专利名称：一种oled金属氧化物及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种OLED液晶显示技术，尤其涉及一种OLED金属氧化物及其制造方法。
背景技术：
有机电激发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,0LED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。由于不需要背光的特性，使得OLED非常适合作为透明显示器之用，但主动式 AM-OLED的背板(Back-plane)架构较传统TFT复杂，图I所示现有AM-OLED液晶显示面板的结构示意图，AM-0LED60需要至少两个TFT40、50进行驱动，除了数据线(Data Line) 10与扫描线(Scanning Line) 30外,还需要提供电流的电源供应线(Source Line) 20, TFT与各信号线多以不透光的金属构成，在配置OLED发光架构时就会影响发光区域连同透光区域也受到限制。OLED为有机发光层上下之共通电极与透明电极提供电流通过有机层产生光线，共通电极一般亦使用不透光的金属制作，配置在信号线外的区域，亦即发光区域多在非信号线与TFT区域，此种配置以提高发光面积为主，但透明性则受到不透光的区域与发光区域影响。
发明内容
本发明揭示一种保证发光区域面积的同时，又有效提升透明区域，充分表现OLED的特色与优点的OLED金属氧化物及其制造方法。本发明提供一种OLED金属氧化物，包括扫描线；第二 TFT金属连接线；数据线，与扫描线垂直交叉；电流供应线，与数据线平行间隔；绝缘层；第一 TFT，包括与扫描线连接的第一栅极、与数据线连接的第一源极、以及位于绝缘层上的第一 TFT半导体层；第二TFT，包括与第二 TFT金属连接线连接的第二栅极、与电流供应线连接的第二源极、位于绝缘层上的第二 TFT半导体层；共通电极，覆盖所述扫描线、第二 TFT金属连接线、数据线、电流供应线、第二 TFT、以及第二 TFT，且第二漏极部分露出共通电极；有机发光层，位于共通电极上；透明电极，位于有机发光层上，且透明电极与第二漏极连接。本发明又提供一种OLED金属氧化物一种OLED金属氧化物的制造方法，包括如下步骤A)形成扫描线、信号线、电流供应线、绝缘层、第一 TFT、以及第二 TFT，第一 TFT包括第一栅极、第一源极、以及第一 TFT半导体层，第二 TFT包括第二栅极、第二源极以及第二TFT半导体层；B)形成上述图案的基础上形成，覆盖一层共通电极，该共通电极覆盖整个扫描线、信号线、电流供应线、第一 TFT、以及第二 TFT，并只露出部分的第二漏极；
C)在形成上述图案的基础上，形成与共通电极接触的第一孔、以及与第二漏极接触的第二孔，接着在第一孔内形成有机发光层；D)在形成上述图案的基础上，形成作为覆盖有机发光层的透明电极，该透明电极延伸至第二孔的内部并延伸至第二漏极。本发明通过在背板上的共通电极作为主要发光区域，并使共通电极覆盖扫描线、信号线、电流供应线、第一 TFT和第二 TFT，再将顶侧的透明电极经由孔连接至第二漏极，在共通电极与透明电极间形成OLED发光层，如此在框状的共通金属外形成透明区域，可以有效提高OLED显示器的透明度。
图I是现有液晶显不面板的结构不意图；图2是本发明OLED金属氧化物的结构示意图；图2A是图2在B-B’方向的剖视图；图3是本发明OLED金属氧化物的另一角度的结构示意图；图3A是图3在A-A’方向的剖视图；图4是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；图4A是图4在B-B’方向的剖视图；图4是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；图4A是图4在B-B’方向的剖视图；图5是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；图5A是图5在B-B’方向的剖视