一种自散热式半导体封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及的一种自散热式半导体封装结构，包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、散热陶瓷颗粒和环氧树脂层，氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，散热陶瓷颗粒分散于氟硅橡胶层表面，环氧树脂层覆盖散热陶瓷颗粒之间的氟硅橡胶层表面，散热陶瓷颗粒的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。本实用新型产生的有益效果是：采用散热陶瓷颗粒位于氟硅橡胶层和环氧树脂层之间，可以起到主动散热的作用。
【专利说明】一种自散热式半导体封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体封装【技术领域】，更确切地说是涉及一种自散热式半导体封装结构。
【背景技术】
[0002]在半导体封装技术方面，现有的技术通常采用环氧树脂进行封装，环氧树脂的散热性能很差，难以满足发热较高的半导体封装的需要。
[0003]由此可见，上述现有半导体封装结构亟待加以改进。
【发明内容】
[0004]本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有的半导体封装结构存在的缺陷，而提供一种自散热式半导体封装结构。
[0005]本实用新型解决其主要技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种自散热式半导体封装结构，包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、散热陶瓷颗粒和环氧树脂层，氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，散热陶瓷颗粒分散于氟硅橡胶层表面，环氧树脂层覆盖散热陶瓷颗粒之间的氟硅橡胶层表面，散热陶瓷颗粒的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。
[0006]本实用新型的有益效果在于，采用散热陶瓷颗粒位于氟硅橡胶层和环氧树脂层之间，可以起到主动散热的作用。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的截面结构示意图。
[0008]附图标记说明:1、被封装半导体器件；2、氟硅橡胶层；3、散热陶瓷颗粒；4、环氧树脂层。
【具体实施方式】
[0009]以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的其【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。
[0010]请参阅图1所示，本实用新型的一种自散热式半导体封装结构，包括被封装半导体器件1、氟硅橡胶层2、散热陶瓷颗粒3和环氧树脂层4，氟硅橡胶层2覆盖被封装半导体器件1，散热陶瓷颗粒3分散于氟硅橡胶层2表面，环氧树脂层4覆盖散热陶瓷颗粒3之间的氟硅橡胶层2表面，散热陶瓷颗粒3的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。
[0011]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种自散热式半导体封装结构，其特征在于:所述自散热式半导体封装结构包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、散热陶瓷颗粒和环氧树脂层，所述氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，所述散热陶瓷颗粒分散于氟硅橡胶层表面，所述环氧树脂层覆盖散热陶瓷颗粒之间的氟硅橡胶层表面，所述散热陶瓷颗粒的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。
【文档编号】H01L23/373GK203456440SQ201320512758
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年8月22日 优先权日:2013年8月22日
【发明者】刘茂生, 游平 申请人:江西创成半导体有限公司