积层陶瓷电容器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种积层陶瓷电容器，即便介电体层的薄层化不断进展，例如即便介电体层的厚度达到1.0μm以下，其也可以确切地抑制CR积的降低。积层陶瓷电容器(10)是在将由在积层方向上邻接的2个内部电极层(12)与夹在该2个内部电极层(12)之间的1个介电体层(13)所构成的部分理解为单位电容器时，沿积层方向排列的共计19个单位电容器(UC1～UC19)的静电容量形成了从积层方向两侧向内侧逐渐增加且从两个增加高点向积层方向中央逐渐减少的分布。
【专利说明】积层陶瓷电容器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种积层陶瓷电容器，其具备具有介隔介电体层积层有多个内部电极层的构造的电容器主体。
【背景技术】
[0002]对于这种积层陶瓷电容器的小型化及大电容化的需求依然高，为了满足该需求，内部电极层与介电体层的进一步薄层化将不可避免。然而，如果介电体层的薄层化不断进展，那么积层陶瓷电容器的CR积(静电容量C与绝缘电阻R的积)降低的危险性会升高。顺带提一下，CR积作为表现积层陶瓷电容器的特性的数值而广为人知，一般而言，其下限值是根据标称静电容量而被设定。
[0003]在下述专利文献I中记载着一种发明，该发明通过限制厚度为2.5 μ m以下的介电体层中所含的介电体层结晶的粒径及体积比例来谋求CR积的降低抑制，但由于要准确地限制介电体层结晶的粒径及体积比例在与制法相关的方面有困难，故有无法如期待的那般抑制CR积的降低之虞。
[0004][【背景技术】文献]
[0005][专利文献]
[0006][专利文献I]日本专利特开2001-338828号公报
【发明内容】
[0007][发明所欲解决的问题]
[0008]本发明的目的在于提供一种积层陶瓷电容器，其即便介电体层的薄层化不断进展，例如即便介电体层的厚度达到Ι.Ομπι以下，也可以确切地抑制CR积的降低。
[0009][解决问题的技术手段]
[0010]为了达成所述目的，本发明是一种积层陶瓷电容器，具备电容器主体，所述电容器主体具有多个内部电极层层间夹着介电体层的结构，且当将由在积层方向上邻接的2个内部电极层与介置在该2个内部电极层之间的I个介电体层所构成的部分理解为单位电容器时，沿积层方向排列的多个单位电容器的静电容量形成了从积层方向两侧向内侧逐渐增加且从两增加顶点向积层方向中央逐渐减少的分布。
[0011][发明的效果]
[0012]根据本发明，可以提供一种积层陶瓷电容器，其即便介电体层的薄层化不断进展，例如即便介电体层的厚度达到1.0 μ m以下，也可以确切地抑制CR积的降低。
[0013]本发明的所述目的及其他目的、和与各目的相应的特征及效果根据以下的说明与随附图式而变得明确。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1(A)是应用了本发明的积层陶瓷电容器的纵截面图，图1(B)是该积层陶瓷电容器的沿着图1(A)的B-B线的横截面图，图1(C)是表示该积层陶瓷电容器的等效电路的图，图1(D)是表示该积层陶瓷电容器中的单位电容器的静电容量分布的图。
[0015]图2是表示与图1的积层陶瓷电容器对应的样品中的单位电容器的静电容量分布的图。
[0016]图3是表示与图1的积层陶瓷电容器对应的样品的规格及特性的图。
[0017][符号的说明]
[0018]10 积层陶瓷电容器
[0019]11 电容器主体
[0020]12 内部电极层
[0021]13 介电体层
[0022]14 外部电极
[0023]UC 单位电容器
【具体实施方式】
[0024]《积层陶瓷电容器的构造与积层陶瓷电容器中的单位电容器的静电容量分布》
[0025]首先，引用图UA)?图1(D)，对应用了本发明的积层陶瓷电容器10的构造、与该积层陶瓷电容器10中的单位电容器的静电容量分布进行说明。
[0026]图1 (A)及图1⑶所示的积层陶瓷电容器10包括大致长方体形状的电容器主体
11、与设置在该电容器主体11的长度方向两端部的一对外部电极14，且具有长度 > 宽度=高度、或者长度〉宽度〉高度的基准尺寸关系。顺带提一下，长度相当于图1(A)中的左右方向的尺寸，宽度相当于图1(B)中的上下方向的尺寸，高度相当于图1(A)中的上下方向的尺寸。
