晶片的清洗方法与流程

文档序号:11970834阅读:来源:国知局
技术总结
[课题]提供在表面具有凹凸图案的晶片的制造方法中用于改善容易诱发图案倾塌的清洗工序的清洗方法。[解决方法]所述清洗方法是表面具有凹凸图案的晶片的清洗方法,其至少具有以下工序:用清洗液(8)清洗上述晶片(1)的工序;用拒水性化学溶液(9)置换在清洗后保持于晶片(1)的凹部(4)的清洗液(8)的工序;干燥晶片(1)的工序,上述清洗液(8)包含80质量%以上的沸点为55~200℃的溶剂,通过使上述置换的工序中供给的拒水性化学溶液(9)的温度为40℃以上且低于该拒水性化学溶液(9)的沸点,从而至少使上述凹部表面拒水化。

技术研发人员:公文创一;斋尾崇;荒田忍;斋藤真规;七井秀寿;赤松佳则
受保护的技术使用者:中央硝子株式会社
文档号码:201180063349
技术研发日:2011.12.20
技术公布日:2017.04.12

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