半导体晶片加工用胶带的制造方法以及半导体晶片加工用胶带的制作方法

半导体晶片加工用胶带的制造方法以及半导体晶片加工用胶带的制作方法
【专利摘要】公开了半导体晶片加工用胶带(10)的制造方法，其能够实现接合剂层的接合剂使用量的节约、制造工序的简化(尤其是接合剂层的切割工时的削减)和产品质量的提高。在该制造方法中，包含：印刷工序，以大致等于或大于半导体晶片的尺寸，在支撑用膜(11)上丝网印刷或凹版印刷晶片接合用接合剂，由此形成接合剂层(12)；和干燥工序，使接合剂层(12)干燥。
【专利说明】半导体晶片加工用胶带的制造方法以及半导体晶片加工用 胶带

【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体晶片加工用胶带的制造方法以及利用该制造方法制造的半导 体晶片加工用胶带。

【背景技术】
[0002] 作为半导体晶片的加工用胶带，存在有在晶片接合胶带上层叠粘合胶带（切割胶 带）而成的切割/晶片接合膜，其中，所述晶片接合胶带是在支撑用的树脂膜上具有以大致 等于或大于半导体晶片的尺寸而形成为圆形的接合层，所述粘合胶带同样形成为圆形。
[0003] 作为这样的多层胶带的常规制造方法，已知有如下制造方法（例如，专利文献1): 以覆盖树脂膜的整个单面的方式，利用涂布机涂布接合剂，然后，利用以与半导体晶片的尺 寸相符的方式保留一部分而去除不需要部分的方法，形成并层叠粘合胶带，将粘合胶带切 割为与环形框架相符的形状。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开2007-002173号公报


【发明内容】

[0007] 发明要解决的问题
[0008] 在现有的制造方法中，在树脂膜的整个单面涂布接合剂而暂且形成接合剂层，然 后，预切割出与晶片尺寸对应的部分，然后去除不需要部分，因此，存在接合剂层之中作为 不需要部分而废弃的部分的量较多的问题。尤其是，在使用了晶片接合用的接合胶带那样 价格昂贵的材料的情况下，为了提高产品成品率，强烈要求减少作为不需要部分而废弃的 部分的量。
[0009] 此外，在制造切割/晶片接合膜的情况下，在现有的制法中，要进行接合剂层的形 成、接合剂层的预切割、不需要部分的去除、粘合胶带的贴合、粘合胶带的预切割，存在工时 多、生产线长的问题。由于生产线长的限制等，根据情况，在预切割接合剂层后，需要从接合 剂层上方暂且贴合隔离物，卷取为辊状后，改换生产线，剥离隔离物，使粘合胶带贴合于接 合剂层，进行粘合胶带的预切割，这种情况下，工时进一步增加。
[0010] 此外，在利用现有的方法来制造接合胶带的情况下，需要在支撑侧的树脂膜上将 接合剂层切割为半导体晶片状，因此，在切割接合剂层时，在支撑膜的表面产生沿着接合剂 层的切割部分的切入的问题。即，如图10所示，在支撑用膜11上形成接合剂层12,然后，在 切割接合剂层12时，接合剂层12的外周部被垂直地切割，由于其切割刀具的前端，在支撑 膜11中形成割伤40。在这样的情况下，在切割刀具导致的切入部分容易附着膜尘等异物， 因此，为了实现产品质量的提高，期望能够尽量抑制割伤的产生。
[0011] 因此，本发明的主要目的在于提供一种半导体晶片加工用胶带的制造方法，其能 够实现接合剂层的接合剂使用量的节约、制造工序的简化（尤其是接合剂层的切割工时的 削减）和广品质量的提尚。
[0012] 用于解决问题的手段
[0013] 为了解决以上问题，根据本发明，提供一种半导体晶片加工用胶带的制造方法，其 包括：
[0014] 印刷工序，以大致等于或大于半导体晶片的尺寸，在第1树脂膜上丝网印刷或凹 版印刷晶片接合用接合剂，由此形成接合剂层；和
[0015] 干燥工序，使所述接合剂层干燥。
[0016] 发明效果
[0017] 根据本发明，在印刷工序中，通过将接合剂进行丝网印刷或凹版印刷，能够仅对所 需的部分涂布接合剂，因此，不需要去除接合剂层的不需要部分，能够节约接合剂的使用 量。
[0018] 在这样的情况下，还能够削减接合剂层的切割工序，能够实现制造工序的简化，而 且，不会对第1树脂膜形成割伤，因此能够实现产品质量的提高。

【专利附图】

【附图说明】
[0019] 图1是示出本发明的优选实施方式（第1实施方式）的半导体晶片加工用胶带的 示意性结构的侧视图。
[0020] 图2是对半导体晶片加工用胶带的制造工序进行说明的图。
[0021] 图3是半导体晶片加工用胶带的制造装置的概念图。
[0022] 图4是示出利用现有的制造方法形成的半导体晶片加工用胶带的示意性结构的 剖视图。
[0023] 图5是示出图1的半导体晶片加工用胶带的接合剂层的变形例的图。
[0024] 图6是第2实施方式的半导体晶片加工用胶带的侧视图。
[0025] 图7是对第2实施方式的半导体晶片加工用胶带的制造工序进行说明的图。
[0026] 图8是第3实施方式的半导体晶片加工用胶带的侧视图。
[0027] 图9是对第3实施方式的半导体晶片加工用胶带的制造工序进行说明的图。
[0028] 图10是用于说明现有的制造方法导致的问题的图。
[0029] 图11是用于说明本发明的实施例的样本的接合剂层的外周部（倾斜部）的图。

【具体实施方式】
[0030] <第1实施方式>
[0031] 以下，参照附图，对本发明的第1实施方式进行说明。
[0032] 图1示出本实施方式中的半导体晶片加工用胶带10的侧视图。
[0033] 该半导体晶片加工用胶带10依次层叠有作为第1树脂膜的支撑用膜11、由晶片接 合用接合剂构成的接合剂层12、由切割用粘合剂构成的粘合剂层13以及作为第2树脂膜的 基材膜14。
[0034] 在制造半导体晶片加工用胶带10时，支撑用膜11支撑接合剂层12,并作为接合剂 层12的保护膜发挥作用。
[0035] 接合剂层12与半导体晶片贴合，进行切割后拾取芯片时，与粘合剂层13剥离而附 着于芯片，在将芯片固定到基板或引线框架上时，作为接合剂来使用。
[0036] 在进行切割时，粘合剂层13作为保持半导体晶片以及单片化后的芯片时的粘合 剂使用。
[0037] 基材膜14是用于通过切割后的扩展来分断芯片和接合剂层12而能够扩展 (expand)的胶带。
[0038] 首先，对各层的成分进行说明。
[0039] <支撑用膜（11) >
