倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明属于有机半导体领域，其公开了一种倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法；该器件包括依次层叠的阴极基底、辅助电子传输层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；所述辅助电子传输层的材质为醋酸化合物，所述辅助电子传输层的厚度为10~200nm。本发明提供的倒置底发射有机电致发光器件，无机材料中电子传输速率比有机材料的电子传输速率要高几个数量级，而OLED中的电子传输速率往往比空穴传输速率低2-3个数量级，因此，醋酸化合物为材质的辅助电子传输层的加入可很好的提高电子的传输速率，大大提高器件的发光效率。
【专利说明】倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机半导体领域，尤其涉及一种倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(0LED)。在该双层结构的器件中，IOV下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。
[0003]OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0004]在传统的发光器件中，一般是制备一层电子传输层来提高电子的传输速率，再制备一层电子注入层来提高电子的注入效率，而电子的传输速率通常比空穴的传输速率要低两三个数量级，因此，通常都是将电子传输层进行η掺杂，也即是将电子传输层进行金属掺杂，如Cs盐掺杂到Bphen中，Li盐掺杂到TPBi中，来提高电子传输速率，这种方法采用较多，且可有效提高电子传输速率，但是，有机物与无机物之间蒸发温度不一致，给蒸发温度带来困难，且速率提高的幅度不高，另外，厚度不能做得太薄(低于40nm)，当发光材料与金属电极比较接近的时候，发光材料会与金属电极产生耦合，对激子造成了损失(表面等离子激元波)，厚度太厚(高于100nm)，缺陷增多，则电子陷阱的存在，会使电子或空穴进入到陷阱内，导致激子复合几率降低；所有这些进而影响到电子传输速率的提高，也就导致了发光效率低。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的问题之一在于提供一种可以提高发光效率的倒置底发射有机电致发光器件。
[0006]一种倒置底发射有机电致发光器件，包括依次层叠的阴极基底、辅助电子传输层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；所述辅助电子传输层的材质为醋酸化合物；所述辅助电子传输层的厚度为l(T20nm。
[0007]所述器件中，辅助电子传输层的醋酸化合物为醋酸锌、醋酸钙或醋酸镁。
[0008]所述倒置底发射有机电致发光器件中，其它各功能层的材质及厚度如下:
[0009]所述阴极基底的材质为铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃；
[0010]所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；该电子传输层的厚度为4(T80nm ；[0011]所述发光层的材料为客体材料按照质量百分比f 20%的比例掺杂到主体材料中；所述客体材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱；所述主体材料为1，1-二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺^^以乂队^气卜萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺；所述发光层的厚度为为2~30nm ；[0012]所述空穴传输层的材料为1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺；所述空穴传输层的厚度为2(T60nm ；
[0013]所述空穴注入层的材质选用三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒；所述空穴注入层的厚度为20-80nm ；
[0014]所述阳极层的材质为金属银、铝、钼或金；所述阳极层的厚度为80_250nm。
[0015]本发明所要解决的问题之二在于提供上述倒置底发射有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0016]S1、将阴极基底进行光刻处理，然后清洗，去除阴极基底表面的有机污染物；
[0017]S2、将质量浓度为f 30%的醋酸化合物溶液涂覆在阴极基底表面，烘干，制得厚度为l(T20nm的辅助电子传输层；其中，所述辅助电子传输层的材质为醋酸化合物；
[0018]S3、在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；
[0019]上述工艺步骤完成后，制得所述倒置底发射有机电致发光器件。
[0020]本发明提供的倒置底发射有机电致发光器件，电子传输层在阴极端，避免了激子与金属电极表面等离子激元波现象的产生，同时增强光的散射，增强器件的正面发光强度，有利于器件稳定性的提高；无机材料中电子传输速率比有机材料的电子传输速率要高几个数量级，而OLED中的电子传输速率往往比空穴传输速率低2-3个数量级，因此，醋酸化合物为材质的辅助电子传输层的加入可很好的提高电子的传输速率，大大提高器件的发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1为本发明制得的倒置底发射有机电致发光器件结构示意图；
