一种磁随机存取存储器及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种磁随机存取存储器及其制造方法，涉及半导体【技术领域】。本发明提供的磁随机存取存储器，通过增加在金属线、对准标记和交叠标记的上方形成保护层的步骤，有效防止了、对准标记和交叠标记被氧化，提高了制造的器件的性能和良率。而本发明提供的磁随机存取存储器，通过在磁随机存取存储器的结构中，在金属线、对准标记和交叠标记的上方形成保护层，有效防止了对准标记和交叠标记被氧化，提高了器件的性能和良率。
【专利说明】一种磁随机存取存储器及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】，具体而言涉及一种磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。
【背景技术】
[0002]在半导体【技术领域】中，磁随机存取存储器(MRAM)是一种非挥发性随机存取存储器技术，它可以取代动态随机存取存储器(DRAM)成为计算设备中的标准存储器。MRAM中包括这样一个结构，其中铁磁层由一层绝缘非磁性层(势垒)隔开，构成一个磁隧道结(MTJ)。一种现有的MRAM器件结构是基于场效应晶体管(FET)的配置，每个MRAM单元除包括一个MTJ夕卜，还包括一个与之相连的选择晶体管。在常规的基于FET的MRAM中，MTJ通常形成在导电金属线(一般为铜)上。
[0003]在半导体器件的连线后端(Back End of Line, BEOL)处理期间形成MRAM器件的一个挑战是MTJ与下面的金属层的光刻对准。在大多数的常规BEOL处理方法中，所用的电介质薄膜式光学透明的，因此使得光刻机能够看到下面的金属层对准标记，以便与其对准。然而，因为MTJ金属叠层是不透明的(即MTJ本身不透明)，所以MTJ下方的金属层的对准标记就看不到。于是，在现有技术中，MTJ的对准标记(alignment mark)—般是开放的，即在对准标记的上方没有MTJ金属叠层，直接暴露于空气中。
[0004]在现有技术中，MRAM器件一般可分为核心区(core area)、对准标记(alignmentmark)区和交叠标记(overlay mark)区。核心区的与MTJ相连的金属线、对准标记(alignment mark)区的对准标记和交叠标记(overlay mark)区的交叠标记(也为一种对位标记)一般均由同一金属层制得，其材料一般为铜(Cu)。由于铜暴露在空气中很容易被氧化，而对位标记又是开放的，因此，对准标记和交叠标记往往非常容易被氧化，以致影响后续膜层对位以及器件良率。
[0005]因此,为了提高器件的性能和良率,发明一种可以避免alignment mark和overlaymark被氧化的磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法，是一个亟待解决的问题。
【发明内容】
[0006]针对现有技术的不足，本发明提供一种磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。
[0007]本发明一方面提供一种磁随机存储器的制造方法，包括:
[0008]步骤SlOl:提供前端器件，所述前端器件包括形成有金属线的核心区、形成有对准标记的对准标记区和形成有交叠标记的交叠标记区；
[0009]步骤S102:在所述前端器件上形成覆盖所述金属线的金属线保护层、覆盖所述对准标记的对准标记保护层、覆盖所述交叠标记的交叠标记保护层，其中，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的材料均为透明导电材料；
[0010]步骤S103:在所述前端器件上形成平坦化层，所述平坦化层位于同一层中的相邻的所述金属线保护层、对准标记保护层以及交叠标记保护层之间；[0011]步骤S104:在所述前端器件的核心区形成磁隧道结，所述磁隧道结位于所述金属线保护层的上方并通过所述金属线保护层与所述金属线相连接。
[0012]进一步的，所述步骤S102包括:
[0013]在所述前端器件上形成一层导电材料层；
[0014]在所述前端器件上形成一层图形化的光刻胶，其中，所述金属线、对准标记和交叠标记的上方保留有光刻月父;
[0015]刻蚀去除所述透明导电材料层未被所述图形化的光刻胶所覆盖的部分；
[0016]去除所述图形化的光刻胶。
[0017]优选的，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的材料为同一材料，且该材料为招铜合金。
[0018]其中，所述步骤S103包括:
