阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法

阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示装置【技术领域】，公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，用以提高显示装置中背光源的利用率，且简化了制备工艺。其中，阵列基板包括：栅绝缘层；位于栅绝缘层上的有源层、像素电极层、沿数据线方向间隔分布的多个太阳能电池、以及设置于相邻两个太阳能电池之间的连接线，多个连接线用于将多个太阳能电池串联，且像素电极层、多个连接线以及每一个太阳能电池的P型半导体、N型半导体位于同一层；位于像素电极层上的绝缘层；位于绝缘层上的源、漏极层；位于源、漏极层上的钝化层；以及位于钝化层上的电极层。
【专利说明】阵列基板及其制备方法、显示装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示装置【技术领域】，特别是涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法 和显示装置。

【背景技术】
[0002] 背光源是显示装置的主要组成部分，但是由于显示面板开口率、原材料透过率等 因素的影响，背光源发出的光线只有少部分能透过显示面板，一部分将被黑色矩阵遮挡住。
[0003] 为了有效利用被黑色矩阵遮住的这部分光，现有技术中采用将太阳能电池集成在 显示面板上的方法，以将这部分能量转换成电能，但是，现有技术中，将太阳能电池集成在 显示面板上时，所形成的太阳能电池是上下重叠式的PN结太阳能电池，虽然这种结构也能 有效的提高背光源的利用率，但是结构和工艺都较复杂。


【发明内容】

[0004] 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，用以提高显示装置中背光源的利用率， 且简化了制备工艺。
[0005] 另外，本发明还提供了一种显示装置，具有较高的背光源利用率。
[0006] 为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
[0007] 本发明提供了一种阵列基板，包括：
[0008] 栅绝缘层；
[0009] 位于所述栅绝缘层上的有源层、像素电极层、沿数据线方向间隔分布的多个太阳 能电池、以及设置于相邻两个太阳能电池之间的连接线，多个所述连接线用于将所述多个 太阳能电池串联，且所述像素电极层、多个所述连接线以及每一个太阳能电池的P型半导 体、N型半导体位于同一层；
[0010] 位于所述像素电极层上的绝缘层；
[0011] 位于所述绝缘层上的源、漏极层；
[0012] 位于所述源、漏极层上的钝化层；
[0013] 以及位于所述钝化层上的电极层。
[0014] 本发明提供的阵列基板，将太阳能电池与阵列基板结合，可以有效利用背光源被 黑色矩阵遮挡住的光线，太阳能电池将这部分光线转化成电能；同时由于太阳能电池中的 P型半导体和N型半导体是同层设置，可以节省制备工艺。
[0015] 所以，本发明提供的阵列基板，可以提高显示装置中背光源的光能利用率，且制备 工艺简单。
[0016] 在一些可选的实施方式中，所述电极层为公共电极层。
[0017] 在一些可选的实施方式中，所述有源层的制备材料为非晶硅。
[0018] 在一些可选的实施方式中，所述像素电极层的材料为ΙΤΟ、ΙΖ0的单层膜，或者为 ΙΤ0、ΙΖ0所构成的复合膜。
[0019] 本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
[0020] 在栅绝缘层上形成有源层；
[0021] 形成沿数据线方向分布的多个P型半导体和多个N型半导体，且所述多个P型半 导体和所述多个N型半导体位于同一层，一 P型半导体和一 N型半导体形成太阳能电池；
[0022] 通过沉积和构图工艺形成像素电极对应的图案、以及连接线对应的图案，所述连 接线用于将多个太阳能电池串联；
[0023] 在所述像素电极上形成绝缘层；
[0024] 在所述绝缘层上形成源、漏极层；
[0025] 在所述源、漏极层上形成钝化层；
[0026] 在所述钝化层上形成电极层。
[0027] 在一些可选的实施方式中，所述步骤：形成沿数据线方向分布的多个P型半导体 和多个N型半导体，具体包括：通过半导体掺杂工艺形成P形半导体和N型半导体。
[0028] 在一些可选的实施方式中，所述有源层的制备材料为非晶硅。
[0029] 在一些可选的实施方式中，所述像素电极的材料为ΙΤΟ、ΙΖ0的单层膜，或者为 ΙΤ0、ΙΖ0所构成的复合膜。
[0030] 本发明还提供了一种显示装置，包括：背光源，还包括：上述任一项所述的阵列基 板。

【专利附图】

【附图说明】
[0031] 图1为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图；
[0032] 图2为本发明实施例提供的阵列基板制备方法流程图。

