复合纳米阵列叉指电极的超级电容器及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种基于三维ZnOMnO2复合纳米阵列叉指电极的超级电容器及其制备方法。该超级电容器包括封装袋和固体电解质，还包括ZnOMnO2复合纳米阵列叉指电极，所述固体电解质和所述ZnOMnO2复合纳米阵列叉指电极置于所述封装袋内，且所述固体电解质涂抹在所述ZnOMnO2复合纳米阵列叉指电极上。所述ZnOMnO2复合纳米阵列叉指电极利用微纳加工技术，在柔性透明PET衬底上制备透明叉指集电极，通过溶液法在集电极上生长三维ZnO棒纳米阵列，并利用电沉积工艺在三维ZnO纳米棒周围包覆一层MnO2制备而成。该超级电容器大大提高了器件的面积比电容，而且纳米阵列间隙提供了便于离子传输和交换的通道，也提高了电容的倍率特性及循环性能。
【专利说明】基于三维Ζη0_η02复合纳米阵列叉指电极的超级电容器及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及能源存储【技术领域】，尤其涉及一种基于三维2110(111102复合纳米阵列叉指电极的超级电容器及其制备方法。
【背景技术】
[0002]随着可穿戴和便携式多媒体电子设备的不断发展，对柔性和透明电子学器件提出了更高的要求，比如为了实现超薄屏幕的柔性显示器件的产品化，其电力供能部件也需要柔性化和透明化。常用的提供能源存储的器件主要是锂电池和超级电容器。超级电容器作为一种新型的电能存储器件，由于相比于传统的平行板电容器具有更高的能量密度，而相比于锂离子电池具有更高的功率密度和更长的寿命，而被广泛的研宄。
[0003]超级电容器主要分为两类，一类被称为双电层电容器，另一类被称为法拉第电容器或者赝电容器。双电层电容器主要是由各种碳材料构成，比如碳纳米管、石墨烯、碳纤维和炭黑等。法拉第电容器的电极活性材料主要是由各种过渡性金属氧化物如RuO、N1、C0304、Mn02等和导电聚合物构成。法拉第电容器相对于双电层电容器来说，其储能机理是电极材料在充放电的过程中会发生快速可逆的化学反应，故会具有更高的比容量，所以目前对于大功率和高能量超级电容器的研宄主要是集中在法拉第电容器方面。
[0004]三维纳米电极结构(3D)具有高的比表面积及三维尺度的离子进出通道，将这种特殊的结构应用于高性能超级电容器的电极，已被证明具有广泛的前景。ZnO纳米棒阵列具有三维结构，用作3D超级电容器的电极制备模板，已经发挥出潜在的优势(Yong Zhao, PengJiang.Mn02nanosheets grown on the ZnO-nanorod-modified carbon fiber paper forsupercapacitor electrode materials, Colloids and SurfacesA:Physicochem.Eng.Aspects,2014，444，232-239 ;Yong Zhao, Peng Jiang, Sishen Xie.Template-mediatedsynthesis of three-dimens1nal coral-1 ike Mn02nanostructure forsupercapacitors, Journal of Power Sources, 2013，239，393-398)，但是尚未有将 ZnO 阵列用于3D柔性透明超级电容器器件的相关报和技术。
[0005]Lift-Off微器件加工技术是一种成熟、简单易行微器件加工手段，该技术通过紫外光刻技术在衬底上加工出光刻胶图案，再沉积所需的材料，然后在用丙酮或者其它溶剂将光刻胶去掉，得到所沉积材料的图案。利用该技术在柔性透明衬底上制备叉指电极，是一种十分有效的透明电子器件加工方式，如专利文献CN 201210579735.5公开了一种基于平面梳齿状电极结构的透明柔性电化学器件及其制备方法，采用叉指电极制备了以一维碳膜材料为电极的双电层透明超级电容器，但是该电容器比电容很低，而且采用液态电解质，安全性较差，不易封装，很难应用于固态电子学器件，难以适应大功率、高能量柔性透明超级电容器的发展要求。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提出一种基于三维Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极的超级电容器及其制备方法，该超级电容器柔韧性强、透明度高，具有较高的面积比电容和功率，循环性能优异，寿命长，能够满足大功率的充放电需求。