[0022]图2为实施例1制得的倒置底发射有机电致发光器件与对比例I制得的有机电致发光器的电压与亮度关系图；其中，曲线I表示实施例1制得的倒置底发射有机电致发光器件的电压与亮度曲线；曲线2表示对比例I制得的有机电致发光器件的电压与亮度曲线。
【具体实施方式】
[0023]本发明提供的一种倒置底发射有机电致发光器件，如图1所示，包括依次层叠的阴极基底1、辅助电子传输层2、电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和阳极层7 ;其中，辅助电子传输层2的材质为醋酸化合物，该醋酸化合物为醋酸锌(ZnAc)、醋酸钙(CaAc)或醋酸镁(MgAc);该辅助电子传输层的厚度为l(T200nm ;优选lOOnm。
[0024]倒置底发射有机电致发光器件中，其它各功能层的材质和厚度如下:
[0025]阴极基底I为铟锡氧化物玻璃(IT0)、掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃αζο)，优选为ιτο;其中，铟锡氧化物玻璃，简称ITO玻璃，玻璃为基底，ITO为导电阴极层，行业习惯上撰写为ιτο ;掺铝的氧化锌玻璃和掺铟的氧化锌玻璃类似；
[0026]电子传输层3的材质采用4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，优选为Bphen ;电子传输层3的厚度为40_80nm，优选厚度为60nm ；
[0027]发光层4的材质为客体材料按照质量百分比f 20%的比例掺杂到主体材料中；其中，客体材料为双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(11'細0)2(3。3。))或三(2-苯基吡卩定)合铱(Ir (ppy)3),主体材料为1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (1_萘基)州^，- 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)；发光层的厚度为2-30nm ;发光层4的材料优选为Ir(ppy)3掺杂到中，即TCTA:1r (ppy)3,掺杂质量百分比为15%，发光层优选厚度为15nm ；
[0028]空穴传输层5的材料选用I, 1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1_萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)，优选为TCTA ;空穴传输层5的厚度为20_60nm，优选厚度为40nm ；
[0029]空穴注入层6的材料为三氧化钥(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),优选为MoO3 ;空穴注入层6的厚度为20-80nm，厚度为30nm ；
[0030]阳极层7的材料为银(Ag)、 铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)，优选为Ag ;阳极层7的厚度为80-250nm，优选厚度为150nm。
[0031]本发明提供的倒置底发射有机电致发光器件，以ITO玻璃等为阴极，然后旋涂辅助电子传输层，首先，电子传输层在阴极端，可使发光层靠近阳极，避免了激子与金属电极表面等离子激元波现象的产生，同时，旋涂制备金属氧化物的辅助电子传输层可增强电子的传输速率以外，还可以增强光的散射，使向两侧发射的光集中到器件中部，增强器件的正面发光强度，而所用的金属材料熔点较高，在高温下不发生晶型转变，更有利于器件稳定性的提高，无机材料电子传输速率比有机材料的电子传输速率要高几个数量级，而OLED中的电子传输速率往往比空穴传输速率低2-3个数量级，因此，金属氧化物辅助电子传输层的加入可很好的提闻电子的传输速率，大大提闻发光效率。
[0032]上述倒置底发射有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0033]S1、先将阴极基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，然后清洗阴极基底，即依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇，异丙醇各超声15min，去除阴极基底表面的有机污染物；
[0034]S2、将质量浓度为f 30%的醋酸化合物溶液涂覆在阴极基底的导电阴极层表面，烘干，制得厚度为l(T20nm的辅助电子传输层；其中，辅助电子传输层的材质为醋酸化合物，如，醋酸锌(ZnAc )、醋酸钙(CaAc )或醋酸镁(MgAc )；
[0035]S3、在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；
[0036]上述工艺步骤完成后，制得所述倒置底发射有机电致发光器件。
[0037]上述步骤S2中，醋酸化合物溶液是采用如下方法制得的:[0038]将氧化锌(ZnO)、氧化I丐(CaO)或氧化镁(MgO)溶于醋酸溶液中，配置成质量浓度为广30%的醋酸化合物溶液。
[0039]下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