[0027]电容器主体11具有如下构造，也就是，共计20个内部电极层12介隔介电体层13(共计19个)积层，且在最上位的内部电极层12的上侧与最下位的内部电极层12的下侧设置着仅积层多个介电体层13而构成的上侧保护部与下侧保护部(无符号)。另，由于各内部电极层12的宽度小于介电体层13的宽度，故在电容器主体11的宽度方向的一侧及另一侧存在仅由多个介电体层13构成的边缘(margin)(无符号)。顺带提一下，在图1(A)及图1 (B)中，为方便图示起见而将内部电极层12的数量设为20，但满足小型化及大电容化的需求的实际的积层陶瓷电容器的内部电极层的数量达到100以上。
[0028]各内部电极层12包含镍、铜、钯、钼、银、金或它们的合金等，各自的材料相同，且各自的厚度及形状(大致呈矩形)大致相同。各介电体层13也包括构成上侧保护部与下侧保护部的介电体层13，均由钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、锆酸钙、钛酸锆酸钙、锆酸钡或氧化钛等构成，各自的材料相同，且各自的厚度及形状(大致呈矩形)大致相同，各自的形状与各内部电极层12的形状相比，长度及宽度较大。
[0029]共计20个内部电极层12之中，图UA)中自上而下第奇数个内部电极层12 (共计10个)与自上而下第偶数个内部电极层12(共计10个)在长度方向上错开，自上而下第奇数个内部电极层12的端电性连接于左侧的外部电极14，且自上而下第偶数个内部电极层12的端电性连接于右侧的外部电极14。
[0030]各外部电极14具有与电容器主体11的长度方向两端部密接的底层(无符号)和形成在该底层的表面的表面层的双层构造，或者在底层与表面层之间至少具有I个中间层的多层构造。底层优选为包含与内部电极层12相同的材料，表面层包含锡、钯、金、或锌等，中间层包含钼、钯、金、铜或镍等。
[0031]关于所述积层陶瓷电容器10，将由在电容器主体11的上下方向，也就是积层方向上邻接的2个内部电极层12与夹在该2个内部电极层12之间的I个介电体层13所构成的部分理解为单位电容器时，如图1 (C)所示，包含沿积层方向排列的共计19个单位电容器UCl?UC19，且该单位电容器UCl?UC19并联连接于一对外部电极14。
[0032]另，在所述积层陶瓷电容器10中，如图UD)中由粗实线所示，沿积层方向排列的共计19个单位电容器UCl?UC19的静电容量形成了从积层方向两侧向内侧逐渐增加且从两个增加高点向积层方向中央逐渐减少的大致W字状的分布。此外，积层方向两侧的单位电容器UCl及UC19的静电容量小于积层方向中央的单位电容器UClO的静电容量。
[0033]《积层陶瓷电容器的制法例》
[0034]接下来，对适于制造所述积层陶瓷电容器10的制法例，举出各内部电极层12包含镍且各介电体层13包含钛酸钡的情况为例进行说明。
[0035]在制造时，准备包含钛酸钡粉末、乙醇(溶剂)、聚乙烯醇缩丁醛(粘合剂)、及分散剂等添加剂的基础浆料，从而准备在该基础浆料中添加烧结抑制剂而获得的第I介电体层用浆料、与在该基础浆料中添加烧结助剂而获得的第2介电体层用浆料。第I介电体层用浆料的烧结抑制剂可以利用例如稀土类氧化物，第2介电体层用浆料的烧结助剂可以利用例如二氧化硅或玻璃化合物，各自的优选添加量为例如0.5?5.0wt%。另，准备包含镍粉末、松油醇(溶剂)、乙基纤维素(粘合剂)、及分散剂等添加剂的内部电极层用浆料。
[0036]然后，在承载膜上，使用模具涂布机等将第I介电体层用浆料以指定厚度及宽度涂布并实施干燥处理，从而制作第I片材(含有烧结抑制剂)。另，在承载膜上，使用模具涂布机等将第2介电体层用浆料以指定厚度及宽度涂布并实施干燥处理，从而制作第2片材(含有烧结助剂)。进而，在第2片材上，使用丝网印刷机等将内部电极层用浆料以指定厚度及形状印刷成矩阵状或锯齿状并实施干燥处理，从而制作形成有内部电极层用的图案群的第3片材。
[0037]然后，使用具有冲孔刀及加热器的吸附头等，将从第I片材冲孔而成的指定形状的第I单位片材(含有烧结抑制剂)堆积至达到指定数量为止并进行热压接，在其上将从第3片材冲孔而成的指定形状的第2单位片材(含有烧结助剂，且包含内部电极层用的图案群)堆积至达到指定数量为止并进行热压接，在其上将从第I片材冲孔而成的指定形状的第I单位片材(含有烧结抑制剂)堆积至达到指定数量为止并进行热压接，对其使用热等静压压力机等而最终地进行热压接以制作未煅烧积层片材。
[0038]然后，使用切割机等将未煅烧积层片材切割成格子状，从而制作与电容器主体11对应的未煅烧切片。
[0039]然后，将多个未煅烧切片投入到煅烧炉，在还原性环境下或者低氧分压环境下，以与所述镍粉末及所述钛酸钡粉末相应的温度分布进行煅烧(包括脱粘处理与煅烧处理)。此煅烧步骤中关键之处在于，煅烧处理中的升温采用急剧升温、例如5000?10000°C / hr,从未煅烧切片的表面向中心积极地显现出烧结进展度的降低。