[0040] 作为支撑用膜11，适合使用聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)膜。此外，除了聚对苯二 甲酸乙二醇酯膜以外，也可以使用聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚酰 亚胺膜等塑料膜，这些塑料膜也可以对表面进行脱模处理后使用。
[0041]〈接合剂层（12) >
[0042] 接合剂层12没有特别限定，只要是通常在切割/晶片接合胶带中使用的晶片接合 胶带即可，如果具有柔性且容易断开，则对于提高半导体制造工序的成品率是适合的。
[0043] 为了得到具有柔性且容易断开的接合剂层，要满足（i)?（iii)中的至少1个条 件，优选满足两个条件，更优选满足全部3个条件。
[0044] (i)接合剂层的B阶段状态在25°C下的断裂伸长率为40%以下，优选为10%以 下，更优选为3%以下。
[0045] (ii)B阶段状态的接合剂层12在25°C下的断裂强度为0.IMPa以上且lOMPa以下。
[0046] (iii)基于25°C且10Hz下的动态粘弹性测定的弹性模量为IMPa?3000MPa，基于 25°C且900Hz下的动态粘弹性测定的弹性模量为4000MPa?20000MPa。
[0047] 在断裂伸长率超过40%的情况下，易断开度不足，有可能不能提高半导体制造工 序的成品率，因而不合适。
[0048] 同样，在断裂强度小于0.IMPa的情况下，接合剂层12的柔性不足，操作处理性有 可能下降，在超过lOMPa的情况下，易断开度不足，有可能不能提尚半导体制造工序的成品 率，因而不合适。
[0049] 25°C且10Hz下的弹性模量优选为10?1500MPa，更优选为100?1200MPa。在该 弹性t旲量小于IMPa时，易断开度不足，有可能不能提尚半导体制造工序的成品率，在超过 3000MPa时，有可能在操作处理时在接合剂层12中产生裂纹而不优选。此外，25°C且900Hz 下的弹性模量优选为5000?15000MPa。在该弹性模量小于4000MPa时，存在难以断开的趋 势，在超过20000MPa时，存在操作使用时容易产生裂纹的趋势。
[0050] 构成接合剂层12的成分只要满足上述特性即可，没有特别限制，优选包含高分子 成分、热固化性成分以及填料，此外，可以进一步包含固化促进剂、催化剂、添加剂、偶联剂 等。
[0051] 此外，接合剂层12中包含的高分子成分越多、填料越少则断裂强度和断裂伸长率 越高，而弹性模量具有高分子成分越少、填料越多则越高的趋势，因此，调节这些成分（成 分比率），使得断裂强度或断裂伸长率为上述说明的固定的数值范围内很重要。
[0052] 作为高分子成分，只要满足接合剂层12的所述特性即可，没有特别限制，但优选 其玻璃化转变温度（以下记作Tg)为_30°C?50°C、重量平均分子量为1万?100万。在 Tg超过50°C时，在接合剂层12的柔软性较低这点上存在问题，在Tg小于-30°C时，接合剂 层12的柔软性过高，因而在接合剂层12不易断开这点上不利。此外，在重量平均分子量小 于1万时，在接合剂层12的耐热性下降这点上存在问题，在分子量超过100万时，在接合剂 层12的流动性下降这点上存在问题。
[0053] 从接合剂层12的易断开度和耐热性的观点出发，更优选Tg为_20°C?40°C且重 量平均分子量为10万?90万的高分子成分，优选Tg为-10°C?50°C且重量平均分子量为 5万?100万的高分子成分，特别优选Tg为-10°C?30°C且重量平均分子量为50万?90 万的高分子成分。
[0054] 此外，重量平均分子量是通过凝胶渗透色谱法（GPC)并使用基于标准聚苯乙烯的 标准曲线而得到的聚苯乙烯换算值，作为泵，使用了日立制作所制L-6000,作为色谱柱，使 用了依次连结日立化成工业（株）制GelpackGL-R440、GelpackGL-R450以及Gelpack GL-R400M(各10. X300mm)而得到的色谱柱，作为洗脱液，使用了四氢呋喃，针对使试 样120mg溶解于THF5ml而得到的样本，以流速1. 75mL/分钟而测定出的值。
[0055] 作为高分子成分，具体而言，可举出聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯、聚酯、聚酰胺、丁 二烯橡胶、丙烯酸橡胶、（甲基）丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚苯醚树脂、聚醚酰亚胺树脂、苯 氧基树脂、改性聚苯醚树脂、苯氧基树脂、聚碳酸酯以及它们的混合物等。
[0056] 特别优选为包含官能性单体且重量平均分子量为10万以上的高分子成分，例如 包含丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯等官能性单体且重量平均分子量为10万 以上的含环氧基的（甲基）丙烯酸共聚物等。作为含环氧基的（甲基）的丙烯酸共聚物， 例如可以使用（甲基）丙烯酸酯共聚物、丙烯酸橡胶等，更优选为丙烯酸橡胶。丙烯酸橡胶 是以丙烯酸酯主要成分，主要由丙烯酸丁酯和丙烯腈等的共聚物或丙烯酸乙酯和丙烯腈等 的共聚物等构成的橡胶。
[0057] 关于高分子成分，相对于从接合剂层12的全部重量减去填料的重量后的重量，优 选含有50重量％以下，更优选含有35重量％以下，特别优选含有25重量％以上且35重 量％以下。在高分子成分的混配量较多时，存在接合剂层12的断裂性恶化的趋势，在混配 量较小时，由于接合时的流动性过大，存在产生空隙的趋势。
[0058] 作为热固化性成分，存在环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂及其固化剂等，在耐热 性高这点上，优选为环氧树脂。关于环氧树脂，只要是发生固化而具有接合作用即可，没有 特别限定。可以使用双酚A型环氧树脂等二官能环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂或甲 酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂等。此外，也可以应用多官能环氧树脂、缩水 甘油胺型环氧树脂、含杂环的环氧树脂或脂环式环氧树脂等公知的环氧树脂。
[0059] 此外，以降低B阶段状态的接合剂层12的断裂强度、断裂伸长率、提高接合剂的操 作处理性、提高热传导性、调整熔融粘度、赋予触变性等为目的，本发明的接合剂层12中混 配有填料，优选混配无机填料。