[0007]为达此目的，本发明采用以下技术方案:
[0008]一方面，本发明提供了一种基于三维Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极的超级电容器，包括封装袋和固体电解质，还包括ZnO麵叫复合纳米阵列叉指电极，所述固体电解质和所述Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极置于所述封装袋内，且所述固体电解质涂抹在所述Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极上。
[0009]所述的Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极由柔性透明衬底和位于柔性透明衬底上的三维ZnO纳米棒阵列和Μη02Μ料组成，所述三维ZnO纳米棒阵列中纳米棒的长度为6_8微米，所述Μη02材料包覆在所述三维ZnO纳米棒阵列外部。
[0010]所述柔性透明衬底为PET、PMMA或PDMS，优选为PET，其他柔性透明的高分子材料都可使用。
[0011]所述Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极的有效电极宽度及电极间距为2-100微米，如5微米、10微米、20微米、30微米、40微米、50微米、60微米、70微米、80微米或90微米。
[0012]另一方面，本发明提供了如上所述的超级电容器的制备方法，包括以下步骤:
[0013]1)配制固体电解质；
[0014]2)将固体电解质均匀地涂抹到Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极上；
[0015]3)将涂抹了固体电解质的Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极封装，得到所述超级电容器。
[0016]步骤1)所述配制固体电解质，具体为将氯化锂和PVA按照质量比2:1溶于适量的去离子水，在85°C _90°C水浴搅拌lh，得到固体电解质。
[0017]步骤3)所述封装袋的材质为PMMA。
[0018]本发明还提供了所述Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极的制备方法:利用微纳加工技术，在柔性透明衬底上制备叉指集电极，通过溶液法在叉指集电极上生长三维ZnO纳米棒阵列，并利用电沉积工艺在三维ZnO纳米棒周围包覆一层Μη02活性材料，制备出3D柔性透明Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极。
[0019]所述Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极的制备方法具体包括以下步骤:
[0020]1)选择衬底:选择柔性透明衬底并对其进行表面处理；
[0021]2)设计叉指电极图案:设计掩膜板图案，采用半导体器件微加工工艺，在所述衬底上加工出叉指电极图案；
[0022]3)集电极及ZnO种子层制备:在所述衬底的叉指电极图案上沉积Pt薄膜和ZnO薄膜；
[0023]4)制备三维ZnO纳米棒阵列叉指电极:将步骤3)所述衬底置于可密封的容器内，加入三维ZnO纳米棒阵列前驱液，充分搅拌后密封，然后在水浴加热条件下，得到三维ZnO纳米棒阵列叉指电极；
[0024]5)沉积Μη02:在步骤4)得到的三维ZnO纳米棒阵列上包覆MnO 2，得到Μη02包覆的三维ZnO纳米棒阵列叉指电极；
[0025]6)Lift-0ff工艺:将Μη02包覆的三维ZnO纳米棒阵列叉指电极中多余的光刻胶去除，得到柔性透明的Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极。
[0026]步骤1)所述柔性透明衬底的材质为ΡΕΤ、ΡΜΜΑ或PDMS，优选为ΡΕΤ，其他柔性透明高分子材料同样适用；所述表面处理所用仪器为氧等离子体表面处理机，所述处理的时间为2-3min，对所述衬底材料进行表面处理以去除有机杂质，并且利于后期光刻胶与衬底的粘附性。