[0040]然后，在已煅烧切片的长度方向两端部，使用滚筒涂布机等涂布外部电极用浆料(挪用内部电极层用浆料)，并在所述同样的环境下实施烘烤处理而形成底层，继而在该底层的表面利用电解电镀等形成表面层、或中间层及表面层，从而制作一对外部电极。
[0041]《样品的构造及制法》
[0042]接下来,对为了确认所述静电容量分布等而准备的样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g的构造及制法进行说明。
[0043]各样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g是具有与所述积层陶瓷电容器10同等构造的积层陶瓷电容器，各自的长度与宽度的基准尺寸为1.0mm与0.5mm,内部电极层12的数量为100，内部电极层12的平均厚度为1.2μπι。
[0044]另，关于各样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g的介电体层13的平均厚度,样品Ia?Ig为1.0 μ m,样品2a?2g为0.8 μ m,样品3a?3g为3.0 μ m(参照图3)。
[0045]再者，各样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g的上侧保护部与下侧保护部的厚度为大致30 μ m,该数值是根据所述《积层陶瓷电容器的制法例》栏中叙述的未煅烧积层片材制作步骤中所堆积的第I单位片材的数量而被调整。
[0046]各样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g是依据所述《积层陶瓷电容器的制法例》栏中叙述的制法而制造出来的样品，各自的内部电极层12包含镍，介电体层13包含钛酸钡，制造时使用的第2介电体层用浆料中所含有的烧结助剂的量为0.5wt%。
[0047]另，关于制造各样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g时使用的第I介电体衆料中所含有的烧结抑制剂的量，样品la、2a及3a为0.5wt %，样品lb、2b及3b为0.5wt %，样品lc、2c 及 3c 为 0.5wt%，样品 ld、2d 及 3d 为 0.5wt%，样品 le、2e 及 3e 为 0wt%，样品 If、2f 及 3f 为 5.0wt%，样品 lg、2g 及 3g 为 3.0wt% (参照图 3)。
[0048]进而,关于制造各样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g时的煅烧步骤的升温速度,样品la、2a及3a为10000°C / hr (急剧升温)，样品lb、2b及3b为7000°C / hr (急剧升温)，样品lc、2c及3c为5000°C / hr (急剧升温)，样品ld、2d及3d为低于急剧升温的4500°C /hr，样品le、2e及3e为相当于普通升温的600°C / hr，样品If、2f及3f为5000°C / hr (急剧升温)，样品lg、2g及3g为5000°C / hr (急剧升温)(参照图3)。
[0049]另外，各样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g是在将由在积层方向上邻接的2个内部电极层12与夹在该2个内部电极层12之间的I个介电体层13所构成的部分理解为单位电容器时，包含沿积层方向排列的共计99个单位电容器UCl?UC99(参照图2)，且该单位电容器UCl?UC99并联连接于一对外部电极14。
[0050]《样品中的单位电容器的静电容量分布》
[0051]接下来，引用图2,对所述样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g中的单位电容器的静电容量分布进行说明。