[0060] 作为无机填料，可举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化 钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅、锑氧化物 等。为了提高热传导性，优选为氧化铝，氮化铝、氮化硼，结晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。 出于调整熔融粘度和赋予触变性的目的，优选为氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸 钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。此外，为了提高耐湿 性，优选为氧化铝、二氧化娃、氢氧化铝、铺氧化物。
[0061] 相对于接合剂层12的全部重量，上述填料量优选为5重量％以上且90重量％以 下，更优选为35重量％以上且70重量％以下。在混配量较多时，容易引起接合剂层12的储 能模量上升、接合性下降、空隙残存导致的电气特性的下降等问题，因而特别优选为90重 量％以下。此外，填料的比重优选为lg/cm3?10g/cm3。
[0062] 〈粘合剂层（13) >
[0063] 对粘合剂层13的成分没有特别限制，只要具有在切割时不产生与接合剂层12的 剥离、不产生芯片脱落等不良的程度的保持性、或者具有在拾取时容易进行与接合剂层12 的剥离的特性即可。为了提高切割后的拾取性，粘合剂层13优选具有放射线固化性，优选 为在固化后容易与接合剂层12剥离的材料。
[0064] 例如，优选含有使选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺/甲醛树脂以及环氧树脂中的至 少1种化合物（B)与分子中具有碘值0. 5?20的放射线固化性碳-碳双键的化合物（A) 发生加成反应而得到的聚合物。此处，放射线是紫外线那样的光线或电子射线等电离性放 射线。
[0065] 对作为粘合剂层13的主要成分之一的化合物（A)进行说明。
[0066] 化合物（A)的放射线固化性碳-碳双键的导入量以碘值计为0.5?20,优选为 0. 8?10。碘值为0. 5以上时，能够得到降低放射线照射后的粘合力的效果，如果碘值为20 以下，则放射线照射后的粘合剂的流动性充分，能够充分得到延伸后的元件间隙，因此能够 抑制在拾取时各元件的图像识别变得困难这样的问题。此外，化合物（A)自身具有稳定性， 容易制造。
[0067] 化合物（A)玻璃化转变温度优选为-70°C?0°C，更优选为-66°C?-28°C。如果 玻璃化转变温度Tg为-70°C以上，则针对由放射线照射造成的热的耐热性足够，如果为0°C 以下，则充分得到防止表面状态粗糙的晶片中的切割后的半导体芯片飞散的效果。
[0068] 上述化合物（A)可以通过任意方法来制造，例如，使用丙烯酸类共聚物和具有放 射线固化性碳-碳双键的化合物混合而成的材料，或者，使用使具有官能团的丙烯酸类共 聚物或具有官能团的甲基丙烯酸类共聚物（A1)与具有能够与其官能团反应的官能团且具 有放射线固化性碳-碳双键的化合物（A2)反应而得到的材料。
[0069] 化合物（A)的分子量优选为30万?100万左右。小于30万时，放射线照射导致 的凝聚力较小，在对晶片进行切割时，容易产生元件偏差，有时难以进行图像识别。为了尽 量防止该元件的偏差，分子量优选为40万以上。此外，如果分子量超过100万，则在合成时 和涂覆时，有可能发生凝胶化。此外，本发明中的分子量是基于聚苯乙烯换算的重量平均分 子量。
[0070] 此外，化合物（A)具有羟值5?100的OH基时，能够降低放射线照射后的粘合 力，从而进一步降低拾取失误的危险性，因而是优选的。此外，化合物（A)优选具有酸值为 0. 5?30的C00H基。此处，化合物（A)的羟值过低时，放射线照射后的粘合力的下降效果 不充分，过高时，存在有损放射线照射后的粘合剂的流动性的趋势。此外，酸值过低时，胶带 复原性的改善效果不充分，过高时，存在有损粘合剂的流动性的趋势。
[0071] 接下来，对作为粘合剂层的另一主要成分的化合物（B)进行说明。
[0072] 化合物⑶是选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺/甲醛树脂以及环氧树脂中的至少1 种化合物，可以单独使用或组合两种以上来使用。该化合物（B)作为交联剂发挥作用，通过 作为与化合物（A)或基材膜反应的结果而得到的交联结构，在粘合剂涂布后，能够提高以 化合物（A)和（B)为主要成分的粘合剂的凝聚力。
[0073] 作为化合物（B)的添加量，相对于化合物（A) 100重量份，优选为0. 1?10重量份， 更优选为〇. 4?3重量份。该量小于0. 1重量份时，存在凝聚力提高效果不充分的趋势，超 过10重量份时，在粘合剂的混配以及涂布作业中，固化反应急速地进行而形成交联结构， 因而存在有损作业性的趋势。
[0074] 此外，在粘合剂层13中，优选包含光聚合引发剂（C)。
[0075] 对粘合剂层13中包含的光聚合引发剂（C)没有特别限制，可以使用现有已知的 光聚合引发剂。作为光聚合引发剂（C)的添加量，相对于化合物（A) 100重量份，优选为 0. 01?5重量份，更优选为0. 01?4重量份。
[0076] 此外，根据需要，可以混配增粘剂、粘合调节剂、表面活性剂等，或者混配其它改质 剂和常用成分。粘合剂层13的厚度没有特别限制，但通常为2ym?50ym。
[0077] < 基材膜（14) >
[0078] 作为基材膜14,优选具有放射线透过性，具体而言，通常使用塑料、橡胶等，只要透 过放射线则特别限制，不过在利用紫外线照射来使放射线固化性粘合剂固化的情况下，可 以选择透光性好的材料作为其基材。
[0079] 作为可选择作为这样的基材的聚合物的例子，可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯 共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚 物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、离聚物等a-烯烃的均聚物或共聚物 或它们的混合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、聚氨 酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯类共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体以及它们 的混合物。
