晶片的清洗方法与流程

技术特征：
1.一种晶片的清洗方法，其特征在于，其为表面具有凹凸图案的晶片的清洗方法，其至少具有以下工序：用清洗液清洗所述晶片的工序；用拒水性化学溶液置换在清洗后保持于晶片的凹部的清洗液的工序；干燥晶片的工序，所述清洗液包含80质量％以上的沸点为55～200℃的溶剂，通过使所述置换的工序中供给的拒水性化学溶液的温度为40℃以上且低于该拒水性化学溶液的沸点，从而至少使所述凹部表面拒水化,所述晶片是在凹部的表面包含钛、钨、铝、铜、锡、钽和钌中的至少1种元素的晶片，所述拒水性化学溶液包含选自由以下的通式[6]～[12]表示的化合物及其盐化合物组成的组中的至少1种与溶剂，R8-P(＝O)-(OH)g(R9)2-g[6]式[6]中，R8是一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的1价烃基；R9各自相互独立，是包含一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团；g为0～2的整数，R10-C(＝O)-X4[7]式[7]中，R10是包含碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团或包含碳原子数为1～8的氟烷基链的1价有机基团，X4表示选自由氟基、氯基、溴基和碘基组成的组中的基团，R11R12R13N[8]式[8]中，R11是包含碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团或包含碳原子数为1～8的氟烷基链的1价有机基团，R12是氢元素、包含碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团或包含碳原子数为1～8的氟烷基链的1价有机基团，R13是氢元素、包含碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团或包含碳原子数为1～8的氟烷基链的1价有机基团，R14-C(＝O)-X5-X6[9]式[9]中，R14是包含碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团或包含碳原子数为1～8的氟烷基链的1价有机基团，X5表示氧元素或硫元素，X6表示选自由氢元素、烷基、芳香族基团、吡啶基、喹啉基、琥珀酰亚胺基、马来酰亚胺基、苯并噁唑基、苯并噻唑基和苯并三唑基组成的组中的基团，这些基团中的氢元素任选被有机基团取代，R15(X7)h[10]式[10]中，X7各自相互独立，为选自由异氰酸酯基、巯基、醛基、-CONHOH基和包含氮元素的环结构组成的组中的至少1种基团；h为1～6的整数；R15是包含碳原子数为1～18的烃基的有机基团或包含碳原子数为1～8的氟烷基链的有机基团，该化合物是用h个选自由异氰酸酯基、巯基、醛基、-CONHOH基和包含氮元素的环结构组成的组中的至少1种基团取代相同数量的氢元素而成的化合物，R16-X8[11]式[11]中，X8为包含硫元素的环结构，R16是氢元素、包含碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团或包含碳原子数为1～8的氟烷基链的1价有机基团，R17-C(＝O)-X9-C(＝O)-R18[12]式[12]中，R17是包含碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团或包含碳原子数为1～8的氟烷基链的1价有机基团，R18是包含碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团或包含碳原子数为1～8的氟烷基链的1价有机基团，X9表示氧元素或硫元素。2.根据权利要求1所述的晶片的清洗方法，其特征在于，所述清洗液为选自由有机溶剂、水、在水中混合了有机溶剂、酸、碱、氧化剂中的至少1种的水溶液组成的组中的至少1种液体。3.根据权利要求1或2所述的晶片的清洗方法，其特征在于，使所述置换的工序中供给的拒水性化学溶液的温度为70℃以上且低于所述拒水性化学溶液的沸点-10℃。4.一种拒水性化学溶液，其在权利要求1～权利要求3中任一项所述的晶片的清洗方法中使用。