阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示【技术领域】，公开了一种阵列基板制作方法，包括步骤：在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形；在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形，使所述第二信号线电极直接接触所述第一信号线电极以形成信号线。还公开了一种阵列基板及显示装置。本发明中，信号线由两层信号线电极组成相当于增加了信号线的截面面积，从而减小了信号线的电阻，进而避免了现有技术中由于信号线电阻过大造成信号传输延迟，失真等不良的问题，提高了产品良率。
【专利说明】阵列基板及其制作方法、显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]对于栅极驱动电路集成在阵列基板上(Gate-driver On Array, GOA)的产品，GOA区域包括诸多密集的信号线及薄膜晶体管(TFT)。如图1和2所示，基板6上的GOA区域除了包括若干GOA驱动单元外，还包括若干信号线:第一时钟信号线(CLK信号线)1，第二时钟信号线(CLKB信号线)2、接地电压信号线(VSS信号线)3和栅启动信号线(STV信号线)4等。每个GOA驱动单元5都连接CLK信号线1，CLKB信号线2和VSS信号线3，其中，STV信号线4连接第一个GOA驱动单元5。由于阵列基板GOA区域布线较密集，因此，各信号线关键尺寸(Critical Dimension,⑶)值较小,导致该区域(尤其是大尺寸产品,信号线很长)信号线电阻过大，造成信号延迟，失真等不良，严重影响产品良率。
【发明内容】
[0003](一)要解决的技术问题
[0004]本发明要解决的技术问题是:如何减小GOA区域信号线的电阻。
[0005](二)技术方案
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板制作方法，包括以下步骤:
[0007]在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形；
[0008]在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形，使所述第二信号线电极直接接触所述第一信号线电极以形成信号线。
[0009]其中，所述在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形具体包括:
[0010]在所述基板上形成导电薄膜，通过构图工艺在GOA区对应信号线的区域形成所述第一信号线电极的图形。
[0011]其中，所述在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形具体包括:
[0012]在所述基板上形成透明导电薄膜，通过构图工艺在所述基板对应的阵列基板的显示区域形成公共电极或像素电极的图形，同时在GOA区对应信号线的区域形成所述第一信号线电极的图形。
[0013]其中，所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括:
[0014]在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成金属薄膜，通过构图工艺在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
[0015]其中，所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括:[0016]在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅极的图形，同时在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
[0017]其中，所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括:
[0018]在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括源极、漏极和数据线的图形，同时在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
[0019]本发明还提供了一种阵列基板，包括位于GOA区的信号线，所述信号线包括:位于基板上的第一信号线电极及位于所述第一信号线电极之上的第二信号线电极，第一信号线电极和第二信号线电极直接接触，共同形成信号线。
[0020]其中，所述第一信号线电极与所述阵列基板上的公共电极或像素电极为同种电极材料,且同时形成。
[0021 ] 其中，所述第二信号线电极为金属电极。
[0022]其中，所述第二信号线电极与所述阵列基板上的栅线为同种金属材料，且同时形成。
[0023]其中，所述第二信号线电极与所述阵列基板上的数据线为同种金属材料，且同时形成。
[0024]本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
[0025](三)有益效果
[0026]本发明的阵列基板制作方法中，在基板上GOA区对应信号线的区域先形成一层第一信号线电极，再在第一信号线电极之上形成原来的第二信号线电极，以共同形成信号线。由于该信号线由两层信号线电极组成相当于增加了信号线的截面面积，从而减小了信号线的电阻，进而避免了现有技术中由于信号线电阻过大造成信号传输延迟，失真等不良的问题，提闻了广品良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]图1是现有技术中的一种阵列基板GOA区的平面示意图；