图；图6是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；图6A是图6在B-B’方向的剖视图；图7是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；图7A是图7在B-B’方向的剖视图；图8是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；图8A是图8在B-B’方向的剖视图；图9是本发明OLED金属氧化物第二实施例的结构示意图；图9A是图9在B-B’方向的剖视具体实施例方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。本发明揭示一种OLED金属氧化物，图2至4A为本OLED显示器的结构示意图，其中图3为了能显示本OLED显示器的内部结构，故将共通电极80和有机发光层100放在底层，本图的实际样式的图可参照图9。本OLED显示器包括位于玻璃基板(图未示)的扫描线10、第二 TFT金属连接线20、绝缘层30、数据线50、电流供应线60、第一 TFT、第二 TFT、第一保护层70、共通电极80、第二保护层90、有机发光层100、透明电极110。所述扫描线10、第二 TFT金属连接线20位于玻璃基板上且一起形成。所述数据线50与电流供应线60 —起形成。所述扫描线10和第二 TFT金属连接线20位于本OLED金属氧化物的最底层。所述第一 TFT包括与扫描线10连接且与扫描线10 —起形成的第一栅极11、位于绝缘层30上的第一 TFT半导体层41、与第一 TFT 半导体层41 一端接触的第一源极51、以及与第一 TFT半导体层41另一端接触的第一漏极52，所述第一源极51与所述数据线50连接且与数据线50 —起形成，所述第一漏极52的另一端与第二 TFT金属连接线20接触。所述第二 TFT包括与第二 TFT金属连接线20连接且与第二 TFT金属连接线20一起形成的第二栅极21、位于绝缘层30上的第二 TFT半导体层42、与第二 TFT半导体层42一端接触的第二源极61、以及与第二 TFT半导体层42另一端接触的第二漏极62，所述第二源极61与所述电流供应线60连接且与电流供应线60 —起形成，所述第二漏极62也与数据线50与电流供应线60 —起形成。所述共通电极80位于第一保护层70上，该共通电极80作为OLED的阴极，该共通电极80覆盖整个扫描线10、信号线50和电流供应线60，并只露出第二漏极62。所述有机发光层100位于共通电极80上，所述透明电极110作为本OLED显示器的阳极，透明电极Iio覆盖在有机发光层100上，且透明电极100与第二漏极62接触连接，通过与第二漏极62连接，为透明电极110提供电源。本发明OLED金属氧化物通过形成透明电极110，在没有电极区的地方形成透明区120。以下为本发明OLED显示器的制造方法第一实施例。第一步如图4和图4A，在玻璃基板(图未示)上形成扫描线10、与扫描线10连接的第一栅极11、第二 TFT金属连接线20、以及与第二 TFT金属连接线20连接的第二栅极21。第二步如图5和图5A，在形成第一步图案的基础上，形成绝缘层30，并在绝缘层30上形成TFT半导体层，然后通过蚀刻形成第一 TFT半导体层41和第二 TFT半导体层42，且所述第一 TFT半导体层41位于第一栅极11的上方，第二 TFT半导体层42位于第二栅极21的上方。第三步如图6和图6A，在形成第二步图案的基础上，在绝缘层30开设有与第二TFT金属连接线20接触的接触孔，然后覆盖一层金属线，接着通过蚀刻形成信号线50、与信号线50连接的第一源极51、第二漏极52、电流供应线60、与电流供应线60连接的第二源极61、第二漏极62。第一源极51与信号线50连接，且第一源极51与第一 TFT半导体层41接触。所述第二漏极52的部分位于绝缘层30形成的接触孔内，且第二漏极52 —端与第
