一种大功率led的封装工艺的制作方法

文档序号:7128675阅读:180来源:国知局
专利名称:一种大功率led的封装工艺的制作方法
技术领域
本发明涉及一种封装工艺,特别是一种大功率LED的封装工艺。
背景技术
大功率LED生产过程中,在大功率LED的半导体芯片做好后,为了使半导体芯片免受机械应力、热应力、有害气体以及放射线等外部环境的影响,需要对半导体芯片进行封装和保护处理。封装后一方面可以保证半导体器件最大限度的发挥它的电学特性而正常工作,提高其使用寿命,另一方面通过封装也将会使应用更加方便。随着大功率LED的进一步推广运用,用户对大功率LED的可靠性要求越来越高,不适当的封装方法会降低LED生产的成品率,缩短大功率LED的使用寿命,提高企业的生产成 本,因此,研发更为完善先进的LED封装技术具有重要的现实意义。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供一种工艺更为合理、可操作性强的一种大功率LED的封装工艺。本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本发明是一种大功率LED的封装工艺,其特点是,其步骤如下选用表面列机械损伤、尺寸和电极大小符合工艺要求的大功率LED的芯片,采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张,将芯片之间的间距拉伸到0. 5-0. 7mm ;然后在LED支架的对应位置上点上银胶层或者绝缘胶层来固定芯片;将芯片置于刺片装置的夹具上,将LED支架置于夹具的下方,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到LED支架相应的位置上;烧结,使银胶固化;采用金丝球焊将电极压焊到LED芯片上,连接LED的内外引线;然后将压焊好的LED支架放入模具中,将模具合模并抽真空,环氧树脂加热后进入各个LED成型槽中并固化成型,即得。本发明所述的大功率LED的封装工艺技术方案中所述的LED的芯片的最佳基板材料为硅片,且硅片的厚度优选190-210 iim。芯片面积优选为I. 2 XL 5mm2。与现有技术相比,本发明方法工艺设计合理,体现了制作成本和材料性能的最佳统一,有利于热量的传导,散热效果好,同时有效的提高了大功率LED的发光效率。
具体实施例方式实施例1,一种大功率LED的封装工艺,其步骤如下选用表面列机械损伤、尺寸和电极大小符合工艺要求的大功率LED的芯片,采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张,将芯片之间的间距拉伸到0. 5-0. 7mm ;然后在LED支架的对应位置上点上银胶层或者绝缘胶层来固定芯片;将芯片置于刺片装置的夹具上,将LED支架置于夹具的下方,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到LED支架相应的位置上;烧结,使银胶固化;采用金丝球焊将电极压焊到LED芯片上,连接LED的内外引线;然后将压焊好的LED支架放入模具中,将模具合模并抽真空,环氧树脂加热后进入各个LED成型槽中并固化成型,即得。
实施例2,实施例I所述的大功率LED的封装工艺中所述的LED的芯片的基板材料为硅片,且硅片的厚度190-210 iim。
实施例3,实施例I或2所述的大功率LED的封装工艺中芯片面积为I. 2X1.5mm2 n
权利要求
1.一种大功率LED的封装工艺,其特征在于,其步骤如下选用表面列机械损伤、尺寸和电极大小符合工艺要求的大功率LED的芯片,采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张,将芯片之间的间距拉伸到0. 5-0. 7mm ;然后在LED支架的对应位置上点上银胶层或者绝缘胶层来固定芯片;将芯片置于刺片装置的夹具上,将LED支架置于夹具的下方,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到LED支架相应的位置上;烧结,使银胶固化;采用金丝球焊将电极压焊到LED芯片上,连接LED的内外引线;然后将压焊好的LED支架放入模具中,将模具合模并抽真空,环氧树脂加热后进入各个LED成型槽中并固化成型,即得。
2.根据权利要求I所述的大功率LED的封装工艺,其特征在于所述的LED的芯片的基板材料为硅片,且硅片的厚度190-210 iim。
3.根据权利要求I或2所述的大功率LED的封装工艺,其特征在于芯片面积为I.2XL 5mm2。
全文摘要
一种大功率LED的封装工艺,选用表面列机械损伤、尺寸和电极大小符合工艺要求的大功率LED的芯片,采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张,将芯片之间的间距拉伸到0.5-0.7mm;然后在LED支架的对应位置上点上银胶层或者绝缘胶层来固定芯片;将芯片置于刺片装置的夹具上,将LED支架置于夹具的下方,将LED芯片一个一个刺到LED支架相应的位置上;烧结,使银胶固化;采用金丝球焊将电极压焊到LED芯片上,连接LED的内外引线;然后将压焊好的LED支架放入模具中固化成型。本发明方法工艺设计合理,体现了制作成本和材料性能的最佳统一,有利于热量的传导,散热效果好,同时有效的提高了大功率LED的发光效率。
文档编号H01L33/64GK102832323SQ20121032297
公开日2012年12月19日 申请日期2012年9月4日 优先权日2012年9月4日
发明者刘淑娟, 何雷, 张佃环 申请人:江苏尚明光电有限公司
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