一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，包括：半绝缘衬底；位于所述半绝缘衬底上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上异质外延生长的AlGaN层；分列于所述AlGaN层上的源极、栅极以及漏极；位于所述AlGaN层上栅极与漏极之间生长的表面钝化层，其特征在于：所述表面钝化层内具有调制沟道载流子浓度的电荷补偿层；所述电荷补偿层是通过在表面钝化层注入正电荷和负电荷形成的，具体是：由栅到漏依次注入高浓度负电荷，再递减至无电荷注入，再递增至高浓度正离子；或者在栅边缘注入正电荷；或者由栅到漏均注入正电荷。2.如权利要求1所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述栅极通过肖特基接触与所述AlGaN层相连。3.如权利要求1所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极均通过欧姆接触与所述AlGaN层相连。4.如权利要求1所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述半绝缘衬底为能够与所述GaN缓冲层异质外延的半绝缘材料。5.如权利要求4所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述半绝缘材料为硅或碳化硅；或者，所述半绝缘材料替换为蓝宝石。6.如权利要求1所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述外延生长的GaN缓冲层具有n型电阻特性或半绝缘特性。