基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法与流程

技术特征：
1.一种基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：1)在氮化镓基材料表面光刻器件区域并刻蚀非器件区域，然后在该器件区域形成源漏端欧姆接触；2)在氮化镓基材料表面淀积保护层；3)在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻凹槽栅区域图形；4)刻蚀凹槽栅区域的保护层并去除剩余光刻胶；5)对所述凹槽栅区域在高温条件下进行氧化处理，利用氮化镓基材料中GaN比其他材料层具有更高的抗氧化特性，使氮化镓基材料中GaN层之上的材料层被氧化而不影响GaN层；所述氧化处理的温度为590-640℃，时间为40-80分钟；6)将氧化处理后的氮化镓基材料表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；所述腐蚀性溶液为碱性溶液，能够腐蚀步骤5)形成的氧化物而不影响GaN层，从而实现自停止刻蚀；7)采用酸性溶液去除氮化镓基材料表面的保护层；8)在氮化镓基材料表面淀积栅绝缘层并制备栅金属；9)在氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻源漏端接触孔图形；10)采用腐蚀液腐蚀接触孔处绝缘层并去除光刻胶。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化镓基材料为AlGaN/GaN、InGaN/GaN、InAlGaN/GaN中的一种。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述欧姆接触的材质为Ti/Al/Ni/Au或者Ti/Al/Mo/Au。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层为SiO2或SiN；所述淀积保护层的方法包括：等离子体增强化学气相沉积、电感耦合等离子体化学气相淀积、光学薄膜沉积；步骤4)采用RIE方法或BOE溶液浸泡处理方法刻蚀所述保护层。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)所述腐蚀性溶液为氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，其质量浓度为10％-70％，腐蚀温度为50℃-90℃，腐蚀时间为45-60分钟。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7)所述酸性溶液为下列中的一种：氢氟酸、BOE。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8)所述栅绝缘层为Al2O3、SiO2、SiN中的一种；淀积所述栅绝缘层的方法为下列中的一种：原子层淀积、热氧化、等离子体增强化学气相沉积、电感耦合等离子体化学气相淀积、光学薄膜沉积。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8)所述所述栅金属为Ni/Au或Pt/Au；淀积栅金属的方法为电子束蒸发或溅射。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法制备的氮化镓基增强型器件。