[0040]以下各实施例和对比例中，制备与测试所用的仪器为:高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强〈IX 10_3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号:2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司，型号:PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学，型号:ST-86LA)。
[0041]实施例1
[0042]先将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除ITO玻璃表面的有机污染物；
[0043]然后，旋涂辅助电子传输层:首先将ZnO加入到醋酸中，配置质量浓度为5%的Zn(Ac)2溶液；其次，将Zn(Ac)2溶液旋涂制备在ITO玻璃的ITO层表面上，控制厚度为IOOnm,然后在100°C烘干,制得Zn(Ac)2材质的辅助电子传输层；
[0044]接着，在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；材料分别为:Bphen、TCTA:1r (ppy) 3 (表示Ir (ppy) 3作为客体材料掺杂到TCTA主体材料中，Ir(ppy)3的掺杂质量百分比为15%)、TCTA、MoO3和Ag ;厚度分别为60nm、15nm、40nm、30nm 以及 150nm ；
[0045]最后，上述工艺完成后，制得倒置底发射有机电致发光器件:玻璃/ITCVZn(Ac)2/Bphen/TCTA:1r (ppy) 3/TCTA/Mo03/Ag。
[0046]实施例2
[0047]先将IZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除IZO玻璃表面的有机污染物；
[0048]然后，旋涂辅助电子传输层:首先将ZnO加入到醋酸中，配置质量浓度为30%的Zn(Ac)2溶液；其次，将Zn(Ac)2溶液旋涂制备在IZO玻璃的IZO层表面上，控制厚度为200nm,然后在100°C烘干,制得Zn (Ac) 2材质的辅助电子传输层；
[0049]接着，在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层(材料为TPBi，厚度为80nm)、发光层(材料为Ir (MDQ)2(acac)作为客体材料掺杂到NPB主体材料中，表示为NPB:1r (MDQ)2(acac), Ir (MDQ)2 (acac)的掺杂质量百分比为1% ;厚度为2nm)、空穴传输层(材料为NPB，厚度为60nm)、空穴注入层(材料为WO3,厚度为20nm)和阳极层(材料为Al，厚度为 250nm)；
[0050]上述工艺完成后，制得倒置底发射有机电致发光器件:玻璃/IZ0/Zn(Ac)2/TPBi/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /NPB/W03/A1。
[0051]实施例3
[0052]先将IZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除IZO玻璃表面的有机污染物；
[0053]然后，旋涂辅助电子传输层:首先将CaO加入到醋酸中，配置质量浓度为1%的Ca (Ac) 2溶液；其次，将Ca (Ac) 2溶液旋涂制备在IZO玻璃的IZO层表面上，控制厚度为10nm，然后在100°C烘干，制得Ca(Ac)2M质的辅助电子传输层；
[0054]接着，在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层(材料为Bphen，厚度为80nm);发光层(材料为Firpic作为客体材料掺杂到TAPC主体材料中，表示为TAPC: Firpic，Firpic的掺杂质量百分比为18% ;厚度为30nm)、空穴传输层(材料为TCTA，厚度为20nm)、空穴注入层(材料为V2O5,厚度为80nm)和阳极层(材料为Au，厚度为120nm)；
[0055]述工艺完成后，制得倒置底发射有机电致发光器件:玻璃/IZ0/Ca(Ac)2/Bphen/TAPC:Firpic/TCTA/V205/Au。
[0056]实施例4
[0057]先将AZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除AZO玻璃表面的有机污染物；
[0058]然后，旋涂辅助电子传输层:首先将MgO加入到醋酸中，配置质量浓度为20%的Mg(Ac)2溶液；其次，将18“(:)2溶液旋涂制备在AZO玻璃的AZO层表面上，控制厚度为80nm，然后在100°C烘干，制得Mg(Ac)2M质的辅助电子传输层；
[0059]接着，在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层(材料为TAZ，厚度为45nm);发光层(材料为Ir (ppy) 3作为客体材料掺杂到NPB主体材料中，表示为NPB:1r (ppy) 3, Ir (ppy) 3的掺杂质量百分比为8% ;厚度为15nm)、空穴传输层(材料为NPB，厚度为20nm)、空穴注入层(材料为WO3，厚度为80nm)和阳极层(材料为Pt，厚度为80nm)；
[0060]述工艺完成后，制得倒置底发射有机电致发光器件:玻璃/AZO/Mg (Ac) 2/TAZ/NPB:1r (ppy) 3/NPB/W03/Pt。
[0061]实施例5
[0062]先将IZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除IZO玻璃表面的有机污染物；