二TFT金属连接线20接触，第二漏极52另一端与第一 TFT半导体层41接触并位于第一TFT半导体层41的上方。第二源极61与电流供应线60连接，且第二源极61与第二 TFT半导体层42接触。第二漏极62位于所述第二 TFT半导体层42上方并与第二 TFT半导体层42接触。第四步如图7和图7A，在形成第三步图案的基础上，先在覆盖一层第一保护层70，然后在覆盖第一保护层70的基础上形成作为阴极的共通电极80，该共通电极80覆盖整个扫描线10、信号线50和电流供应线60，并只露出位于第一保护层70内的第二漏极62。第五步如图8和图8A，在形成第四步图案的基础上，形成覆盖共通电极80的第二保护层90，然后在第二保护层90上形成与共通电极80接触的第一孔(图未示)、以及与第二漏极62接触的孔91，接着在第一孔内形成有机发光层100。所述第一孔的宽度小于所述共通电极80的宽度，故形成的有机发光层100小于所述共通电极80的宽度。第六步如图9和图9A，在形成第五步图案的基础上，形成作为阳极的透明电极110，该透明电极110覆盖在有机发光层100、并位于第二孔91的内部并延伸至第二漏极62上，即实现透明电极110与第二漏极62连接，实现第二漏极62为透明电极110供电。通过形成透明电极110，在没有电极区的地方形成透明区120。 图10和图IOA是本发明的第二实施例，本实施例与上述第一实施例不同的是，共通电极上可不加保护层，直接以有机发光层覆盖共通电极，再以透明电极全面覆盖，减少了一层保护层后，透明度可提升。在制造方法上，本实施缺少上述第一实施例步骤五中的形成第二保护层90，有机发光层100直接覆盖在共通电极80上，所述孔贯穿第一保护层70与第二漏极62连通，且所述透明电极110全面覆盖在整个图案上，且透明电极110与第二漏极62接触。本第二实施例的制造方法的步骤如下第一步在玻璃基板(图未示)上形成扫描线10、与扫描线10连接的第一栅极11、第二 TFT金属连接线20、以及与第二 TFT金属连接线20连接的第二栅极21。第二步在形成第一步图案的基础上，形成绝缘层30，并在绝缘层30开设有第一TFT半导体层41和第二 TFT半导体层42，且所述第一 TFT半导体层41。第三步在形成第二步图案的基础上，在绝缘层30上形成与第二 TFT金属连接线20接触的接触孔，并接着形成信号线50、与信号线50连接的第一源极51、第二漏极52、电流供应线60、与电流供应线60连接的第二源极61、第二漏极62。第四步在形成第三步图案的基础上，先在覆盖一层第一保护层70，然后在覆盖第一保护层70的基础上形成作为阴极的共通电极80，该共通电极80覆盖整个扫描线10、信号线50和电流供应线60，并只露出位于第一保护层70内的第二漏极62。第五步在形成第四步图案的基础上，在第一保护层70上形成与共通电极80接触的第一孔(图未示)、以及与第二漏极62接触的孔91，接着在第一孔内形成有机发光层100。第六步在形成第五步图案的基础上，形成作为阳极的透明电极110，该透明电极110覆盖在有机发光层100、并位于孔91的内部并延伸至第二漏极62上，即实现透明电极110与第二漏极62连接。本发明通过将共通电极覆盖信号线、数据线及电流供应线的金属框架，并通过将共通电极上设置接触孔使共通电极与有机发光层接触，再通过从共通电极下的第二漏极经孔导通上方的透明电极覆盖，从而使达到发光处以不透光的共通电极为主，其余区域作为透明电极，提升整个OLED显示器的透明度。
权利要求
1.一种OLED金属氧化物，其特征在于，包括 扫描线； 第二 TFT金属连接线； 数据线，与扫描线垂直交叉； 电流供应线，与数据线平行间隔； 绝缘层； 第一 TFT，包括与扫描线连接的第一栅极、与数据线连接的第一源极、以及位于绝缘层上的第一 TFT半导体层； 第二 TFT，包括与第二 TFT金属连接线连接的第二栅极、与电流供应线连接的第二源极、位于绝缘层上的第二 TFT半导体层； 共通电极，覆盖所述扫描线、第二 TFT金属连接线、数据线、电流供应线、第二 TFT、以及第二 TFT，且第二漏极部分露出共通电极； 有机发光层，位于共通电极上； 透明电极，位于有机发光层上，且透明电极与第二漏极连接。