[0019]通过高密度等离子体沉积工艺在所述前端器件上形成一层平坦化薄膜；
[0020]通过化学机械抛光工艺对所述平坦化薄膜进行抛光处理，去除所述平坦化薄膜位于所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的上表面的部分。
[0021]其中，所述步骤S104包括:
[0022]在所述前端器件上形成一层磁隧道结材-料层，所述磁隧道结材料层包括位于所述核心区的部分和位于所述交叠标记区的部分；
[0023]对所述磁隧道结材料层进行刻蚀处理，在所述核心区形成磁隧道结。
[0024]其中，在所述步骤S104中，在形成磁隧道结的同时，还在所述交叠标记区形成磁隧道结校准标记。
[0025]进一步的，在所述步骤S103和步骤S104之间，还包括刻蚀划线槽的步骤。
[0026]其中，所述刻蚀划线槽的步骤包括:
[0027]在所述前端器件上形成一层图案化的另一光刻胶，所述另一光刻胶覆盖所述核心区和交叠标记区并覆盖所述对准标记区的对准标记；
[0028]利用所述另一光刻胶为掩模进行刻蚀，在所述对准标记区的平坦化层上刻蚀出划线槽。
[0029]另一方面，本发明实施例提供一种磁随机存取存储器，包括前端器件和磁隧道结，所述前端器件包括形成有金属线的核心区、形成有对准标记的对准标记区和形成有交叠标记的交叠标记区，其中，所述磁随机存取存储器还包括位于所述金属线的上方形成有金属线保护层、位于所述对准标记的上方的对准标记保护层以及位于所述交叠标记的上方的交叠标记保护层；所述磁隧道结位于所述金属线保护层的上方并通过所述金属线保护层与所述金属线相连接；其中，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层均为透明导电材料。
[0030]优选的，所述金属线保护层，对准标记保护层和交叠标记保护层为同一材料，且所采用的材料为铝铜合金。
[0031]优选的，所述对准标记位于所述磁随机存取存储器的划线槽区域。
[0032]进一步的，所述磁随机存取存储器还包括平坦化层，所述平坦化层位于同一层中的相邻的所述金属线保护层、对准标记保护层以及交叠标记保护层之间。
[0033]进一步的，所述磁随机存取存储器还包括设置于所述交叠标记区的磁隧道结校准标记。
[0034]本发明通过在MRAM的制造方法中，增加在金属线、alignment mark和overlaymark的上方形成保护层的步骤,有效防止了 alignment mark和overlay mark被氧化,提高了制造的器件的性能和良率。同样地，本发明通过在MRAM的结构中,在金属线、alignmentmark和overlay mark的上方形成保护层，有效防止了 alignment mark和overlay mark被氧化，提高了器件的性能和良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0035]本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
[0036]附图中:
[0037]图1A-图1L为本发明提出的MRAM的制造方法各步骤的示意性剖面图；
[0038]图2本发明提出的一种MRAM的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0039]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0040]为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的MRAM及其制造方法。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
[0041]应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
[0042]实施例1
[0043]下面，参照图1A-图1L和图2来描述本发明提出的磁随机存取存储器的制造方法一个示例性方法的详细步骤。参照图1A-图1L，其示出了本发明提出的磁随机存取存储器(MRAM)的制造方法的各步骤的示意性剖面图。具体如下:
[0044]步骤S201:提供前端器件，所述前端器件包括核心区、对准标记区和交叠标记区，所述核心区形成有金属线，所述对准标记区形成有对准标记，所述交叠标记区形成有交叠标记。[0045]具体地，如图1A所示，提供一前端器件100，所述前端器件100包括核心区(corearea)、对准标记区(alignment mark area)和交叠标记区(overlay mark area),所述核心区形成有金属线1011,所述对准标记区形成有对准标记(alignment mark) 1012,所述交叠标记区形成有交叠标记(overlay mark) 1013。其中，金属线1011并不代表其形状一定为线状，也可以为带状，或其他形状，具体可以根据实际需要进行设计，此处的“金属线”仅仅指代金属图案，并不构成对相关形状的限制。在本发明实施例中，对准标记区(alignmentmark area)优选位于后续要形成划线槽的区域,即alignment mark设置于划线槽区域。所述前端器件，还可能包括层间介电层(ILD) 102以及其他膜层或部件等，此处不赘述。
[0046]其中，所述金属线1011、对准标记(alignment mark) 1012和交叠标记(overlaymark) 1013可以统一称作金属层,金属层的材料一般为铜(Cu)。该金属层可以为第一金属层(Ml)或其他任意的金属层(Mx)，在此不做限定。
[0047]步骤S202:在所述前端器件上形成一层不易被氧化的导电层103。
[0048]如图1B所示，在所述前端器件上形成一层不易被氧化的导电层103。所述导电层103形成在核心区、对准标记区以及交叠标记区等区域，具体地，位于金属线1011、alignment mark 1012以及overlay mark 1013的正上方并与三者相接触。
[0049]其中，导电层103用于保护金属线 1011、alignment mark 1012 以及overlay mark1013，防止它们被氧化。因此，导电层的材料应该选择不易被氧化的导电材料。并且，为了获得更好的技术效果，导电层采用可以与金属层以及MTJ层良好附着的导电材料。在本发明实施例中，所述导电层，可以为钽(Ta、)、氮化钽(TaN)、氮化钛(TiN)、铝铜合金(Al-Cu)等。优选地，所述导电层的材料为铝铜合金(Al-Cu)，这一材料兼顾了良好的抗氧化性和与金属层(一般为Cu)以及MTJ层的良好的贴附性，可以实现更好的技术效果。
[0050]现有技术中，在金属层的上方并不存在本发明实施例的导电层。本发明实施例，由于在金属层(即金属线1011、对准标记(alignment mark) 1012和交叠标记(overlay mrk)1013)的上方增加了一层不易被氧化的导电层103，可以在后续工艺中防止金属层尤其是对准标记(alignment mark) 1012和交叠标记(overlay mark) 1013被氧化,提高了产品的良率。
[0051]此外,本发明的发明人发现，虽然多晶娃(poly-silicon)具有透明导电等特性，但是，由于MTJ层的相变特性(其相变温度phase change point小于350摄氏度)不匹配，因此无法应用于导电层。并且，本发明的发明人发现，当导电层的材料为铝铜合金(Al-Cu)时，相对于使用钽(Ta、)、氮化钽(TaN)及氮化钛(TiN)等材料制作透明导电层的情况，具有更好的技术效果，即抗氧化的效果更好，且与金属层(一般为Cu)以及MTJ层的贴附性更好。同时，由于铝铜合金(Al-Cu)成本较低，因此，本发明实施例优选采用铝铜合金(Al-Cu)制作透明导电层。
[0052]步骤S203:在所述前端器件上形成一层图形化的光刻胶600，所述金属线、对准标记和交叠标记的上方保留有光刻胶。
[0053]如图1C所示，在所述前端器件100上形成一层图形化的光刻胶600，所述金属线、对准标记和交叠标记的上方保留有光刻胶。形成图形化的光刻胶的方法可以为:涂布一层光刻胶，利用普通掩膜板进行曝光、显影处理。具体曝光工艺，因使用正性光刻胶或负性光刻胶而有所不同，本领域的技术人员可以根据现有技术进行相关工艺，此处不再赘述。
[0054]步骤S204:刻蚀去除未被光刻胶覆盖区域的导电层。
[0055]具体地，经过刻蚀处理，将导电层刻蚀后形成了金属线保护层1031(用于保护金属线1011，防止其被氧化)、对准标记保护层1032 (用于保护对准标记，防止其被氧化)以及交叠标记保护层1033 (用于保护交叠标记，防止其被氧化)的图案，如图1D所示。
[0056]由于保护层1031、1032、1033的存在，可以在后续工艺中防止金属层尤其是对准标记(alignment mark)1012和交叠标记(overlay mark)1013被氧化,提高了产品的良率。[0057]步骤S205:剥离所述图形化的光刻胶600。
[0058]具体地，剥离掉前述的图形化的光刻胶600，形成的图案如图1E所示。
[0059]剥离所述光刻胶的方法，可以为等离子体灰化、湿法剥离等。
[0060]步骤S206:在所述前端器件100上形成一层平坦化层。