[0063]然后，旋涂辅助电子传输层:首先将CaO加入醋酸中，配置质量浓度为1%的Ca (Ac) 2溶液，其次，将Ca (Ac) 2溶液旋涂制备在IZO玻璃的IZO层表面上，控制厚度为10nm，然后在100°C烘干，制得Ca(Ac)2M质的辅助电子传输层；
[0064]接着，在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层(材料为Bphen，厚度为80nm);发光层(材料为Ir(ppy)3作为客体材料掺杂到TAPC主体材料中，表示为TAPCiIr (ppy) 3, Ir (ppy) 3的掺杂质量百分比为18%;厚度为30nm)、空穴传输层(材料为TCTA，厚度为20nm)、空穴注入层(材料为V2O5,厚度为80nm)和阳极层(材料为Au，厚度为120nm)；
[0065]述工艺完成后，制得倒置底发射有机电致发光器件:玻璃/IZO/Ca(Ac)2/Bphen/TAPC:1r (ppy) 3/TCTA/V205/Au。
[0066]实施例6
[0067]先将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除ITO玻璃表面的有机污染物；
[0068]然后，旋涂辅助电子传输层:首先将ZnO加入醋酸中，配置质量浓度为1%的Zn (Ac) 2溶液；其次，将Zn (Ac) 2溶液旋涂制备在ITO玻璃的ITO层表面上，控制厚度为10nm，然后在100°C烘干，制得Zn(Ac)2M质的辅助电子传输层；
[0069]接着，在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层(材料为TPBi，厚度为80nm);发光层(材料为Firpic作为客体材料掺杂到TCTA主体材料中，表示为TCTA:Firpic，Firpic的掺杂质量百分比为18% ;厚度为30nm)、空穴传输层(材料为TCTA，厚度为20nm)、空穴注入层(材料为V2O5,厚度为80nm)和阳极层(材料为Au，厚度为120nm)；
[0070]述工艺完成后，制得倒置底发射有机电致发光器件:玻璃/IT0/Zn(Ac)2/TPBi/TCTA:Firpic/TCTA/V205/Au。
[0071]实施例7
[0072]先将IZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除IZO玻璃表面的有机污染物；
[0073]然后，旋涂辅助电子传输层:首先将CaO加入醋酸中，配置质量浓度为5%的Ca (Ac) 2溶液；其次，将Ca (Ac) 2溶液旋涂制备在IZO玻璃的ITO层表面上，控制厚度为10nm，然后在100°C烘干，制得Ca(Ac)2M质的辅助电子传输层；
[0074]接着，在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层(材料为Bphen，厚度为80nm);发光层(材料为Firpic作为客体材料掺杂到NPB主体材料中，表示为NPB:Firpic，Firpic掺杂质量百分比为15% ;厚度为35nm)、空穴传输层(材料为NPB，厚度为20nm)、空穴注入层(材料为MoO3,厚度为80nm)和阳极层(材料为Au，厚度为120nm)；
[0075]述工艺完成后，制得倒置底发射有机电致发光器件:玻璃/IZO/Ca(Ac)2/Bphen/NPB:Firpic/NPB/Mo03/Auo
[0076]实施例8
[0077]先将AZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除AZO玻璃表面的有机污染物；
[0078]然后，旋涂辅助电子传输层:首先将MgO加入醋酸中，配置质量浓度为2%的Mg (Ac) 2溶液；其次，将Mg (Ac) 2溶液旋涂制备在AZO玻璃的AZO层表面上，控制厚度为15nm,然后在100°C烘干，制得Mg(Ac)2M质的辅助电子传输层；
[0079]接着，在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层(材料为TAZ，厚度为80nm);发光层(材料为Ir (MDQ)2 (acac)作为客体材料掺杂到TAPC主体材料中，表示为TAPC:1r (MDQ) 2 (acac)，Ir (MDQ) 2 (acac)的掺杂质量百分比为8% ;厚度为10nm)、空穴传输层(材料为TCTA，厚度为30nm)、空穴注入层(材料为V2O5，厚度为80nm)和阳极层(材料为Au，厚度为120nm)；
[0080]述工艺完成后，制得倒置底发射有机电致发光器件:玻璃/AZO/Mg (Ac) 2/TAZ/TAPC:1r (MDQ) 2 (acac) /TCTA/V205/Au。
[0081]实施例9
[0082]先将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除ITO玻璃表面的有机污染物；
[0083]然后，旋涂辅助电子传输层:首先将MgO加入醋酸中，配置质量浓度为1%的Mg (Ac) 2溶液；其次，将Mg (Ac) 2溶液旋涂制备在ITO玻璃的ITO层表面上，控制厚度为10nm，然后在100°C烘干，制得Mg(Ac)2M质的辅助电子传输层；
