半导体封装构造及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元，所述基板单元的面积介于98平方毫米到412.1平方毫米之间；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。2.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述预定材料为铬；所述预定厚度介于0.5微米到3微米之间。3.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于98平方毫米到150平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于53微米到68微米之间。4.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于150平方毫米到310平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于75微米到111微米之间。5.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于310平方毫米到412.1平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于159微米到209微米之间。6.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于98.01平方毫米到102.01平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于53微米到60微米之间。7.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于141.61平方毫米到146.41平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于64微米到99微米之间。8.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于166.41平方毫米到171.61平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于88微米到143微米之间。9.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元，每一所述基板单元的面积介于302.76平方毫米到309.76平方毫米之间；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量介于75微米到235微米之间。10.如权利要求9所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述预定材料为铬；所述预定厚度介于0.5微米到3微米之间。11.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元，每一所述基板单元的面积介于357.21平方毫米到364.81平方毫米之间；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量介于180微米到236微米之间。12.如权利要求11所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述预定材料为铬；所述预定厚度介于0.5微米到3微米之间。13.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元，每一所述基板单元的面积介于404.01平方毫米到412.09平方毫米之间；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量介于159微米到290微米之间。14.如权利要求13所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述预定材料为铬；所述预定厚度介于0.5微米到3微米之间。15.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：一基板单元，所述基板单元的面积介于98平方毫米到412.1平方毫米之间；一芯片，设置于所述基板单元上；一封装胶体，设置于所述基板单元上并包覆所述芯片；以及一抗翘曲层，形成于所述封装胶体的一顶面上，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于290微米。16.如权利要求15所述的半导体封装构造，其特征在于：所述抗翘曲层的一顶面进一步形成一增厚部，所述增厚部包含数个肋部。17.如权利要求15所述的半导体封装构造，其特征在于：所述预定材料为铬；所述预定厚度介于0.5微米到3微米之间。18.如权利要求15所述的半导体封装构造，其特征在于：所述基板单元的面积介于98平方毫米到150平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于53微米到68微米之间。19.如权利要求15所述的半导体封装构造，其特征在于：所述基板单元的面积介于150平方毫米到310平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于75微米到111微米之间。20.如权利要求15所述的半导体封装构造，其特征在于：所述基板单元的面积介于310平方毫米到412.1平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于159微米到209微米之间。