[0061]所述平坦化层，用于对前端器件100的表面进行平坦化，其填补了同一层的相邻的金属线保护层之间、相邻的对准标记保护层之间、相邻的交叠标记保护层之间的空隙，但并不覆盖金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层。以便为后续的MTJ的形成，提供平坦的器件表面。
[0062]一种典型的形成平坦化层的方法，具体如下:
[0063]首先，通过HDP (即高密度等离子体)沉积工艺，在该前端器件上(即金属线保护层、对准标记保护层、交叠标记保护层以及ILD上)形成一层平坦化薄膜104，如图1F所示。由于前端器件表面并不平坦，因此，形成的平坦化薄膜104的表面亦不平坦。
[0064]然后，通过CMP (化学机械抛光)工艺对所述平坦化薄膜进行抛光处理，去除所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层上表面的所述平坦化薄膜，以露出金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层，并使前端器件的表面平坦化。此时，平坦化薄膜104高于保护层的部分完全被去除，形成平坦化层104’。完成该工艺后，形成的图形如图1G所示。
[0065]步骤S207:在所述前端器件上刻蚀划线槽。
[0066]对所述前端器件进行刻蚀处理，以在器件交界位置刻蚀出划线槽(Kerf Via)。
[0067]具体地，当对准标记位于划线槽区域时，步骤S207可包括如下步骤:
[0068]首先，在所述前端器件上形成一层图案化的光刻胶601，所述光刻胶601完全覆盖核心区和交叠标记区，并覆盖对准标记区的对准标记，如图1H所示。
[0069]具体地，形成图案化的光刻胶601的方法为:在前端器件上涂覆一层光刻胶薄膜，然后利用普通掩膜板进行曝光、显影处理。其中，对光刻胶薄膜进行曝光的方法可以为采用氟化氪(KrF)或氟化IS(ArF)或者immersion机台进行曝光。
[0070]然后，利用光刻胶601为掩模，对所述前端器件进行刻蚀处理，在所述平坦化层上刻蚀出划线槽，如图1I所示。在本步骤中，具体被刻蚀的为平坦化层位于对准标记区的部分；并且，在刻蚀处理完成后，被刻蚀的平坦化层一般仍可保留一定的厚度。
[0071]最后，去除所述图案化的光刻胶601，如图1J所示。去除光刻胶的方法，可以为湿法剥离、等离子体灰化等。
[0072]步骤208、在所述前端器件的核心区形成磁隧道结(MTJ)。
[0073]在本步骤中，在所述前端器件的核心区形成MTJ，具体地，所述MTJ位于金属线保护层1032的上方并通过其与金属线1011相连接。一般地，在本步骤中，还可以同时在交叠标记区形成MTJ校准标记(并非用于实现MTJ的功能，而是用于校准核心区的MTJ)，该MTJ校准标记位于交叠标记区但不能与其下方的交叠标记相重合，以避免遮挡下方的交叠标记。并且，对准标记区，一般不形成MTJ。
[0074]具体地，本步骤可以通过如下方式完成:
[0075]首先，在所述前端器件的核心区和交叠标记区形成一层MTJ材料层(磁隧道结材料层)，包括位于核心区的部分1051和位于交叠标记区的部分1053，如图1K所示。在对准标记区不形成MTJ材料层，一般可以通过在形成MTJ材料层时对相应区域进行遮挡的方式来实现。
[0076]然后，对所述MTJ材料层进行刻蚀处理，在核心区形成MTJ1051’，同时在交叠标记区形成MTJ校准标记1053’。其中，MTJ 1051’位于金属线保护层1032的上方，并通过金属线保护层1032与金属线1011相连；MTJ校准标记1053’则位于交叠标记区的平坦化层104’的上方，以避免遮挡下方的交叠标记。
[0077]其中，对MTJ材料层进行刻蚀时，可以利用普通的光刻胶作为掩膜进行刻蚀处理，也可以采用硬掩膜(HM)作为掩膜进行刻蚀处理。
[0078]至此，完成了本发明实施例的磁随机存取存储器的制造方法。本发明实施例中，金属层可以为第一层金属层，也可以为其它层金属层，在此并不做限定。无论，金属层位于哪一层，只要采用了本发明实施例的方法，均属于本发明保护的范围。关于具体实现方式，并不以本发明实施例为限，此处不一一赘述。
[0079]本发明实施例的磁随机存取存储器的制造方法，通过在金属层，具体的，在金属线、alignment mark和overlay mark的上方形成一层透明导电的保护层，有效防止了alignment mark和overlay mark被氧化,提高了器件的性能和良率。
[0080]参照图3，其中示出了本发明提出的半导体器件的制造方法中的一种典型方法的流程图，用于简要示出整个制造工艺的流程。
[0081]步骤SlOl:提供前端器件，所述前端器件包括形成有金属线的核心区、形成有对准标记的对准标记区和形成有交叠标记的交叠标记区；