【专利附图】

【附图说明】 [0033]
[0034] 1-栅绝缘层 2-Ρ型半导体
[0035] 3-Ν型半导体 4-连接线
[0036] 5-绝缘层 6-源、漏极层

【具体实施方式】
[0037] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基 于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其 他实施例，都属于本发明专利保护的范围。
[0038] 实施例一
[0039] 如图1所示，图1为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图，本发明提供了一种 阵列基板，包括：
[0040] 栅绝缘层1 ;
[0041] 位于栅绝缘层1上的有源层、像素电极层、沿数据线方向间隔分布的多个太阳能 电池、以及设置于相邻两个太阳能电池之间的连接线4,多个连接线4用于将多个太阳能电 池串联，且像素电极层、多个连接线4以及每一个太阳能电池的Ρ型半导体2、Ν型半导体3 位于同一层；
[0042] 位于像素电极层上的绝缘层5 ;
[0043] 位于绝缘层上的源、漏极层6 ;
[0044] 位于源、漏极层6上的钝化层；
[0045] 以及位于钝化层上的电极层。
[0046] 本发明提供的阵列基板，将太阳能电池与阵列基板结合，可以有效利用背光源被 黑色矩阵遮挡住的光线，太阳能电池将这部分光线转化成电能；同时由于太阳能电池中的 P型半导体和N型半导体是同层设置，可以节省制备工艺。
[0047] 所以，本发明提供的阵列基板，可以提高显示装置中背光源的光能利用率，且制备 工艺简单。
[0048] 上述电极层为公共电极层。即形成的阵列基板主要应用于ADS模式的显示装置 中。
[0049] 为了便于制备，优选的，有源层的制备材料为非晶硅。
[0050] 上述像素电极层的材料为ΙΤΟ、ΙΖ0的单层膜，或者为ΙΤΟ、ΙΖ0所构成的复合膜。
[0051] 实施例二
[0052] 如图2所示，图2为本发明实施例提供的阵列基板制备方法流程图，本发明实施例 提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
[0053] 步骤S101 :在栅绝缘层上形成有源层；
[0054] 步骤S102 :形成沿数据线方向分布的多个P型半导体和多个N型半导体，且多个P 型半导体和多个N型半导体位于同一层，一 P型半导体和一 N型半导体形成太阳能电池；
[0055] 步骤S103 :通过沉积和构图工艺形成像素电极对应的图案、以及连接线对应的图 案，连接线用于将多个太阳能电池串联；形成的连接线的材料和像素电极层的材料相同。
[0056] 步骤S104 :在像素电极上形成绝缘层；
[0057] 步骤S105 :在绝缘层上形成源、漏极层；
[0058] 步骤S106 :在源、漏极层上形成钝化层；
[0059] 步骤S107 :在钝化层上形成电极层。
[0060] 上述制备方法中，将P型半导体和N型半导体制备于同一层，节省了在P型半导体 和N型半导体之间制备绝缘层的步骤。故简化了制备工艺。
[0061] 一种具体的实施方式中，电极层为公共电极层。
[0062] 进一步的，上述步骤S102中：形成沿数据线方向分布的多个P型半导体和多个N 型半导体，具体包括：通过半导体掺杂工艺形成P形半导体和N型半导体。即直接在有源层 中通过掺杂工艺形成P形半导体和N型半导体。
[0063] -种【具体实施方式】中，有源层的制备材料为非晶娃。
[0064] 上述像素电极的材料为ΙΤΟ、ΙΖ0的单层膜，或者为ΙΤΟ、ΙΖ0所构成的复合膜。
[0065] 实施例三
[0066] 本发明实施例提供了一种显示装置，包括：背光源，还包括：如实施例一所述的阵 列基板。由于本发明实施例一提供的阵列基板，提高了显示装置中背光源的利用率，且简化 了制备工艺。所以，本发明实施例三提供的显示装置，具有较高的背光源利用率。
[0067] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1. 一种阵列基板，其特征在于，包括： 栅绝缘层； 位于所述栅绝缘层上的有源层、像素电极层、沿数据线方向间隔分布的多个太阳能电 池、以及设置于相邻两个太阳能电池之间的连接线，多个所述连接线用于将所述多个太阳 能电池串联，且所述像素电极层、多个所述连接线以及每一个太阳能电池的P型半导体、N 型半导体位于同一层； 位于所述像素电极层上的绝缘层； 位于所述绝缘层上的源、漏极层； 位于所述源、漏极层上的钝化层； 以及位于所述钝化层上的电极层。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电极层为公共电极层。
3. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的制备材料为非晶硅。
4. 如权利要求1?3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层的材料为 ITO、IZO的单层膜，或者为ITO、IZO所构成的复合膜。
5. -种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括： 在栅绝缘层上形成有源层； 形成沿数据线方向分布的多个P型半导体和多个N型半导体，且所述多个P型半导体 和所述多个N型半导体位于同一层，一 P型半导体和一 N型半导体形成太阳能电池； 通过沉积和构图工艺形成像素电极对应的图案、以及连接线对应的图案，所述连接线 用于将多个太阳能电池串联； 在所述像素电极上形成绝缘层； 在所述绝缘层上形成源、漏极层； 在所述源、漏极层上形成钝化层； 在所述钝化层上形成电极层。
6. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电极层为公共电极层。
7. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤：形成沿数据线方向分布的多个P 型半导体和多个N型半导体，具体包括：通过半导体掺杂工艺形成P形半导体和N型半导 体。
8. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述有源层的制备材料为非晶硅。
9. 如权利要求5?8任一项所述的方法，其特征在于，所述像素电极的材料为ITO、IZO 的单层膜，或者为ITO、IZO所构成的复合膜。
10. -种显示装置，包括：背光源，其特征在于，还包括：如权利要求1?4任一项所述 的阵列基板。
【文档编号】H01L21/77GK104157656SQ201410367104
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年7月29日 优先权日:2014年7月29日
【发明者】代科, 莫再隆, 石天雷, 朴承翊 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司