[0080] 此外，为了加大元件间隙，优选为颈缩（在使基材膜14放射状延伸时产生的力的 传播性不良导致产生局部性伸长）尽量小的材料，可例示出聚氨酯、限定了分子量和苯乙 烯含量的苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯类共聚物等，为了防止切割时的伸长或挠曲，使用交联 而成的基材膜14时有效。从强度伸长率特性、放射线透过性的观点出发，基材膜14的厚度 通常为20ym?300ym是适当的。
[0081] 此外，在对基材膜14的与涂布放射线固化性的粘合剂层13侧相反一侧表面进行 褶皱加工或润滑剂涂覆时，具有防止结块、防止基材膜14的颈缩等效果，因而是优选的，其 中，上述防止颈缩是通过使在基材膜14上形成有粘合剂层13的切割胶带的放射状延伸时 的切割胶带与夹具的摩擦降低而得到的。
[0082] <半导体晶片加工用胶带的制造方法>
[0083]上述半导体晶片加工用胶带10的制造按照图2所示的工序来进行。
[0084] 首先，输送支撑用膜11(步骤A1)，然后进行如下印刷工序（步骤A2):对输送出的 支撑用膜11，使用含有上述构成接合剂层12的成分的接合剂进行丝网印刷或凹版印刷，形 成接合剂层12。
[0085] 接下来，进行使印刷出的接合剂层12干燥的干燥工序（步骤A3)。
[0086] 然后，进行如下贴合工序（步骤A4):将在基材膜14上形成有粘合剂层13的切割 胶带15层压于在支撑用膜11上形成的接合剂层12的与支撑用膜11相对的面，使得接合 剂层12与粘合剂层13相接触，制成半导体晶片加工用胶带10。
[0087] 进而，将半导体晶片加工用胶带10最终卷取为辊状（步骤A5)。
[0088] 图3是示出利用这样的制造方法制造半导体晶片加工用胶带10的制造装置30的 概念图。
[0089] 该制造装置30构成为依次排列有输送支撑用膜11的输送机31、进行印刷工序的 印刷机32、进行干燥工序的干燥炉35、进行贴合工序的贴合部36、卷取半导体晶片加工用 胶带10的卷取机38。
[0090] 在下述说明中，对制造装置30的结构进行说明，并对使用了制造装置30的半导体 晶片加工用胶带10的制造方法的各工序的处理进行说明。
[0091] [步骤A1 (输送工序）]
[0092] 输送机31保持辊状的支撑用膜11，随着制造作业的进展，依次从该输送机31输送 支撑用膜11。从该输送机31输送出的支撑用膜11被送至进行印刷工序的印刷机32。
[0093] [步骤A2(印刷工序）]
[0094] 印刷机32在支撑用膜11上，利用印刷方法形成接合剂层12。在由该印刷机32送 入的支撑用膜11上，断续地形成大致等于或大于半导体晶片的尺寸的多个接合剂层12。此 处所谓"大致等于"也包含小于半导体晶片的尺寸的尺寸，但表示至少能够覆盖从该半导体 晶片分割的全部芯片的尺寸。
[0095] 在印刷工序中，使用接合剂作为墨，形成与半导体晶片的尺寸相符的形状的接合 剂层12。"与半导体晶片的尺寸相符的形状"优选为圆形形状，如果在半导体晶片中存在基 准面（orientationflat)或槽口，则只要包含能够与其形状对应的形状并至少具有接合半 导体芯片的面积的多边形状即可。
[0096] 这样，通过印刷工序，形成与半导体晶片的尺寸相符的形状的接合剂层12,由此， 能够省略之后将接合剂层12切割为晶片尺寸的工序。
[0097] 即，在该制造方法中，不需要执行将接合剂层12切割为与半导体晶片的尺寸相符 的形状这样的切断工序的处理。由此，能够防止在接合剂层12或支撑用膜11中产生割伤， 因此，能够防止由割伤的产生造成的异物残留，能够提高产品的质量。此外，由于仅印刷所 需部分，因此，能够大幅削减在接合剂层12中使用的材料的损耗。
[0098] 作为印刷机32的印刷方法，可以使用丝网印刷、凹版（gravure)印刷、凸版印刷、 凹版（intaglio)印刷、喷墨印刷等，可以选择能够得到期望的接合剂层12的厚度的印刷方 法。
[0099] 在上述印刷方法中，丝网印刷法和凹版（gravure)印刷法适合于半导体晶片加工 用胶带10的图案印刷，在该印刷工序中，进行丝网印刷或凹版印刷，形成接合剂层12。
[0100] 关于丝网印刷，虽然取决于粘合材料（接合剂）的固体成分比例或丝网版的网孔 尺寸，但通常能够进行几ym?一百几十ym的厚度的印刷，能够将每1次的印刷厚度调整 得较大，因此，能够进行生产率高的制造。
[0101] 作为丝网印刷的印刷机或印刷方式，存在单片式印刷机、能够连续地进行单片式 印刷的卷对卷式、卷对卷式的圆网印刷机，不过，如果使用圆网印刷机，则与通常的单片式 丝网印刷机相比，能够进行高速印刷，因而能够提高生产效率。
[0102] 关于凹版印刷，每1次的涂覆I旲厚为几ym左右，能够以旋转式且尚速地制造接合 剂层12,因此，在以厚度薄的接合剂层12(几ym)为对象的情况下，对生产率是有利的。
[0103] 可以根据要形成的接合剂层12的厚度来选择丝网印刷或凹版印刷的印刷方法， 期望的是，在接合剂层12的厚度为几ym?10ym左右的情况下，选择凹版印刷，在接合层 的厚度为5?10ym以上的情况下，选择丝网印刷。
[0104]在印刷工序中使用的接合剂（晶片接合用接合剂）使用了将上述接合剂层12中 包含的材料溶解或分散于溶剂而成的物质。对溶剂没有特别限定，优选为环己酮或甲乙酮。
[0105] 按5?80重量％混合该溶剂，将接合剂的在印刷时的气氛温度下的粘度调整为最 优的范围。
[0106] 将从输送机31起、经过印刷机32直到干燥炉35的入口为止的范围（区域）配置 在温湿度控制部33内，在温湿度控制部33内，能够利用温湿度调整机34使温度和湿度保 持规定值。关于该温湿度控制部33的温度和湿度，可根据接合剂的组成或溶剂的种类等来 选择适当的温度和湿度。
[0107] 此外，只要至少将进行印刷的部分配置在温湿度控制部33内即可，但优选将从进 行印刷的部分到干燥炉35之间的部分配置在温湿度控制部33内。但是，从提供高质量的 产品的观点出发，优选利用图3所示的装置结构进行制造，但由于干燥炉长度、制造场所的 室内环境以及粘合剂中所含有的溶剂种类，状况有所不同，因此，在制造设备中不一定必须 具有温湿度控制部33或温湿度调整机34。