[0082]步骤S102:在所述前端器件上形成覆盖所述金属线的金属线保护层、覆盖所述对准标记的对准标记保护层、覆盖所述交叠标记的交叠标记保护层，其中，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的材料均为透明导电材料；
[0083]步骤S103:在所述前端器件上形成平坦化层，所述平坦化层位于同一层中的相邻的所述金属线保护层、对准标记保护层以及交叠标记保护层之间；
[0084]步骤S104:在所述前端器件的核心区形成磁隧道结，所述磁隧道结位于所述金属线保护层的上方并通过所述金属线保护层与所述金属线相连接。
[0085]实施例2
[0086]本发明实施例提供一种磁随机存取存储器(MRAM)，为采用上述实施例的制造方法所制造，如图1L所示，该MRAM包括前端器件100和磁隧道结(MTJ) 1051’，所述前端器件100包括形成有金属线1011的核心区、形成有对准标记(alignment mark) 1012的对准标记区和形成有交叠标记(overlay mark)1013的交叠标记区,其中，所述金属线1011的上方形成有导电的金属线保护层1031，所述对准标记1012的上方形成有导电的对准标记保护层1032，所述交叠标记1013的上方形成有导电的交叠标记保护层1033，所述MTJ1051’位于所述金属线保护层1031的上方并通过其与所述金属线1011相连接。
[0087]其中，金属线1011、对准标记1012、交叠标记1013 —般为同一层材料，统称为金属层，该金属层可以为第一金属层(Ml)或其他任意的金属层(Mx)。金属线1011、对准标记1012、交叠标记1013的材料一般为铜(Cu)。
[0088]在本实施例中，金属线保护层1031、对准标记保护层1032、交叠标记保护层1033用于防止其下方的金属层(即金属线、对准标记和交叠标记)被氧化。优选的，金属线保护层1031、对准标记保护层1032、交叠标记保护层1033为同一材料，并且可以在一次构图工艺中实现，其材料可以为钽(Ta、)、氮化钽(TaN)、氮化钛(TiN)、铝铜合金(Al-Cu)等。优选地，其材料为铝铜合金(Al-Cu)，这一材料兼顾了良好的抗氧化性和与金属层(一般为Cu)以及MTJ的良好的贴附性，可以实现更好的技术效果。
[0089]进一步的,所述对准标记(alignment mark) 1012位于划线槽区域，即对准标记区对应划线槽区域。使对准标记位于划线槽区域，可以避免对准标记对器件(MRAM)本身的内部各层造成影响，可以进一步提高器件性能。
[0090]进一步的，该MRAM还包括平坦化层104’，所述平坦化层104’填补了同一层中的相邻的金属线保护层1031之间、相邻的对准标记保护层1032之间以及相邻的交叠标记保护层1033之间的空隙，但并不覆盖金属线保护层1031、对准标记保护层1032和交叠标记保护层1033。该平坦化层104’用于平坦化金属线保护层1031、对准标记保护层1032和交叠标记保护层1033，以利于MTJ的形成。平坦化层104’ 一般为绝缘材料，故不应覆盖金属线保护层1031、对准标记保护层1032和交叠标记保护层1033。
[0091]进一步的，所述MRAM还可以包括在交叠标记区形成的MTJ校准标记1053’。其中，MTJ校准标记1053’，并非用于实现MTJ的功能，而是用于校准核心区的MTJ。该MTJ校准标记1053’不能与其下方的交叠标记1013重合，以避免遮挡下方的交叠标记。
[0092]其中，本发明实施例所述的前端器件，还可能包括层间介电层(ILD) 102以及其他膜层或部件等，此处不赘述。
[0093]本发明实施例的磁随机存取存储器(MRAM)，通过在金属层，具体的，在金属线、对准标记(alignment mark)和交叠标记(overlay mark)的上方形成保护层，有效防止了alignment mark和overlay mark被氧化,提高了器件的性能和良率。
[0094]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【权利要求】
1.一种磁随机存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 步骤SlOl:提供前端器件，所述前端器件包括形成有金属线的核心区、形成有对准标记的对准标记区和形成有交叠标记的交叠标记区； 步骤S102:在所述前端器件上形成覆盖所述金属线的金属线保护层、覆盖所述对准标记的对准标记保护层、覆盖所述交叠标记的交叠标记保护层，其中，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的材料均为透明导电材料； 步骤S103:在所述前端器件上形成平坦化层，所述平坦化层位于同一层中的相邻的所述金属线保护层、对准标记保护层以及交叠标记保护层之间； 步骤S104:在所述前端器件的核心区形成磁隧道结，所述磁隧道结位于所述金属线保护层的上方并通过所述金属线保护层与所述金属线相连接。