[0052]图2的粗实线表示所述样品Ia中的单位电容器UCl?UC99的静电容量电容分布，另一方面，图2的粗虚线表示所述样品Ie中的单位电容器UCl?UC99的静电容量电容分布。顺带提一下，图2中由粗实线及粗虚线表示的静电容量电容分布依据的是如下值，也就是，将所述样品Ia及Ie各准备10个，在从每个拆下一对外部电极14后的状态下，通过手动探针器与 LCR(inductance capacitance resistance,电感电容电阻)测量计(Agilent制造之4284A)个别地测定共计99个单位电容器UCl?UC99各自的静电容量电容所得的结果(均为10个的平均值)。[0053]如由图2的粗实线可知，所述样品Ia中，沿积层方向排列的共计99个单位电容器UCl?UC99的静电容量形成了从积层方向两侧(参照Co)向内侧逐渐增加且从两个增加高点(参照Cp)向积层方向中央(参照Cs)逐渐减少的大致W字状的分布。此外，积层方向两侧的单位电容器UCl及UC99的静电容量小于积层方向中央的单位电容器UC50的静电容量Cs。由图2的粗虚线可知，所述样品Ie中，沿积层方向排列的共计99个单位电容器UCl?UC99的静电容量形成了大致直线性分布。
[0054]此外，图2的Ncp表示了与所述两个增加高点(参照Cp)对应的单位电容器的编号(图2中为UC6与UC94，参照图3)。
[0055]虽省略了图示,但对所述样品Ib?Id、If及lg、所述样品2a?2g、以及所述样品3a?3g进行所述同样的测定后,确认到所述样品Ib?Id、If及lg、所述样品2a?2d、2f及2g、以及所述样品3a?3d、3f及3g各自的单位电容器UCl?UC99的静电容量形成了如图2的粗实线所示的大致W字状的分布。另一方面，确认到样品2e与样品3e各自的单位电容器UCl?UC99的静电容量形成了如图2的粗虚线所示的大致直线性分布。
[0056]另，已通过所述测定而明确，所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”存在以下三种情况:表现分布的粗实线为大致流畅的线，表现分布的粗实线为锯齿状线，及成为两者的组合。另一方面，所述“大致直线性分布(参照图2的粗虚线)”存在以下三种情况:表现分布的粗虚线为大致流畅的线，表现分布的粗虚线为锯齿状线，及成为两者的组合。
[0057]此外，所述测定时可以确认的所述锯齿状线的最大起伏如果以[邻接的2个单位电容器的静电容量的差]/ [邻接的2个单位电容器的低值侧的静电容量]表示，则为
2.0%。
[0058]《样品的特性(包括效果)》
[0059]接下来，引用图3,对所述样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g的特性(包括效果)进行说明。
[0060]图3的“(Cp — Co) / Co(% ) ”中记载的是如下值，也就是，将所述样品Ia?IcUIf及lg、所述样品2a?2d、2f及2g、以及所述样品3a?3d、3f及3g各准备10个,利用通过所述同样的测定获得的每个单位电容器的静电容量，将Cp(与2个增加顶点对应的单位电容器的静电容量的平均值)与Co (积层方向两侧的单位电容器(UCl及UC99)的静电容量的平均值)的差由以Co为基准的百分率表示的值(均为10个的平均值)。如前所述，所述样品le、所述样品2e、及所述样品3e符合所述“大致直线性分布(参照图2的粗虚线)”，因此省略了 “(Cp—Co) / Co(%)”的记载。
[0061]另，图3的“(Cp—Cs) / Cs(%)”中记载的是如下值，也就是，将所述样品Ia?Id、If及lg、所述样品2a?2d、2f及2g、以及所述样品3a?3d、3f及3g各准备10个,利用通过所述同样的测定获得的每个单位电容器的静电容量，将Cp(与2个增加顶点对应的单位电容器的静电容量的平均值)与Cs(积层方向中央的单位电容器(UC50)的静电容量)的差由以Cs为基准的百分率表示的值(均为10个的平均值)。如前所述，所述样品le、所述样品2e、及所述样品3e符合所述“大致直线性分布(参照图2的粗虚线)”，因此省略了“ (Cp—Cs) / Cs(% )” 的记载。
[0062]进而，图3的“Ncp”中记载的是如下编号，也就是，将所述样品Ia?ld、lf&lg、所述样品2a?2d、2f及2g、以及所述样品3a?3d、3f及3g各准备10个,利用通过所述同样的测定获得的每个单位电容器的静电容量而与2个增加顶点对应的单位电容器的编号。顺带提一下，在各10个之中与2个增加顶点对应的单位电容器的编号有差异的情况下，将10个之中最多的单位电容器的编号定为“Ncp”。如前所述，所述样品le、所述样品2e、及所述样品3e符合所述“大致直线性分布(参照图2的粗虚线)”，因此省略了 “Ncp”的记载。
