LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及制备方法与流程

技术特征：
1.鸟嘴和场极板上翘点分离的LDMOS晶体管场氧化层隔离结构的制备方法，其特征在于，在生长完场氧化层后，生长栅极氧化层前，包括有以下工艺步骤：1)用硬掩膜覆盖漏区和场氧上的非场极板区域；2)炉管成长牺牲氧化层；3)同向刻蚀，在有源区和场氧区同时向下和向侧向刻去厚度为牺牲氧化层厚度的氧化层；4)刻蚀除去硬掩膜；所述场氧化层的厚度为所述牺牲氧化层的厚度为2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述硬掩膜为氮化硅，厚度为3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度为4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，刻蚀液为4.6％的氢氟酸，刻蚀速率为/分钟。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，采用干法刻蚀方法。6.用权利要求1所述方法制备的LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构，其特征在于，场氧化层与场极板接触部分的上翘点向场氧化层方向横向偏离鸟嘴位置。