2.如权利要求I所述的OLED金属氧化物，其特征在于所述绝缘层上设有第一保护层，所述共通电极位于第一保护层上。
3.如权利要求2所述的OLED金属氧化物，其特征在于所述共通电极上设有第二保护层，所述第二保护层上开设有与共通电极连接的第一孔，所述有机发光层位于第一孔内。
4.如权利要求3所述的OLED金属氧化物，其特征在于还包括贯穿第二保护层、第一保护层和绝缘层并与第二漏极连接的第二孔，所述透明电极穿过该第二孔与第二漏极连接。
5.如权利要求2所述的OLED金属氧化物，其特征在于所述有机发光层覆盖在共通电极上。
6.如权利要求5所述的OLED金属氧化物，其特征在于还包括贯穿第一保护层和绝缘层并与第二漏极连接的第二孔，所述透明电极穿过该第二孔与第二漏极连接。
7.如权利要求I所述的OLED金属氧化物，其特征在于所述扫描线和第二TFT金属连接线同层金属形成的，所述数据线和电流供应线同层金属形成的。
8.一种OLED金属氧化物的制造方法，其特征在于，包括如下步骤 A)形成扫描线(10)、信号线(50)、电流供应线(60)、绝缘层(30)、第一TFT、以及第二TFT，第一 TFT包括第一栅极(11)、第一源极(51)、以及第一 TFT半导体层(41)，第二 TFT包括第二栅极(21)、第二源极(61以及第二 TFT半导体层(42)； B)形成上述图案的基础上形成，覆盖一层共通电极(80)，该共通电极(80)覆盖整个扫描线(10)、信号线(50)、电流供应线(60)、第一 TFT、以及第二 TFT，并只露出部分的第二漏极(62)； C)在形成上述图案的基础上，形成与共通电极(80)接触的第一孔、以及与第二漏极(62)接触的第二孔(91)，接着在第一孔内形成有机发光层(100)； D)在形成上述图案的基础上，形成作为覆盖有机发光层(100)的透明电极(110)，该透明电极(110)延伸至第二孔(91)的内部并延伸至第二漏极(62)。
9.根据权利要求8所述的OLED金属氧化物的制造方法，其特征在于，所述步骤C)，在形成有机发光层(100)之前，先形成覆盖共通电极(80)的第二保护层(90)，然后在第二保护层(90)上形成与共通电极(80)接触的第一孔、以及与第二漏极62接触的第二孔91。
10.根据权利要求8所述的OLED金属氧化物的制造方法，其特征在于，所述步骤A)包括如下步骤 Al)形成扫描线(10)、与扫描线(10)连接的第一栅极(11 )、第二 TFT金属连接线(20)、以及与第二 TFT金属连接线(20)连接的第二栅极(21)； A2)在形成上述图案的基础上，形成绝缘层(30)，并在绝缘层(30)上形成第一 TFT半导体层(41)和第二 TFT半导体层(42)； A3)在形成上述图案的基础上，在绝缘层(30)开设有与第二 TFT金属连接线(20)接触的接触孔，接着形成信号线(50)、与信号线(50)连接的第一源极(51)、第二漏极(52)、电流供应线(60)、与电流供应线(60)连接的第二源极(61)、第二漏极(62)，第二漏极(62)—端通过所述接触孔与第二 TFT金属连接线20接触。
全文摘要
本发明提供一种OLED金属氧化物及其制造方法，包括扫描线；第二TFT金属连接线；数据线；电流供应线；绝缘层；第一TFT；第二TFT；共通电极，覆盖所述扫描线、第二TFT金属连接线、数据线、电流供应线、第二TFT、以及第二TFT，且第二漏极部分露出共通电极；有机发光层，位于共通电极上；透明电极，位于有机发光层上，且透明电极与第二漏极连接。本发明通过在背板上的共通电极作为主要发光区域，并使共通电极覆盖扫描线、信号线、电流供应线、第一TFT和第二TFT，再将顶侧的透明电极经由孔连接至第二漏极，在共通电极与透明电极间形成OLED发光层，如此在框状的共通金属外形成透明区域，可以有效提高OLED显示器的透明度。
文档编号H01L27/32GK102760750SQ20121026511
公开日2012年10月31日 申请日期2012年7月27日 优先权日2012年7月27日
发明者洪孟逸 申请人:南京中电熊猫液晶显示科技有限公司