[0108] 考虑丝网印刷或凹版印刷时的版分离性、厚度精度或接合剂的粘度变化，优选尽 可能抑制接合剂中所含有的溶剂的蒸发速度。但是，在接合剂中混入过多具有慢干（遅干） 作用的溶剂时，会导致干燥工序中的生产率下降或设备成本上升，因此，进行印刷工序气氛 的温湿度管理，来进行蒸发速度的控制。通过该温湿度管理，设为10°c以下，优选设为5°C 以下，优选将接合剂中所含有的溶剂的蒸气压设为lOOmmHg以下，更优选为50mmHg以下，特 别优选为30mmHg以下。通过进行这样温湿度管理，能够抑制接合剂中所含有的溶剂的蒸发 速度，能够实现接合剂的粘度的稳定性。
[0109] 在利用丝网印刷涂覆接合剂的情况下，接合剂层12具有特征性表面以及截面形 状，因此，与利用基于通常的涂布机的涂覆方法或基于切割刀具的截面切割工艺制造出的 产品相比，在质量上有利。
[0110] 此外，在丝网印刷的情况下，适合将接合剂的粘度设为6Pas以下，优选设为 0. 05Pas?5Pas(0. 05Pas以上且5Pas以下）。在接合剂的粘度较小的情况下，例如，在小 于0. 05Pas的程度的情况下，接合剂有可能透过丝网版而不能进行良好的印刷，因而需要 注意。
[0111] 在凹版印刷的情况下，适合将接合剂的粘度调整为lOPas以下，优选调整为 0.OlPas?几Pas(0.OlPas以上且几Pas以下）。这是因为，在印刷时，接合剂难以从版体 分离，在支撑用膜11中产生接合剂的转印不均，给印刷的质量（针孔等）带来影响。
[0112] 此外，在凹版印刷中，由于与丝网印刷同样为图案印刷，因此，能够期待与在丝网 印刷中记述的相同的效果。
[0113][步骤A3(干燥工序）]
[0114] 通过印刷工序而形成有接合剂层12的支撑用膜11被送至干燥炉35,该干燥炉35 进行使接合剂层12中所含有的溶剂挥发的干燥工序。
[0115] 在干燥工序中，根据接合剂的组成或溶剂的种类等，适当选择干燥炉35内的温度 或干燥时间，优选以常温?200°C的温度使接合剂层12干燥几分钟左右。
[0116][步骤A4(贴合工序）]
[0117] 通过干燥工序使接合剂层12干燥后的支撑用膜11被送至贴合部36,贴合部36进 行使支撑用膜11与在基材膜14上形成有粘合剂层13的切割胶带15贴合的贴合工序。接 合剂层12通过印刷工序，已经成为与半导体晶片的形状相符的形状，能够在干燥工序之后 接着进行贴合工序。由此，能够缩短生产线的长度。
[0118] 在贴合工序（贴合部36)中，将支撑用膜11和切割胶带15夹在辊37之间，在辊 37之间施加规定的压力，以在支撑用膜11上形成的接合剂层12与切割胶带15的粘合剂层 13相接触的方式，使支撑用膜11与切割胶带15贴合。辊37之间的压力可以适当设定，但 优选在线压IMPa?5MPa下进行。由此，完成了依次有层叠支撑用膜11、接合剂层12、粘合 剂层13以及基材膜14的半导体晶片加工用胶带10。
[0119][步骤A5(卷取工序）]
[0120] 利用卷取机38将完成后的半导体晶片加工用胶带10进行卷取，使半导体晶片加 工用胶带10成为辊状。
[0121] 根据以上的实施方式，在印刷工序中，使用实施了粘度调整的接合剂，进行丝网印 刷或凹版印刷，形成接合剂层12,因此，能够消除因去除接合剂层12的不需要部分导致的 浪费，节约接合剂使用量。
[0122] 此外，根据本实施方式，不需要接合剂层12的不需要部分的切割工序，因此，能够 简化半导体晶片加工用胶带的制造工序，进而，能够防止因割伤的产生导致的异物的残存， 提尚广品质量。
[0123] 关于制造工序的简化，还具有如下效果。
[0124]S卩，在现有的制造方法中，如说明书第2页第1段说明的那样，在存在生产线长度 的限制等的情况下，需要经过接合剂层的形成、接合剂层的预切割、隔离物的贴合、生产线 的变更、隔离物的剥离、…这样的工序。这种情况下，在使接合剂层与隔离物贴合时，为了 提高密合性，需要在加热辊中加热到40?一百几十°C左右的范围来进行贴合处理，然后， 需要在剥离隔离物后贴合粘合胶带（切割胶带15)。
[0125] 与此相对，在本实施方式的贴合工序中，由于使接合剂层12直接与粘合剂层13贴 合，因而密合性高，能够不使用加热辊而在常温下进行贴合。因此，根据本实施方式，不仅能 够缩短生产线长度，而且不需要现有的制造方法中所需的加热辊设备，从而能够抑制设备 投资。
[0126] 对由抑制割伤的产生带来的产品质量的提高进行详细说明。
[0127] 图4示出利用现有制法制作出的切割/晶片接合胶带50的截面。
[0128] 根据图4可知，在切割/晶片接合胶带50中，接合剂层12的外周部被预切割刀具 大致垂直地切割，在支撑膜11中形成割伤40。此处，"割伤（40) "是指在支撑用膜11的接 合剂层12侧的表面，以凹行导入切痕的状态。在这样的情况下，在粘合接合剂层12与切割 胶带15时，随着割伤40的形成，有可能在该部分残存异物，或在接合剂层12的外周部产生 空隙（空隙）。
[0129] 与此相对，如本实施方式这样，将接合剂的粘度调整为最优范围（在丝网印刷的 情况下优选为〇. 〇5Pas?5Pas，在凹版印刷的情况下优选为0.OlPas?几Pas)，控制印刷 环境的温湿度，在利用丝网印刷或凹版印刷来形成接合剂层12的情况下，如图1所示，不会 在支撑用膜11中形成割伤40,因此，在接合剂层12的外周部（侧缘部）形成有倾斜部12a， 在对其进行截面观察时，该倾斜部12a平缓地倾斜，在接合剂层12与粘合剂层13之间，密 合性良好（高）而不易产生空隙。
[0130] 此外，在接合剂的粘度较大时，（例如在丝网印刷的情况下为6Pas左右时），如图 5所示，在接合剂层12的外周部，有时厚度略微增大，在对其进行截面观察时，形成有呈略 微凸部形状的凸部12b(在从外周端起1mm左右的内侧的范围内，相对于与半导体晶片相接 触的厚度为+几?30%左右）。在这样的情况下，接合剂层12的外周部与粘合剂层13的 层间密合提高，具有能够良好地实施接合剂层12与切割胶带15的层压的效果。
[0131] 此外，在印刷出的接合剂层12的外周部的内侧（中心侧），利用丝网版，能够抑制 为在实用上没有问题的厚度精度。因此，半导体晶片在剥离了支撑膜11之后，与接合剂层 12的平滑面侧贴合，不受由接合剂层12的外周部的凸部12b导致的影响。不过，从半导体 芯片的拾取性的观点出发，优选将接合剂印刷得至少大于能够覆盖从该半导体晶片分割的 全部芯片的尺寸，以接合剂层12的凸部12b的形成范围与半导体芯片不重合的方式，将接 合剂层12的印刷面积设为（设计）略大于半导体晶片尺寸。