[0084]接着，在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层(材料为Bphen，厚度为60nm);发光层(材料为Ir (MDQ)2 (acac)作为客体材料掺杂到TCTA主体材料中，表示为TCTA:1r (MDQ)2 (acac)，Ir (MDQ) 2 (acac)的掺杂质量百分比为5% ;厚度为30nm)、空穴传输层(材料为TAPC，厚度为50nm)、空穴注入层(材料为WO3,厚度为80nm)和阳极层(材料为Al，厚度为 120nm)；[0085]述工艺完成后，制得倒置底发射有机电致发光器件:玻璃/IT0/Mg(AC)2/Bphen/TCTA:1r (MDQ) 2 (acac) /TAPC/W03/A1。
[0086]对比例I
[0087]先将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除ITO玻璃表面的有机污染物；
[0088]然后，在ITO玻璃的ITO层表面上依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、和阴极层；材料分别为:Mo03、TCTA、TCTA:1r (PPy)3 (表示Ir (ppy) 3作为客体材料掺杂到TCTA主体材料中，Ir(ppy)3的掺杂质量百分比为15%)、Bphen、和Al ;厚度分别为30nm、40nm、15nm、60nm、以及 150nm ；
[0089]上述工艺完成后，制得有机电致发光器件:玻璃/ITO/MoO/TCTA/TCTA:1r (ppy)3/Bphen/Al。
[0090]图2为实施例1制得的倒置底发射有机电致发光器件与对比例I制得的有机电致发光器的电压与亮度关系图；其中，曲线I表示实施例1制得的倒置底发射有机电致发光器件的电压与亮度曲线；曲线2表示对比例I制得的有机电致发光器件的电压与亮度曲线。
[0091]从图2上可以看到，在不同电压下，实施例1的制得倒置底发射有机电致发光器件的亮度都比对比例I的要大，在IOV时，实施例1的亮度为29081cd/m2，而对比例I制得的有机电致发光器的亮度仅为17234cd/m2 ;这都说明，电子传输层在阴极端，避免了激子与金属电极表面等离子激元波现象的产生，同时，旋涂制备的出算化合物还可以增强光的散射，增强器件的正面发光强度，进而提高器件的发光效率。
[0092]应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阴极基底、辅助电子传输层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；所述辅助电子传输层的材质为醋酸化合物，所述辅助电子传输层的厚度为l(T200nm。
2.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述醋酸化合物为醋酸锌、醋酸钙或醋酸镁。
3.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极基底的材质为铟锡氧化物玻璃、掺招的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃。
4.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；该电子传输层的厚度为4 (T80nm。
5.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为客体材料按照质量百分比广20%的比例掺杂到主体材料中；所述客体材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱；所述主体材料为1，1-二 [^[Ν,Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1_萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺；所述发光层的厚度为为2~30nm。
6.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为1，1-二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺；所述空穴传输层的厚度为2(T60nm。
7.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质选用三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒；所述空穴注入层的厚度为20-80nm。
8.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极层的材质为金属银、铝、钼或金；所述阳极层的厚度为80-250nm。
9.权利要求1至8任一所述倒置底发射有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: .51、将阴极基底进行光刻处理，然后清洗，去除阴极基底表面的有机污染物； .52、将质量浓度为f30%的醋酸化合物溶液涂覆在阴极基底表面，烘干，制得厚度为.l(T20nm的辅助电子传输层；其中，所述辅助电子传输层的材质为醋酸化合物； .53、在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层； 上述工艺步骤完成后，制得所述倒置底发射有机电致发光器件。
【文档编号】H01L51/56GK103579513SQ201210264217
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年7月27日 优先权日:2012年7月27日
【发明者】周明杰, 王平, 黄辉, 陈吉星 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司