包括同时抛光衬底晶片的正面和反面的抛光半导体晶片的方法

包括同时抛光衬底晶片的正面和反面的抛光半导体晶片的方法
【专利摘要】用于抛光半导体晶片的方法，其包括在抛光介质的存在下同时抛光衬底晶片的正面和反面，并实现从衬底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分为第一和第二步骤，第一步骤中的材料去除速度高于第二步骤，其中将第一抛光浆液用作第一步骤中的抛光介质，并将第二抛光浆液用作第二步骤中的抛光介质，并且第二抛光浆液与第一抛光浆液的区别至少在于第二抛光浆液包含聚合物添加剂。
【专利说明】3具有经抛光的正面和反面的状态，其意图程度地平行。“塌边(6(186 1*011-0打广是磨圆和抛光边缘的前方区域中显著降低时兒具体是23？职和200。在通过03？的抛光职和200值表示。
「的03？分为两步骤，在第一步骤中使用产骤中切换为产生相对低的材料去除的抛光而不影响半导体晶片的平坦度和表面粗糙
方法可以在完成03？时仍可实现较低的塌
去实现该目的，所述方法包括在抛光介质的I衬底晶片的正面和反面去除材料，所述方隹速度高于第二步骤，其中将第一抛光浆液I用作第二步骤中的抛光介质，并且第二抛6浆液包含聚合物添加剂。斗活性成分，优选胶体分散的二氧化硅。磨
0且不大于13的？！！，并且包含至少一种以七钾、氢氧化铵和四甲基氢氧化铵。碱性化
晶硅组成的半导体晶片。在衬底晶片根据的半导体晶片的边缘几何形状优选不大于，其中测量最高的塌边。
更优选为300111111或450111111的直径。
匕施至少一个另外的抛光操作，优选实施正&件的衬底的侧面。
1抛光半导体晶片8对于半导体晶片的直径1的抛光半导体晶片V对半导体晶片的直径光的半导体晶片V的抛光半导体晶片边缘的几何形状的典型值。
[0032]表:
[0033]
【权利要求】
1.一种用于抛光半导体晶片的方法，其包括在抛光介质的存在下同时抛光衬底晶片的正面和反面，以实现从所述衬底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分为第一和第二步骤，第一步骤中的材料去除速度高于第二步骤中的材料去除速度，其中第一抛光浆液被用作第一步骤中的抛光介质，第二抛光浆液被用作第二步骤中的抛光介质，并且第二抛光浆液与第一抛光浆液的区别至少在于第二抛光浆液包含聚合物添加剂。
2.权利要求1的方法，其中材料去除速度在第一步骤中为不小于0.4ym/min且不大于1.0 μ m/min,并且在第二步骤中为不小于0.15 μ m/min且不大于0.5 μ m/min。
3.权利要求1或2的方法，其中每单位侧面面积的材料去除在第一步骤中为不小于4 μ m且不大于15 μ m,并且在第二步骤中为不小于0.5 μ m且不大于2.0 μ m。
4.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中以ESFQI^x表示的抛光半导体晶片的塌边不大于40nm。
【文档编号】H01L21/304GK103839798SQ201310585234
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2013年11月19日 优先权日:2012年11月20日
【发明者】A·海尔迈尔, L·米斯图尔, K·勒特格, 田畑诚 申请人:硅电子股份公司