[0132] <第2实施方式>
[0133] 接下来，对第2实施方式进行说明。
[0134] 需要说明的是，第2实施方式具有与上述第1实施方式基本相同的结构，以下，对 具有相同结构的部分标注相同标号而省略说明，主要对不同部分进行说明。
[0135] 图6是示出本实施方式的半导体晶片加工用胶带10的侧视图。
[0136] 在本实施方式中，也利用印刷方法形成粘合剂层13。
[0137] 本实施方式的半导体晶片加工用胶带10的制造按照图7所示的工序来进行。
[0138] 在图7的工序中，替代层压图2所示的工序中的切割胶带15的贴合工序（步骤 A4)，而进行层压圆形印刷后的切割胶带15的贴合工序（步骤All)。
[0139] 在上述贴合工序（步骤All)中使用的切割胶带15中，在作为树脂膜基材膜14上 形成大致等于或大于环形框架的尺寸的圆形的粘合剂层13。此处所谓"大致相同的"也包 含小于环形框架的尺寸（外径）的尺寸，但表示至少大于环形框架的内径而能够与环形框 架接触的尺寸。
[0140] 在该贴合工序中，以使形成为圆形的接合剂层12的中心与形成为圆形的粘合剂 层13的中心一致而成为同心圆的方式，使支撑用膜11与切割胶带15贴合。
[0141] 切割胶带15的粘合剂层13可以形成为与形成为圆形的接合剂层12大致相同大 小的圆形，但优选形成为比接合剂层12大的圆形。
[0142] 如果使粘合剂层13形成为比接合剂层12大的圆形，则在贴合半导体晶片的部分 存在接合剂层12,在贴合环形框架的部分，不存在接合剂层12而仅存在粘合剂层13。通常， 接合剂层12不易与被附着体剥离，由此，能够使环形框架与粘合剂层13贴合，在使用后的 胶带剥离时，得到不易产生对环形框架的粘剂残留这样的效果。
[0143] 该切割胶带15按照与在支撑用膜11上形成接合剂层12的工序（步骤A1?A3) 相同的工序来制造。
[0144]S卩，切割胶带15通过在基材膜14上利用印刷方法形成粘合剂层13的印刷工序和 使印刷出的粘合剂层13干燥的干燥工序来制造。
[0145] 关于在印刷工序中使用的粘合剂（切割用粘合剂），使用将上述粘合剂层13中包 含的材料溶解或分散于溶剂而得到的物质。
[0146] 对溶剂没有特别限定，但优选将粘合剂的粘度制备为0. 05?5Pas，更优选0. 05? lPas〇
[0147] 此外，通过印刷工序气氛下的温湿度管理，设为10°C以下，优选设为为5°C以下， 优选将粘合剂中所含有的溶剂的蒸气压设为lOOmmHg以下，更优选为50mmHg以下，特别优 选为30mmHg以下。这样，通过进行温湿度管理，能够抑制粘合剂中所含有的溶剂的蒸发速 度，能够实现粘合剂的粘度的稳定性。
[0148] 此外，在对印刷工序气氛进行温湿度管理时，根据情况，有可能产生结露，优选实 施如下等对策：对温湿度控制部33与干燥炉35之间的壁面设置隔热材；或者从印刷之后 到干燥炉35之间，阶段性地进行温湿度管理。
[0149] 这样，针对切割胶带15,也通过印刷工序形成与环形框架的尺寸相符的形状的粘 合剂层13,由此，能够省略之后对粘合剂层13进行切割的工序，能够防止在粘合剂层13或 基材膜14中产生割伤。由此，能够防止由割伤的产生造成的异物残留，能够提高产品质量。 此外，由于仅印刷所需的部分，因而能够大幅削减在粘合剂层13中使用的材料的损耗。
[0150] 在现有制法中，在制造切割/晶片接合胶带那样的多层接合胶带时，在制作出晶 片接合胶带后，将接合剂层切割为半导体晶片状，接下来，与切割胶带贴合，然后将切割胶 带侧切割为外周面，制作出多层接合胶带。在该情况下，每当层叠接合膜时则需要切割工 序，从而需要多个工序。
[0151] 与此相对，如本实施方式这样，通过印刷工序形成接合剂层12、粘合剂层13,由 此，能够利用简便的工序进行制造，能够提高制作多层化胶带的生产效率。
[0152] <第3实施方式>
[0153] 接下来，对第3实施方式进行说明。
[0154] 此外，第3实施方式具有与上述第1实施方式基本相同的结构，以下，对具有相同 结构的部分标注相同标号而省略说明，主要对不同部分进行说明。
[0155] 图8是示出本实施方式的半导体晶片加工用胶带10的侧视图。
[0156] 本实施方式的半导体晶片加工用胶带10仅具有接合剂层12。
[0157] 本实施方式的半导体晶片加工用胶带10的制造按照图9所示的工序来进行。
[0158]在图9的工序中，替代层压图2所示的工序的切割胶带的贴合工序（步骤A4)，而 进行层压覆盖膜16的贴合工序（步骤A21)。
[0159] 此外，作为覆盖膜16,可以使用由能够在支撑用膜11中使用的材质构成的膜。
[0160] 此外，在上述第1?第3实施方式中，作为半导体晶片加工用胶带10的例子，示出 了切割/晶片接合胶带或晶片接合胶带，不过，可以将本发明应用于在其它切割胶带或在 研削半导体晶片背面的背面研磨工序中用于保护半导体晶片的电路图案形成面（晶片表 面）的表面保护胶带等、各种半导体晶片加工/保护用途的胶带制造工序。
[0161] 此外，示出了使用长条的支撑用膜11来连续地制造半导体晶片加工用胶带10的 方法，但也可以将本发明应用于制造1片半导体晶片的半导体晶片加工用胶带10的方法。
[0162] 接下来，对为了明确本发明效果而进行的实施例进行详细说明，但本发明不限于 这些实施例。
[0163] 实施例1
[0164][粘合胶带的制造]
[0165] (1)粘合胶带1的制造
[0166] 制造由丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-羟乙酯以及甲基丙烯酸甲酯构成的质量平均分 子量80万且玻璃化转变温度为_30°C的丙烯酸类共聚物化合物。
[0167] 然后，针对100重量份的该共聚物化合物，添加20重量份的三羟甲基丙烷三甲 基丙烯酸酯作为具有放射线固化性碳-碳双键的化合物，添加7重量份的聚异氰酸酯化 合物CoronateL(日本聚氨酯有限公司制，商品名）作为固化剂，此外，添加5重量份的 Irgacurel84(日本Ciba-Geigy有限公司制商品名）作为光聚合引发剂，从得到放射线固化 性的粘合剂。
