不能及时散出时，可以引起芯片局部温度的升高或电流的集中，从而引发热电正反馈，最终有可能在器件有源区内出现稳定或不稳定热斑。而热斑的形成，将引起器件参数的蜕化，甚至诱发二次击穿。因而半导体器件的散热性能至关重要。目前，针对T0-220F半导体封装器件，在其散热片部位的塑封尺寸为0. 70mm，针对这样厚度的T0-220F半导体封装器件，非常容易出现上述技术问题，因此需要对该半导体封装器件重新进行设计，以克服上述问题。
实用新型内容本实用新型的目的是为了克服现有塑封技术的不足，提高全包封半导体器件的散热性能，从而提供一种新型半导体封装元器件，有效改善半导体器件封装件的散热片封装尺寸，以实现高导热半导体封装器件的稳定性。本实用新型采用的技术方案如下一种高导热半导体封装器件，包括引线框架载体、散热片、内引脚、软焊料、芯片、 键合焊线和塑封体，芯片设置于软焊料上，软焊料设置于散热片上，散热片固定于引线框架载体上，芯片通过键合焊线与内引脚连接，塑封体将芯片、软焊料、散热片、引线框架载体、 键合焊线和内引脚塑封，其特征在于所述塑封体包覆了引线框架载体、散热片、软焊料、芯片、键合焊线和部分内引脚，且散热片底部包封的塑封体的厚度为0. 15mm。本实用新型与现有技术相比具有以下优点1、本实用新型在引线框架载体的散热片部位的塑封厚度为0. 15mm，这能更好的解决管散热问题，使半导体器件质量更加稳定可靠，应用范围更广。2、本实用新型与T0-220F原有封装相比，底部塑封料更薄，树脂流动性要求更高， 模具结果需要重新设计改变。
图1为本实用新型半导体器件封装件结构示意图图中标记为1—引线框架载体、2——内引脚、3——软焊料、4——芯片、5—— 键合焊线、6——塑封体、7——散热片、8——弓I脚。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步详细描述T0220F器件工作时，产生的热量一部分是通过芯片、树脂从正面散发，这部分散热量较少；而主要是通过芯片、焊料、载片、底部树脂散发释放。而现有T0-220F封装件散热片后的塑封体厚度为0. 70mm，不利于半导体器件热量散发。如图1所示，为本实用新型半导体器件封装件结构示意图，其包括引线框架载体1、内引脚2、软焊料3、芯片4、键合焊线5、塑封体6，芯片4设置于软焊料3上，软焊料3设置于散热片7上，散热片7固定于引线框架载体1上，芯片4通过键合焊线5与内引脚2连接，塑封体6将芯片4、软焊料3、散热片7、 引线框架载体1、键合焊线5和内引脚2塑封。所述塑封体6覆盖引线框架载体1、散热片 7和部分内引脚2，构成器件整体，并对器件起保护和支撑作用，未被塑封体6包封的另外部分内引脚2连接位于外部的引脚8。所述塑封体6包覆了引线框架载体1、散热片7、软焊料3、芯片4、键合焊线5和部分内引脚2，且散热片7底部包封的塑封体6的厚度为0. 15mm。这样能更好地利于T0220F 半导体器件散热，使其更加稳定可靠。本实用新型是T0-220F封装件结构，其综合了全包封的优点，克服了半导体全包封元器件对散热性能影响较大的缺点，确保产品可靠性。
权利要求1. 一种高导热半导体封装器件，包括引线框架载体(1)、散热片(7)、内引脚(2)、软焊料(3)、芯片(4)、键合焊线(5)和塑封体(6)，芯片(4)设置于软焊料(3)上，软焊料(3)设置于散热片(7)上，散热片(7)固定于引线框架载体(1)上，芯片(4)通过键合焊线(5)与内引脚(2)连接，塑封体(6)将芯片(4)、软焊料(3)、散热片(7)、引线框架载体(1)、键合焊线 (5)和内引脚(2)塑封，其特征在于所述塑封体(6)包覆了引线框架载体(1)、散热片(7)、 软焊料(3)、芯片(4)、键合焊线(5)和部分内引脚(2)，且散热片(7)底部包封的塑封体(6) 的厚度为0. 15mm。
专利摘要本实用新型涉及了一种高导热半导体封装器件，包括引线框架载体、散热片、内引脚、软焊料、芯片、键合焊线和塑封体，塑封体覆盖引线框架载体、散热片、软焊料、芯片、键合焊线和部分内引脚，特征在于散热片部位采用0.15mm塑封厚度进行包封。本实用新型的结构简单合理，适用于封装形式为TO-220F的半导体元器件，能最大程度提升TO-220F封装器件散热性能，使半导体器件质量更加稳定可靠，应用范围更广。
文档编号H01L23/31GK202111076SQ20112023435
公开日2012年1月11日 申请日期2011年7月5日 优先权日2011年7月5日
发明者李科, 黄道远 申请人:四川立泰电子有限公司