[0027]步骤2)所述制作叉指电极图案采用紫外光刻技术，具体操作条件为:选用型号为AZ4620的光刻胶，匀胶厚度为3-4微米，匀胶速度为1000-2000转/分钟，前烘温度为80-105°C，曝光时间为15-25s，显影时间为65_70s。
[0028]所设计的叉指电极有效电极宽度以及电极间距可根据透光率的要求在2-100微米内选择，优选为电极宽度为100微米，电极间距也为100微米。
[0029]步骤3)所述Pt薄膜和ZnO薄膜通过磁控溅射方式沉积，所述Pt薄膜的厚度为60_70nm，如 62nm、64nm、65nm、66nm、67nm、68nm 或 69nm，所述 ZnO 薄膜的厚度为 10_20nm，如llnm、12nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm 或 19nm。
[0030]步骤4)所述三维ZnO纳米棒阵列前驱液为0.5-0.55mol/L的硝酸锌溶液、0.1-0.15mol/L的聚乙烯基亚胺溶液，0.25-0.3mol/L的六次甲基四胺溶液、质量分数为的75%氨水和去离子水的混合液；所述去离子水:硝酸锌溶液:聚乙烯基亚胺溶液:六次甲基四胺溶液:氨水的体积比为32:2:4:2:1 ;所述水浴加热的温度为65-70 V，如66 °C、67°C、68 °C或68 °C，所述水浴加热的时间为5-13h，如6h、7h、8h、9h、1 Oh、1 lh或12h。所述硝酸锌溶液的浓度为 0.5-0.55mol/L，如 0.51mol/L、0.52mol/L、0.53mol/L 或 0.54mol/L，所述聚乙稀基亚胺溶液的浓度为 0.1-0.15mol/L，如 0.1lmol/L、0.12mol/L、0.13mol/L 或 0.14mol/L，所述六次甲基四胺溶液的浓度为0.25-0.3mol/L，如0.26mol/L、0.27mol/L、0.28mol/L或 0.29mol/Lo
[0031]步骤4)所述三维ZnO纳米棒阵列通过磁控派射技术还包覆了 10_15nm如llnm、12nm、13nm 或 14nm 的 Pt 薄膜。
[0032]步骤5)所述沉积11102可采用物理沉积如磁控溅射、电子束蒸发或电化学沉积的方式制备，也可在三维ZnO纳米棒阵列上沉积其他的活性材料如Ru02、Ni0或C0304。本发明采用三电极电化学沉积，所述三电极电化学沉积的操作条件为:以三维ZnO纳米棒阵列叉指电极为工作电极，硝酸锰和硝酸钠混合液为电沉积液，铂片为对电极，甘汞电极为参比电极，电沉积的电流密度为 0.5-0.6mA/cm2,如 0.51mA/cm2、0.52mA/cm2、0.54mA/cm2、0.55mA/cm2、0.57mA/cm2或 0.59mA/cm 2，电沉积时间为 25_30min，如 26min、27min、28min 或 29min，在三维ZnO纳米棒阵列叉指电极周围电沉积包覆Μη02。
[0033]与现有技术相比，本发明的有益效果为:
[0034](1)本发明提供的固态超级电容器器件柔韧性强、透明度高；
[0035](2)本发明提供的固态超级电容器具有较高的面积比电容和功率，循环性能优异，寿命长；
[0036](3)本发明提供的固态超级电容器能够满足大功率的充放电需求，能够应用于显示领域及可穿戴电子产品领域，满足人们对于现代科技产品和高质量绿色生活的需求。
【专利附图】
【附图说明】
[0037]图1是本发明【具体实施方式】1提供的叉指电极掩膜板设计示意图。
[0038]图2是本发明【具体实施方式】1提供的三维ZnO纳米棒阵列叉指电极的SEM图。
[0039]图3是本发明【具体实施方式】1提供的Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极的SEM图。
[0040]图4是本发明【具体实施方式】2提供的柔性透明固态3D超级电容器。
[0041]图5是本发明【具体实施方式】2提供的柔性透明固态3D超级电容器的循环伏安曲线。
[0042]图6是本发明【具体实施方式】2提供的柔性透明固态3D超级电容器的循环稳定性测试曲线。
【具体实施方式】