[0168] 将该粘合剂涂覆于由聚丙烯树脂和氢化苯乙烯-丁二烯共聚物构成的厚度为 100ym的基材膜，然后在热风干燥炉中干燥，得到作为干燥后的厚度为10ym的粘合剂层 与基材膜的层叠体的粘合胶带1。
[0169] (2)粘合胶带2的制造
[0170] 制造由丙烯酸异壬酯、丙烯酸2-羟乙酯以及甲基丙烯酸甲酯构成的质量平均分 子量80万且玻璃化转变温度为_30°C的丙烯酸类共聚物化合物。
[0171] 然后，对100重量份的该共聚物化合物添加9重量份的聚异氰酸酯化合物 CoronateL(日本聚氨酯有限公司制，商品名）作为固化剂，得到粘合剂。
[0172] 与粘合胶带1同样地，将该粘合剂涂覆于与粘合胶带1相同的基材膜并干燥，得到 粘合胶带2。
[0173][接合剂的制备]
[0174] (1)接合剂1的制备
[0175] 在如下构成的组成物中，添加10质量份的甲乙酮进行搅拌并混合，进行真空抽 气，得到接合剂1，所述组成物包含：作为环氧树脂的30重量份双酚F型环氧树脂（使用 环氧树脂当量160、东都化成有限公司制造的商品名YD-8170C)、10重量份的甲酚酚醛清 漆型环氧树脂（使用环氧树脂当量210、东都化成有限公司制造的商品名YDCN-703);作 为环氧树脂的固化剂的27重量份的苯酚酚醛清漆树脂（使用大日本油墨化学工业有限公 司制造的商品名PlyophenLF2882) ;28重量份的丙烯酸类共聚物（使用基于凝胶渗透色 谱的重量平均分子量70万，Tg为4°CNagasechemtex有限公司制造的商品名SG-708-6); 作为固化促进剂的〇. 1重量份的咪唑类固化促进剂（使用四国化成工业有限公司制造的 CUREZOL2PZ-CN) ;132重量份的二氧化硅填料（使用Admafine有限公司制，S0-C2(比重： 2. 2g/cm3));以及0.25重量份的作为硅烷偶联剂，（使用日本Unicar有限公司制造的商品 名A-189)。
[0176] 利用B型粘度计（东机产业TVB-10)来测定所得到的接合剂漆的粘度，其结果是， 5°C下的粘度为5. 0Pas，25°C下的粘度为4. 5Pas。
[0177] (2)接合剂2的制备
[0178] 除了添加50质量份的甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂2。测定所得到 的接合剂漆的粘度，其结果是，5°C下的粘度为1.OPas，25°C下的粘度为0. 05Pas。
[0179] (3)接合剂3的制备
[0180] 除了添加60质量份的甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂3。测定所得到 的接合剂漆的粘度，其结果是，5°C下的粘度为0. 04Pas。
[0181] (4)接合剂4的制备
[0182] 除了添加8.0质量份的甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂4。测定所得到 的接合剂漆的粘度，其结果是，5°C下的粘度为6.OPas。
[0183] (5)接合剂5的制备
[0184] 除了 5质量份的添加甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂5。测定所得到的 接合剂漆的粘度，其结果是，5 °C下的粘度为11.OPas。
[0185] (6)接合剂6的制备
[0186] 除了添加80质量份的甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂5。测定所得到 的接合剂漆的粘度，其结果是，5°C下的粘度为0.OlPas。
[0187][样本的制造]
[0188] (1)实施例 1
[0189] 在作为支撑用膜的PET膜（厚度25ym)上，利用卷对卷型的单片式丝网印刷法， 以直径巾320mm、干燥后的印刷厚度20ym、间距60mm的方式印刷接合剂1，形成接合剂层。
[0190] 关于印刷工序的温度等，将印刷部的气氛控制为5°C、40%RH，使温湿度控制部的 溶剂的蒸气压为30mmHg左右。
[0191] 在利用印刷工序形成接合剂层后，在干燥炉中，进行在150°C的温度下干燥1分钟 左右的干燥工序。
[0192] 然后，进行以线压2MPa贴合另外制造的粘合胶带1的贴合工序，制造出半导体晶 片加工用胶带。
[0193](2)实施例2
[0194] 除了使用接合剂2替代接合剂1以外，与实施例1同样地制造半导体晶片加工用 胶带。
[0195](3)实施例3
[0196] 除了使用粘合胶带2替代粘合胶带1以外，与实施例1同样地制造半导体晶片加 工用胶带。
[0197] (4)实施例 4
[0198] 除了使用粘合胶带2替代粘合胶带1以外，与实施例2同样地制造半导体晶片加 工用胶带。
[0199] (5)比较例5
[0200] 除了使用接合剂3替代接合剂1以外，与实施例1同样地制造半导体晶片加工用 胶带。
[0201] (6)实施例 6
[0202] 除了使用接合剂4替代接合剂1以外，与实施例1同样地制造半导体晶片加工用 胶带。
[0203] (7)实施例 7
[0204] 除了将印刷工序的温度设为室温（25°C)以外，与实施例1同样地制造半导体晶片 加工用胶带。
[0205] ⑶实施例8
[0206] 除了将印刷工序的温度设为室温（25°C)以外，与实施例2同样地制造半导体晶片 加工用胶带。
[0207] (9)实施例9
[0208] 在作为支撑用膜的PET膜（厚度25ym)上，利用凹版印刷法，以直径巾320mm、干 燥后的印刷厚度5ym、间距40mm的方式印刷接合剂2,形成接合剂层。
[0209] 关于印刷工序的温度等，将印刷部环境调整为5°C、40%RH，使溶剂的蒸气压为 30mmHg左右。
[0210] 在利用印刷工序形成接合剂层后，在干燥炉中，进行在150°C的温度下干燥1分钟 左右的干燥工序。
[0211] 然后，进行以线压2MPa贴合另外制造的粘合胶带2的贴合工序，制造出半导体晶 片加工用胶带。
[0212] (10)实施例 10
[0213] 除了使用接合剂1替代接合剂2以外，与实施例9同样地制造半导体晶片加工用 胶带。
[0214] (11)比较例 11
[0215] 除了使用接合剂5替代接合剂2以外，与实施例9同样地制造半导体晶片加工用 胶带。
[0216](12)实施例 12
[0217] 除了使用接合剂6替代接合剂2以外，与实施例9同样地制造半导体晶片加工用 胶带。
