专利名称：一种应用电镀工艺的aaqfn封装件及其制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体封装技术领域，具体是一种应用电镀工艺的AAQFN封装件及其制作工艺。
背景技术：
随着技术的不断发展，电子封装不但要提供芯片的保护，同时还要在一定的成本下满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求，功能芯片速度及处理能力的增加需要更多的引脚数，更快的时钟频率和更好的电源分配。传统的QFN封装方法由于受到框架的限制，I/O Pad的互联线分布固定，引脚数较少、间距较大，不能实现功能芯片的速度及处理能力的增加。在成熟的蚀刻工艺技术基础上，AAQFN封装从框架设计、材料选择、焊盘结构优化等方面入手，建立完善的封装工艺技术，不断调整优化，突破窄间距(0.4mm)、超薄型(0.5mm以下)封装§技术难点，实现面内I/O布局列阵AAQFN封装,形成成套封装工艺技术，在一定的成本下满足了不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求。然而，传统的AAQFN封装工艺主要采用钢网刷锡膏，然后将锡膏进行回流，这在一定程度上不仅增加了封装成本，而且封装工艺流程繁琐。为了在低成本要求下满足满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求，简化封装工艺流程，应用电镀工艺的AAQFN封装克
服了当前封装存在的高成本、流程繁琐问题，而且可提高导电性、润滑性、耐热性、和表面美观，具有明显的技术优势， 能够实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、电性能以及共面性好等特点。
发明内容
本发明的目的在于克服传统AAQFN封装技术存在的问题,开发出一种应用电镀工艺的AAQFN封装件及其制作工艺，不仅简化了封装流程，具有更有效的成本效益。本发明的技术方案是:一种应用电镀工艺的AAQFN封装件，主要由铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、阻焊层和锡球组成。所述的铜引线框架为蚀刻，通过粘片胶与芯片粘接，芯片与铜引线框架引脚由键合线连接，并由塑封料塑封，所述阻焊层填充铜引线框架底部蚀刻掉的引脚空隙，锡球电镀引脚上。一种应用电镀工艺的AAQFN封装件的制作工艺，主要有以下步骤:铜框架半蚀刻、晶圆减薄、晶圆划片、上芯、压焊、塑封、框架、背面蚀刻、背面刷阻焊层、电镀锡球、切割。本发明的有益效果是:(I) AAQFN封装技术在传统技术的基础上不断改进，在阻焊层底部填充之后，省去了钢网刷锡膏与锡膏回流焊流程，节省了材料的消耗、与相关设备的使用，从而就节约了封装成本，简化了封装流程。(2)应用电镀工艺的AAQFN封装根据芯片打线方式，I/O Pad的互联线可以灵活分布，使得金丝的长度和弧度变小，减小了封装成本和封装尺寸，整个布线技术在框架设计时完成，产品具有更多的I/O数与更好的电性能，缩短了电流和信号传输距离，提高了电性能和产品可靠性，具有明显的市场竞争优势。(3)通过电镀锡球能增强金属的抗腐蚀性、增加硬度、防止磨耗，提高导电性、润滑性、耐热性和表面美观。本发明为无铅、无卤素的环保型先进封装技术，可应用于更大范围的移动、消费电子产品上，满足移动通信和移动计算机领域的便捷式电子机器，如PDA、3G手机、MP3、MP4、MP5等超薄型电子产品发展的需要，是迅速成长起来的一种新型封装技术。说明书附图
图1引线框架剖面 图2上芯后广品首I]面 图3压焊后产品剖面 图4塑封后产品剖面图 图5框架背面蚀刻后产品剖面 图6背面刷阻焊层后产品剖面 图7电镀后产品剖面图。图中，I为铜引线框架、2为粘片胶、3为芯片、4为键合线、5为塑封料、6为阻焊层、7为锡球。
具体实施例方式下面结合附图对本发明做进一步详细叙述。如图所示，一种应用电镀工艺的AAQFN封装件，主要由铜引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、塑封料5、阻焊层6和锡球7组成。所述的铜引线框架I首先进行半蚀刻，然后将芯片3与蚀刻后的铜引线框架I用粘片胶2粘接，所述的芯片3与蚀刻后的铜框架I引脚之间用键合线4连接，然后用塑封料5进行塑封，所述的铜引脚I是对半蚀刻后的铜框架底部进行蚀刻，进行引脚分离，然后用阻焊层6填充底部蚀刻掉的引脚空隙，接着，应用电镀工艺电镀锡球7，随后进行产品切割。如图所示，一种应用电镀工艺的AAQFN封装件的制作工艺，其按照如下步骤进行: 第一步、引线框架蚀刻:将铜引线框架I进行半蚀刻，依据芯片pad分布结构，通过成熟