[0063]进而，另外，图3的“CR积(QF) ”中记载的是如下值，也就是，将所述样品Ia?lg、所述样品2a?2g、及所述样品3a?3g各准备10个,通过LCR测量计(Agilent制造的4284A)测定各自的静电容量，并且通过绝缘电阻计(ADC公司制造的R8340A)测定各自的绝缘电阻，通过测定获得的静电容量与绝缘电阻的积(均为10个的平均值)。顺带提一下，绝缘电阻的测定采用了在刚施加20秒钟的直流IV后便测定电阻的方法。
[0064]关于所述样品Ia?lg、2a?2g及3a?3g,基于图3的“(Cp—Co) / Co(%)”、“(Cp—Cs) / Cs (% )”、“Ncp”及“CR积(QF) ”中记载的数值等可作如下叙述。
[0065](I)所述样品Ia?Ig之中符合所述“大致直线性分布(参照图2的粗虚线)”的所述样品Ie的“CR积(QF)”S 1000QF。相对于此，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品Ia?Id、If及Ig的“CR积(Ω F) ”均高于1000 Ω F。
[0066]另，所述样品2a?2g之中符合所述“大致直线性分布(参照图2的粗虚线)”的所述样品2e的“CR积(QF)”为610QF。相对于此，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品2a?2d、2f及2g的“CR积(Ω F) ”均高于610 Ω F。
[0067]进而，所述样品3a?3g之中符合所述“大致直线性分布(参照图2的粗虚线)”的所述样品3e的“CR积(Ω F) ”为1060 Ω F。相对于此，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品3a?3d、3f及3g的“CR积(Ω F) ”均高于1060 Ω F。
[0068]也就是说，只要是符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品Ia?Id、If及北、所述样品2a?2d、2f及2g、以及所述样品3a?3d、3f及3g,便可以确切地抑制CR积的降低。
[0069](2)符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品Ia?ld、lf及Ig中的所述样品Ia的“CR积(QF) ”为所述样品Ie的“CR积(QF) ”增加40.0%的值，所述样品Ib的“CR积(QF) ”为所述样品Ie的“CR积(QF)”增加34.0%的值，所述样品Ic的“CR积(Ω F) ”为所述样品Ie的“CR积(Ω F) ”增加22.0%的值，所述样品Id的“CR积(Ω F) ”为所述样品Ie的“CR积(Ω F) ”增加4.0%的值，所述样品If的“CR积(Ω F) ”为所述样品Ie的“CR积(Ω F) ”增加38.0 %的值，所述样品Ig的“CR积(Ω F) ”为所述样品Ie的“CR积(Ω F) ”增加33.0 %的值。
[0070]另，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品2a?2d、2f及2g中的所述样品2a的“CR积(QF) ”为所述样品2e的“CR积(QF) ”增加62.3%的值，所述样品2b的“CR积(QF) ”为所述样品2e的“CR积(QF)”增加39.3%的值，所述样品2c的“CR积(Ω F) ”为所述样品2e的“CR积(Ω F) ”增加19.7%的值，所述样品2d的“CR积(Ω F) ”为所述样品2e的“CR积(Ω F) ”增加3.3 %的值，所述样品2f的“CR积(Ω F) ”为所述样品2e的“CR积(QF)”增加44.3%的值，所述样品2g的“CR积(QF)”为所述样品2e的“CR积(Ω F) ”增加37.7%的值。
[0071]进而，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品3a?3d、3f及3g中的所述样品3a的“CR积(Ω F) ”为所述样品3e的“CR积(Ω F) ”增加22.6%的值，所述样品3b的“CR积(QF)”为所述样品3e的“CR积(QF)”增加20.8%的值，所述样品3c的“CR积(Ω F) ”为所述样品3e的“CR积(Ω F) ”增加19.8 %的值，所述样品3d的“CR积(Ω F) ”为所述样品3e的“CR积(Ω F) ”增加4.7 %的值，所述样品3f的“CR积(Ω F) ”为所述样品3e的“CR积(Ω F) ”增加19.8%的值，所述样品3g的“CR积(Ω F) ”为所述样品3e的“CR积(Ω F) ”增加18.9%的值。