[0218][样本（接合剂层）的评价]
[0219](1)断裂强度、断裂伸长率
[0220] 针对宽度10mm、长度30mm、厚度20ym的试样，使用拉伸试验机（今田制作所制数 字荷重计SV55)，以卡盘间距离20mm、拉伸速度0. 5m/分钟来测定应力、应变曲线，由此，通 过下式得到B阶段状态的接合剂层的25°C的断裂强度、断裂伸长率。
[0221] 断裂强度（Pa)=最大强度（N)/试样的截面积（m2)
[0222] 断裂伸长率（％ )=(断裂时的试样的卡盘间长度（mm)-20)/20X100
[0223] (2)弹性模量（储能模量）
[0224] 使用动态粘弹性装置（Rheology公司制，DVE-V4)测定B阶段状态的接合剂层的 储能模量（刮痕：长度20mm、宽度4mm、膜厚75ym、温度范围-30?100°C、升温速度5°C/ 分钟、拉伸模式、10Hz或900Hz、自动静荷重）。
[0225] (3)接合剂层的截面形状
[0226] 利用切片机或剃刀刀具，对印刷部进行截面切割，利用日立High-Technologies 制造的显微镜（TM-1000)，对该截面进行截面观察，测量出厚度、尺寸或形状等。
[0227] (4)评价结果
[0228] (4. 1)实施例1
[0229] 对于实施例1的样本，利用丝网印刷，形成接合剂层1。
[0230] 测定干燥工序后（贴合工序前）的接合剂层1的断裂强度、断裂伸长率，其结果 是，断裂强度为5.OMPa，断裂伸长率为15%。
[0231] 干燥工序后（贴合工序前）的接合剂层的弹性模量在25°C/10Hz下为2500MPa， 在 25°C/900Hz下为 8000MPa。
[0232] 切割（纵切）干燥工序后（贴合工序前）的接合剂层1，对外周部的截面进行显微 镜观察，结果发现外周侧缘部平缓地倾斜。具体而言，相对于俯视接合剂层1时的情况下的 目标印刷直径320_，实际的印刷直径为321_。
[0233] (4. 2)实施例 9
[0234] 对于实施例9的样本，利用凹版印刷，形成接合剂层9。
[0235] 测定干燥工序后（贴合工序前）的接合剂层9的断裂强度、断裂伸长率，其结果 是，断裂强度为3MPa，断裂伸长率为15%。
[0236] 干燥工序后（贴合工序前）的接合剂层9的弹性模量在25°C/10Hz下为2500MPa， 在 25°C/900Hz下为 8000MPa。
[0237] 切割（纵切）干燥工序后（贴合工序前）的接合剂层9,对外周部的截面进行显微 镜观察，结果发现外周侧缘部平缓地倾斜。具体而言，相对于俯视接合剂层9时的情况下的 目标印刷直径320_，实际的印刷直径为321_。
[0238] (4. 3)其它
[0239] 将包含上述实施例1、9的样本的接合剂层的制造条件或特性（评价结果）等示于 表1中。
[0240] 此外，在表1中，关于"厚度精度"的评价，对于利用丝网印刷形成接合剂层的实施 例1?4、6?8、比较例5的样本，将其接合剂层的厚度设计为20ym，在利用凹版印刷形成 接合剂层的实施例9?10、12、比较例11的样本中，将其接合剂层的厚度设计为5ym，在实 际的接合剂层的厚度相对于其设计值（目标值）收敛在±1.5ym的范围以内的情况下，评 价为"〇（良好）"，在该范围外的情况下，记载为
[0241][表1]
[0242]

【权利要求】
1. 一种半导体晶片加工用胶带的制造方法，其特征在于，其包含： 印刷工序，以大致等于或大于半导体晶片的尺寸，在第1树脂膜上丝网印刷或凹版印 刷晶片接合用接合剂，由此形成接合剂层；和 干燥工序，使所述接合剂层干燥。
2. 根据权利要求1所述的半导体晶片加工用胶带的制造方法，其特征在于， 在所述印刷工序中，将所述接合剂层形成为与所述半导体晶片的尺寸相符的形状。
3. 根据权利要求2所述的半导体晶片加工用胶带的制造方法，其特征在于， 在所述印刷工序中，以至少覆盖从该半导体晶片分割的全部芯片的方式，印刷所述晶 片接合用接合剂。
4. 根据权利要求1?3中的任意一项所述的半导体晶片加工用胶带的制造方法，其特 征在于， 所述制造方法包含如下贴合工序：对所述第1树脂膜的形成有所述接合剂层的面，贝占 合在第2树脂膜上形成有由切割用粘合剂构成的粘合剂层的切割胶带，使得所述接合剂层 与所述粘合剂层相接触。
5. 根据权利要求4所述的半导体晶片加工用胶带的制造方法，其特征在于， 在所述贴合工序中，使用在所述第2树脂膜上以大致等于或大于环形框架的尺寸丝网 印刷或凹版印刷所述切割用粘合剂由此形成所述粘合剂层而得到的产物作为所述切割胶 带。
6. -种半导体晶片加工用胶带，其由如下半导体晶片加工用胶带的制造方法制造而 成，所述制造方法包含： 印刷工序，以大致等于或大于半导体晶片的尺寸，在第1树脂膜上丝网印刷或凹版印 刷晶片接合用接合剂，由此形成接合剂层； 干燥工序，使所述接合剂层干燥；和 贴合工序：对所述第1树脂膜的形成有所述接合剂层的面，贴合在第2树脂膜上形成有 由切割用粘合剂构成的粘合剂层的切割胶带，使得所述接合剂层与所述粘合剂层相接触， 所述半导体晶片加工用胶带的特征在于， 所述干燥工序后的所述接合剂层的外周部的截面视图呈平缓地倾斜或凸部形状。
7. 根据权利要求6所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于， 对所述第1树脂膜的形成有所述接合剂层的面贴合所述切割胶带，所述接合剂层与所 述粘合剂层相接触。
8. 根据权利要求6或7所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于， 所述干燥工序后的所述接合剂层的外周部的截面视图呈平缓地倾斜，将其倾斜部的厚 度设为t、水平方向的距离设为AR的情况下，满足式（1)的条件， 0? 4 彡 AR/t 彡 100... (1) 〇
9. 根据权利要求6?8中的任意一项所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于， 在所述第1树脂膜的所述接合剂层的外周部附近不存在割伤。
【文档编号】H01L21/301GK104508798SQ201380039073
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2013年7月24日 优先权日:2012年7月26日
【发明者】平泉敦嗣, 丸山弘光, 佐久间登, 青山真沙美 申请人:古河电气工业株式会社