的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺，在铜板正面蚀刻出载体，互联线，I/O Pad，确定I/OPad大小，脚间距和它们各自的位置；
第二步、晶圆减薄和划片:先正面贴上胶膜，然后在专用减薄机上进行减薄达到工艺要求。减薄完的晶圆清洗经检验合格后，去掉正面胶膜，在晶圆背面贴上胶膜后再进行划片，将晶圆划成单个IC芯片；
第三步、上芯:使用专用上料夹，用点胶头均匀的将粘片胶2 (导电胶或绝缘胶)点在铜引线框架I的PAD上，吸嘴将承片台上的IC芯片3吸起放置到已点好粘接胶的铜引线框架I引脚上，粘片后框架自动送到弹夹中；
第四步、压焊:在专用压焊机上，键合线4采用金线或铜线，通过球焊把芯片3上的焊盘(PAD)和蚀刻后铜引线框架I引脚相连，形成了电路的电源和信号通道；
第五步、塑封:采用塑料包封系统将压焊后的产品自动传送到塑封模具中，用塑封料5对压焊后的产品进行包封，随后进行固化；
第六步、框架背面蚀刻、背面刷阻焊层:对铜引线框架I进行背面蚀刻，将选定的露铜部分蚀刻掉，进行引脚分离；在分离后，对铜引线框架I的引脚的空隙刷阻焊层6，处理方法是在图形蚀刻后，依次进行腿膜、微蚀、涂阻焊层、曝光、显影、阻焊层固化，使其油墨烤干，并充分的硬固化，达到可靠性的要求；
第七步、电镀锡球:在铜引线框架I的引脚上应用电镀工艺植入锡球7，电镀后进行烘烤，彻底去除潮气；
第八步、切割:对产品进行切割入盘(管)。
权利要求
1.一种应用电镀工艺的AAQFN封装件，其特征在于:主要由铜引线框架(I)、粘片胶(2)、芯片(3)、键合线(4)、塑封料(5)、阻焊层(6)和锡球(7)组成；所述的铜引线框架(I)为蚀刻，通过粘片胶(2)与芯片(3)粘接，芯片(3)与铜引线框架(I)引脚由键合线(4)连接，并由塑封料(5)塑封，所述阻焊层(6)填充铜引线框架(I)底部蚀刻掉的引脚空隙，锡球(7)电镀引脚上。
2.一种应用电镀工艺的AAQFN封装件的制作工艺，其特征在于:其按照如下步骤进行: 第一步、引线框架蚀刻:将铜引线框架(I)进行半蚀刻，依据芯片pad分布结构，通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺，在铜板正面蚀刻出载体，互联线，I/O Pad，确定I/O Pad大小，脚间距和它们各自的位置； 第二步、晶圆减薄和划片:先正面贴上胶膜，然后在专用减薄机上进行减薄，减薄完的晶圆清洗经检验合格后，去掉正面胶膜，在晶圆背面贴上胶膜后再进行划片，将晶圆划成单个IC芯片； 第三步、上芯:使用专用上料夹，用点胶头均匀的将粘片胶(2)点在铜引线框架(I)的PAD上，吸嘴将承片台上的IC芯片(3)吸起放置到已点好粘接胶的铜引线框架(I)引脚上，粘片后框架自动送到弹夹中； 第四步、压焊:在专用压焊机上，键合线(4)采用金线或铜线，通过球焊把芯片(3)上的焊盘(PAD)和蚀亥Ij后铜引线框架(I)引脚相连； 第五步、塑封:采用塑料包封系统将压焊后的产品自动传送到塑封模具中，用塑封料(5)对压焊后的产品进行包封，随后进行固化； 第六步、框架背面蚀刻、背面刷阻焊层:对铜引线框架(I)进行背面蚀刻，将选定的露铜部分蚀刻掉，进行引脚分离；在分离后，对铜引线框架(I)的引脚的空隙刷阻焊层(6)，处理方法是在图形蚀刻后，依次进行腿膜、微蚀、涂阻焊层、曝光、显影、阻焊层固化，使其油墨烤干，并充分的硬固化； 第七步、电镀锡球:在铜引线框架(I)的引脚上应用电镀工艺植入锡球(7)，电镀后进行烘烤，彻底去除潮气； 第八步、切割:对产品进行切割入盘(管)。
全文摘要
本发明公开了一种应用电镀工艺的AAQFN封装件及其制作工艺，所述封装件主要由铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、阻焊层和锡球组成。所述的铜引线框架为蚀刻，通过粘片胶与芯片粘接，芯片与铜引线框架引脚由键合线连接，并由塑封料塑封，所述阻焊层填充铜引线框架底部蚀刻掉的引脚空隙，锡球电镀引脚上。所述制作工艺主要有以下步骤铜框架半蚀刻、晶圆减薄、晶圆划片、上芯、压焊、塑封、框架、背面蚀刻、背面刷阻焊层、电镀锡球、切割。本发明节约了封装成本，提高了电性能和产品可靠性。
文档编号H01L23/488GK103094235SQ20121054219
公开日2013年5月8日 申请日期2012年12月14日 优先权日2012年12月14日
发明者王虎, 谌世广, 刘卫东, 李涛涛, 马利 申请人:华天科技(西安)有限公司