[0072]也就是说，如果考虑所述样品Ia~Id、If及Ig各自的介电体层13的平均厚度为1.0 μ m，所述样品2a~2d、2f及2g各自的介电体层13的平均厚度为0.8 μ m，所述样品3a~3d、3f及3g各自的介电体层13的平均厚度为3.0 μ m，那么在介电体层13的平均厚度薄的情况，具体而言介电体层13的平均厚度为Ι.Ομπι以下的情况下，CR积的增加效果大，故可以更进一步确切地抑制CR积的降低。
[0073](3)如由所述(2)的说明还可知，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品Ia~ld、lf及Ig中，所述样品Id的“CR积(QF) ”的增加量(4.0% )低于其他样品Ia~lc、lf 及Ig的增加量(22.0%以上)。
[0074]另，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品2a~2d、2f及2g中，所述样品2d的“CR积(QF) ”的增加量(3.3% )低于其他样品2a~2c、2f及2g的增加量(19.7%以上)。
[0075]进而，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品3a~3d、3f及3g中，所述样品3d的“CR积(QF) ”的增加量(4.7%)低于其他样品3a~3c、3f?及3g的增加量(18.9%以上)。
[0076]也就是说，如果考虑制造时可能会产生的“CR积(QF) ”的公差(±5.0%左右)，那么在所述样品Ia~Id、If及Ig之中是所述样品Ia~lc、lf及Ig适合实际使用,在所述样品2a~2d、2f及2g之中是所述样品2a~2c、2f及2g适合实际使用，在所述样品3a~3d、3f及3g之中是所述样品3a~3c、3f及3g适合实际使用。
[0077]如果将此情况换种说法以“ (Cp-Co) / Co (% ) ”与“ (Cp-Cs) / Cs (% ) ”的数值来讲，
[0078]那么在所述样品Ia~Id、If及Ig之中是“(Cp — Co) / Co (% ) ”为3.2%以上且"(Cp-Cs) / Cs(%)”为3.0%以上的所述样品Ia~lc、lf及Ig适合实际使用，在所述样品 2a ~2d、2f 及 2g 之中是“ (Cp-Co) / Co (% ) ”为 3.4% 以上且“(Cp — Cs) / Cs (% )，，为3.1 %以上的所述样品2a~2c、2f及2g适合实际使用，在所述样品3a~3d、3f及3g之中是“(Cp—Co) / Co(% )”为3.1%以上且“(Cp — Cs) / Cs(% )”为3.0%以上的所述样品3a~3c、3f及3g适合实际使用。总括而言，只要“(Cp—Co) / Co (% ) ”为3.1 %以上且“(Cp—Cs) / Cs(%)”为3.0%以上，便获得适合实际使用的CR积的增加效果，而可以更进一步确切地抑制CR积的降低。
[0079]此外，图3中，作为“(Cp—Co) / Co (%)”的最大值记载的是16.0% (参照样品2f)，作为“ (Cp—Cs) / Cs(%) ”的最大值记载的是7.7% (参照样品Ia)，从“CR积(Ω F) ”的数值倾向等来看，认为即便在“ (Cp-Co) / Co(% ) ”超过16.0%的情况、例如为30.0%的情况下，或者在“ (Cp—Cs) / Cs(% ) ”超过7.7%的情况、例如为20.0%的情况下，也可以获得适合实际使用的CR积的增加效果。
[0080](4)符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品Ia~ld、lf及 Ig 中的所述样品 Ia 的“(Cp — Co) / Co(% ) ”与“(Cp — Cs) / Cs(%) ” 的差为 4.4%,所述样品Ib的“(Cp—Co) / Co(%)”为“(Cp—Cs) / Cs(%)”的差为3.3%，所述样品Ic的 “ (Cp-Co) / Co (% ) ” 与“ (Cp-Cs) / Cs (% ) ” 的差为 0.2%,所述样品 Id 的 “(Cp—Co) / Co ( % ) ” 与 “ (Cp-Cs) / Cs ( % ) ” 的差为 0.1 %，所述样品 If 的“ (Cp-Co) /Co(% )” 与“(Cp — Cs) / Cs (%)” 的差为 11.7%，所述样品 Ig 的 “(Cp — Co) / Co(% )"与“(Cp—Cs) / Cs(% )”的差为 6.1%。
