技术总结
公开了用于选择性蚀刻工件上的氧化物和氮化物材料的技术。这样的技术包括用于借助于由点燃等离子气流而产生的远程等离子体来蚀刻工件的方法。通过控制等离子体气流的不同组分的流率，可以获得呈现出期望的蚀刻特性的等离子体。这样的等离子体可以用在单蚀刻操作或多步骤蚀刻操作中，例如可以在非平面微电子器件的产生中使用的凹陷蚀刻操作中。
技术研发人员：J·A·法默;G·特里奇;J·桑福德;D·B·伯格斯特龙;
受保护的技术使用者：英特尔公司;
技术研发日：2013.12.27
技术公布日：2016.07.13