[0028]图2是图1的现有技术中的阵列基板GOA区沿A-A的截面图；
[0029]图3是本发明实施例的一种阵列基板制作方法流程图；
[0030]图4是本发明实施例的制作方法制作的阵列基板的GOA区的截面示意图。
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0032]本实施例的阵列基板制作方法流程如图3所示，包括:
[0033]步骤S310，在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形。
[0034]对于扭曲向列型(Twisted Nematic, TN)面板对应的阵列基板或有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode7OLED)的阵列基板,可以单独在基板上形成导电薄膜,通过构图工艺(通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺)在GOA区对应信号线的区域形成第一信号线电极的图形。其中导电薄膜可以是金属薄膜也可以是铟锡氧化物(Indium Tin Oxides, ITO)薄膜，由于金属导电性较好,优选采用金属(如:铜)形成第一信号线电极。
[0035]对于高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch, ADS)模式的阵列基板，通常会先在基板上形成一层透明电极(如:ΙΤ0、ΙΖ0)作为公共电极或像素电极。因此，为了节省工艺步骤，本实施例中，第一信号线电极的图形与公共电极或像素电极采用同种材料，且在同一次构图工艺中形成。具体包括:在基板上形成透明导电薄膜，通过构图工艺在基板对应的阵列基板的显示区域形成公共电极或像素电极的图形，同时在GOA区对应信号线的区域形成第一信号线电极的图形。因此，对于ADS模式的阵列基板，在形成第一信号线电极时也无需增加额外的工艺步骤。
[0036]其中，第一信号线电极的图形的厚度为500 A?1000人，对于ADS模式的阵列基板，其厚度与公共电极或像素电极的厚度相同。
[0037]步骤S320，在第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形，使第二信号线电极直接接触所述第一信号线电极，即第二信号线电极直接覆盖在第一信号线电极的表面，不需要通过过孔连接。第一信号线电极和第二信号线电极共同形成信号线。
[0038]该步骤中，第二信号线电极的图形可以采用单独的工艺形成，具体包括:在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成金属薄膜，通过构图工艺在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
[0039]为了节省工艺步骤，本实施例中，对于底栅结构TFT的阵列基板，使第二信号线电极的图形与阵列基板的栅线及TFT的栅极采用同种材料，且在同一次构图工艺中形成。具体包括:在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅极(还可以包括公共电极线)的图形，同时在第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。栅金属薄膜可以是单质金属，包括Ta、Cr、Mo、Al、Cu等；也可以是合金材料，包括Mo-Ta、Al-Ta、Al-Ni等。栅金属薄膜也可以是多层结构，如Al/Ta双层结构，Mo/Al/Mo三层结构。为避免信号延迟，优选电阻率较低的Al、Cu等金属。
[0040]为了节省工艺步骤，本实施例中，对于顶栅结构TFT的阵列基板，使第二信号线电极的图形与阵列基板的数据线及TFT的源漏极采用同种材料，且在同一次构图工艺中形成。具体包括:在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括源极、漏极和数据线的图形，同时在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。源漏极金属薄膜可以采用与栅极金属层相同的材料，也可以采用多层金属结构，如 Ta/Al、Mo/Al、Mo/Al/Mo 等。
[0041]当然，阵列基板的制作方法中还包括在形成栅线和栅极(对于底栅型TFT结构)，或形成数据线和源漏极(对于顶栅型TFT结构)之后继续形成TFT的其它层次结构等的步骤，这些步骤和现有的阵列基板制作步骤基本相同，此处不再赘述。
[0042]本实施例的阵列基板制作方法中，在基板上GOA区对应信号线的区域先形成一层第一信号线电极，再在第一信号线电极之上形成原来的第二信号线电极，以共同形成信号线。由于该信号线由两层信号线电极组成相当于增加了信号线的截面面积，从而减小了信号线的电阻，进而避免了现有技术中由于信号线电阻过大造成信号传输延迟，失真等不良的问题，提闻了广品良率。
[0043]由上述方法形成的阵列基板如图4所示，示出了阵列基板在GOA区域的截面结构(平面结构可以参考图1)。该阵列基板包括:位于基板6上的第一信号线电极(如图4中示出了 CLK信号线、CLKB信号线和VSS信号线分别对应的第一 CLK信号线电极11，第一 CLKB信号线电极21、第一 VSS信号线电极31)及位于第一信号线电极之上的第二信号线电极(如图4中示出了 CLK信号线、CLKB信号线和VSS信号线分别对应的第二 CLK信号线电极12，第二 CLKB信号线电极22、第二 VSS信号线电极32)，第一信号线电极和第二信号线电极相接触，共同形成信号线(如图4中的CLK信号线、CLKB信号线和VSS信号线)。