[0081]另，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品2a?2d、2f及 2g 中的所述样品 2a 的“(Cp—Co) / Co(% )” 与“(Cp—Cs) / Cs (% ) ” 的差为 7.3%，所述样品2b的“(Cp — Co) / Co(%)”与“(Cp—Cs) / Cs(%)”的差为4.4%，所述样品2c的 “ (Cp-Co) / Co (% ) ” 与“ (Cp-Cs) / Cs (% ) ” 的差为 0.3%,所述样品 2d 的 “(Cp—Co) / Co(% )” 与“(Cp—Cs) / Cs(% )” 的差为 0.1 %，所述样品 2f 的“(Cp—Co) /Co(% )” 与“(Cp — Cs) / Cs(% )” 的差为 12.5%，所述样品 2g 的 “(Cp — Co) / Co(% )"与“(Cp—Cs) / Cs(% )”的差为 7.9%。
[0082]进而，符合所述“大致W字状的分布(参照图2的粗实线)”的所述样品3a?3d、3f及 3g 中的所述样品 3a 的“(Cp — Co) / Co(%)” 与“(Cp—Cs) / Cs (% ) ” 的差为 3.1 %，所述样品3b的“(Cp — Co) / Co(%) ”与“(Cp — Cs) / Cs(%) ”的差为1.3%，所述样品3c的 “ (Cp-Co) / Co (% ) ” 与“ (Cp-Cs) / Cs (% ) ” 的差为 0.1%,所述样品 3d 的 “(Cp—Co) / Co(% )” 与“(Cp—Cs) / Cs(% )” 的差为 0.1%，所述样品 3f 的“(Cp—Co) /Co (% ) ” 与“ (Cp-Cs) / Cs (% ) ” 的差为 8.3 %，所述样品 3g 的 “ (Cp-Co) / Co (% ) ”与 “(Cp—Cs) / Cs(% )” 的差为 4.6%。
[0083]也就是说，在积层方向两侧的单位电容器UCl及UC99的静电容量小于积层方向中央的单位电容器UC50的静电容量的关系下，在“(Cp—Co) / Co(% )”与“(Cp—Cs) /Cs(%)”的差大的情况，具体而言“(Cp—Co) / Co(% )”与“(Cp—Cs) /Cs(%)”的差为1.3%以上的情况下，CR积的增加效果大，故可以更进一步确切地抑制CR积的降低。
【权利要求】
1.一种积层陶瓷电容器，具备电容器主体，所述电容器主体具有多个内部电极层层间夹着介电体层的结构；且特征在于: 将由在积层方向上邻接的2个内部电极层与夹在该2个内部电极层之间的I个介电体层所构成的部分理解为单位电容器时，沿积层方向排列的多个单位电容器的静电容量形成了从积层方向两侧向内侧逐渐增加且从两个高点向积层方向中央逐渐减少的分布。
2.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容器，其特征在于: 所述积层方向两侧的单位电容器的静电容量小于所述积层方向中央的单位电容器的静电容量。
3.根据权利要求1或2所述的积层陶瓷电容器，其特征在于: 所述介电体层的平均厚度为Ι.Ομπι以下。
4.根据权利要求1或2所述的积层陶瓷电容器，其特征在于: 当将所述积层方向两侧的单位电容器的静电容量的平均值设为Co，将与所述两个高点对应的单位电容器的静电容量的平均值设为Cp，将所述积层方向中央的单位电容器的静电容量设为Cs时，(Cp — Co) / Co为3.1%以上，(Cp — Cs) / Cs为3.0%以上。
5.根据权利要求1或2所述的积层陶瓷电容器，其特征在于: 当将所述积层方向两侧的单位电容器的静电容量的平均值设为Co，将与所述两个高点对应的单位电容器的静电容量的平均值设为Cp，将所述积层方向中央的单位电容器的静电容量设为Cs时，(Cp — Co) / Co与(Cp — Cs) / Cs的差为1.3%以上。
6.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容器，其特征在于: 所述内部电极层的数量为100以上。
7.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容器，其特征在于: 所述各介电体层的材料相同，且所述各介电体层的厚度大致相同。
【文档编号】H01G4/12GK103700500SQ201310452919
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年9月25日 优先权日:2012年9月27日
【发明者】齐藤贤二, 森田浩一郎 申请人:太阳诱电株式会社