2.如权利要求1所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括: 在所述前端器件上形成一层导电材料层； 在所述前端器件上形成一层图形化的光刻胶，其中，所述金属线、对准标记和交叠标记的上方保留有光刻胶； 刻蚀去除所述透明导电材料层未被所述图形化的光刻胶所覆盖的部分； 去除所述图形化的光刻胶。
3.如权利要求1或`2所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的材料为同一材料，且该材料为铝铜合金。
4.如权利要求1所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括: 通过高密度等离子体沉积工艺在所述前端器件上形成一层平坦化薄膜； 通过化学机械抛光工艺对所述平坦化薄膜进行抛光处理，去除所述平坦化薄膜位于所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的上表面的部分。
5.如权利要求1所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S104包括: 在所述前端器件上形成一层磁隧道结材料层，所述磁隧道结材料层包括位于所述核心区的部分和位于所述交叠标记区的部分； 对所述磁隧道结材料层进行刻蚀处理，在所述核心区形成磁隧道结。
6.如权利要求5所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，在形成磁隧道结的同时，还在所述交叠标记区形成磁隧道结校准标记。
7.如权利要求1所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103和步骤S104之间，还包括刻蚀划线槽的步骤。
8.如权利要求7所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述刻蚀划线槽的步骤包括: 在所述前端器件上形成一层图案化的另一光刻胶，所述另一光刻胶覆盖所述核心区和交叠标记区并覆盖所述对准标记区的对准标记； 利用所述另一光刻胶为掩模进行刻蚀，在所述对准标记区的平坦化层上刻蚀出划线槽。
9.一种磁随机存取存储器，包括前端器件和磁隧道结，所述前端器件包括形成有金属线的核心区、形成有对准标记的对准标记区和形成有交叠标记的交叠标记区，其特征在于，所述磁随机存取存储器还包括位于所述金属线的上方形成有金属线保护层、位于所述对准标记的上方的对准标记保护层以及位于所述交叠标记的上方的交叠标记保护层；所述磁隧道结位于所述金属线保护层的上方并通过所述金属线保护层与所述金属线相连接；其中，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层均为透明导电材料。
10.如权利要求9所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述金属线保护层，对准标记保护层和交叠标记保护层为同一材料，且所采用的材料为铝铜合金。
11.如权利要求9所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述对准标记位于所述磁随机存取存储器的划线槽区域。
12.如权利要求9所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述磁随机存取存储器还包括平坦化层，所述平坦化层位于同一层中的相邻的所述金属线保护层、对准标记保护层以及交叠标记保护层之间。
13.如权利要求9所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述磁随机存取存储器还包括设置于所述交叠标记区的磁隧道结校准标记。
【文档编号】H01L43/08GK103682085SQ201210356158
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月20日 优先权日:2012年9月20日
【发明者】曾贤成 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司