[0044]本实施例中，对于TN面板对应的阵列基板或OLED面板的阵列基板，可以单独在基板上形成导电薄膜。其中导电薄膜可以是金属薄膜也可以是铟锡氧化物(Indium TinOxides, ITO)薄膜。
[0045]对于ADS模式的阵列基板，通常会先在基板上形成一层透明电极(ITO)作为公共电极或像素电极。因此，为了节省工艺步骤，本实施例中，第一信号线电极与公共电极或像素电极采用同种材料，且在同一次构图工艺中形成。因此，不增加额外工艺的同时，也降低了信号线电阻。
[0046]本实施例中，第二信号线电极为金属电极，可以采用单独的工艺形成。
[0047]为了节省工艺步骤，本实施例中，对于底栅结构TFT的阵列基板，使第二信号线电极与阵列基板的栅线及TFT的栅极采用同种材料，且在同一次构图工艺中形成。
[0048]为了节省工艺步骤，本实施例中，对于顶栅结构TFT的阵列基板，第二信号线电极与阵列基板的数据线及TFT的源漏极采用同种材料，且在同一次构图工艺中形成。
[0049]当然，本实施例的阵列基板的显示区域还包括在基板上形成的若干栅线、数据线及两者交叉定义的若干像素单元，每个像素单元包括TFT及与TFT连接的像素电极等结构。这些结构与现有的阵列基板的相应结构基本相同，此处不再赘述。
[0050]从图4中可看出，本实施例的阵列基板上GOA区的信号线相对于现有的阵列基板上GOA区的信号线(如图2)增加了一定的高度，相当于增加了信号线的截面面积，从而减小了信号线的电阻，进而避免了现有技术中由于信号线电阻过大造成信号传输延迟，失真等不良的问题，提闻了广品良率。
[0051]本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0052]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关【技术领域】的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【权利要求】
1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形； 在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形，使所述第二信号线电极直接接触所述第一信号线电极以形成信号线。
2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形具体包括: 在所述基板上形成导电薄膜，通过构图工艺在GOA区对应信号线的区域形成所述第一信号线电极的图形。
3.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述在基板上形成包括位于GOA区对应信号线的区域的第一信号线电极的图形具体包括: 在所述基板上形成透明导电薄膜，通过构图工艺在所述基板对应的阵列基板的显示区域形成公共电极或像素电极的图形，同时在GOA区对应信号线的区域形成所述第一信号线电极的图形。
4.如权利要求1?3中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括: 在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成金属薄膜，通过构图工艺在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
5.如权利要求1?3中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括: 在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅极的图形，同时在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
6.如权利要求1?3中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形具体包括: 在形成包括第一信号线电极的图形的基板上形成源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括源极、漏极和数据线的图形，同时在所述第一信号线电极图形之上形成包括第二信号线电极的图形。
7.—种阵列基板，包括位于GOA区的信号线，其特征在于，所述信号线包括:位于基板上的第一信号线电极及位于所述第一信号线电极之上的第二信号线电极，第一信号线电极和第二信号线电极直接接触，共同形成信号线。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线电极与所述阵列基板上的公共电极或像素电极为同种电极材料，且同时形成。
9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二信号线电极为金属电极。
10.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二信号线电极与所述阵列基板上的栅线为同种金属材料，且同时形成。
11.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二信号线电极与所述阵列基板上的数据线为同种金属材料，且同时形成。
12.—种显示装置，包括如权利要求7?11中任一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L21/77GK103489879SQ201310472914
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年10月11日 优先权日:2013年10月11日
【发明者】于海峰, 黄海琴, 封宾 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司