[0043]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本发明的技术方案。
[0044]实施例1
[0045]制备2]10麵1102复合纳米阵列叉指电极
[0046]1、衬底选择:选择PET作为衬底，用氧等离子体表面处理机处理2min。
[0047]2、叉指电极设计:采用半导体器件微加工工艺，在PET衬底上加工叉指电极图案。用作紫外光刻掩膜板的叉指电极图案设计如图1所示。从图中可以看出，所制备的叉指电极的对数为8对，所述叉指电极间的间距和指宽为100微米。光刻工艺的操作条件为:紫外光刻采用的光刻胶型号为AZ4620，匀胶厚度为3微米，匀胶速度为2000转/分钟，前烘温度为105度，曝光时间为25s，显影时间为70s，在PET沉底上制备出叉指对电极图形。
[0048]3、集电极及ZnO种子层制备:采用磁控溅射方式，在上述第2步制备的带有叉指电极图案的PET衬底上沉积70nm的Pt薄膜和20nm的ZnO薄膜。
[0049]4、制备ZnO纳米棒阵列:将上述第3步制备的PET衬底置入可密封的容器内，按照32:2:4:2:1的比例，分别加入去离子水、0.5mol/L的硝酸锌溶液、0.lmol/L的聚乙烯基亚胺溶液、0.25mol/L的六次甲基四胺溶液和质量分数为75%的氨水。充分搅拌后密封，然后在65°C下水浴加热10小时，得到6微米左右的纳米氧化锌阵列，如图2所示。从图2可以看出，ZnO纳米棒在叉指Pt电极薄膜上分布均勾，ZnO纳米棒排列紧密，其长度约为6微米。为进一步提高氧化锌纳米棒的导电性，还可采用磁控溅射方式，在氧化锌纳米棒上包覆10nm的Pt薄膜；
[0050]5、三维胞02阵列制备:采用三电极电化学沉积方式在三维ZnO纳米棒阵列上包覆廉价、环境友好的Μη02材料，电化学沉积的操作条件为:电沉积液为0.02mol/L的硝酸锰和0.lmol/L的硝酸钠混合液，以第4步制备的三维ZnO纳米棒阵列叉指电极为工作电极，铂片为对电极，甘汞电极为参比电极，电沉积的电流密度为0.5mA/cm2,沉积时间为25min，在ZnO纳米棒周围电沉积包覆Μη02电极材料，得到MnO 2包覆的ZnO纳米棒阵列；
[0051]6、Lift-Off工艺。将第5步得到的三维Μη02阵列在丙酮中浸泡2h，超声lOmin，去除多余的光刻胶，得到柔性透明的ΖηΟΟΜηΟ^合纳米阵列叉指电极，如图3所示。从图中可以看出，所述胞02薄膜均勾地包覆在三维ZnO纳米棒阵列上，MnO 2薄膜厚度大约为40nm左右。
[0052]实施例2
[0053]制备柔性透明固态3D超级电容器
[0054]将氯化锂和PVA按照质量比2:1溶于适量的去离子水，在85°C水浴搅拌lh，得到固体电解质。将固体电解质均匀地涂抹到所制备的叉指电容器上，并用PMMA封装，便得到柔性透明固态超级电容器，如图4所示，从图中可以看出，所述的固态超级电容器长度约为5cm，透明度高，能够弯折，具有良好的柔韧性。所制备的柔性透明固态超级电容器循环伏安曲线如图5所示，从图中可以看出，在不同的扫速下，CV曲线呈近矩形结构，为典型的非晶态Μη02的电容特性，在扫速2mV/s下，该器件的面积电容可达167mF/cm_2。图6为该器件在横流充放电情况下的循环性能曲线，可以看出，经过了 5000个循环以后，器件的容量仍保持在99%左右，说明该器件具有良好的稳定性能。
[0055]实施例3
[0056]制备2]10麵1102复合纳米阵列叉指电极
[0057]1、衬底选择:选择PDMS作为衬底，用氧等离子体表面处理机处理2min。
[0058]2、叉指电极设计:采用半导体器件微加工工艺，在PDMS衬底上加工叉指电极图案。用作紫外光刻掩膜板的叉指电极的间距和指宽为2微米。光刻工艺的操作条件为:紫外光刻采用的光刻胶型号为AZ4620，匀胶厚度为4微米，匀胶速度为1000转/分钟，前烘温度为80度，曝光时间为15s，显影时间为65s，在PDMS衬底上制备出叉指电极图形。
[0059]3、集电极及ZnO种子层制备:采用磁控溅射方式，在上述第2步制备的带有叉指电极图案的PDMS衬底上沉积60nm的Pt薄膜和10nm的ZnO薄膜。
[0060]4、制备三维ZnO纳米棒阵列:将上述第3步制备的PDMS衬底置入可密封的容器内，按照32:2:4:2:1的比例，分别加入去离子水、0.55mol/L的硝酸锌溶液、0.15mol/L的聚乙烯基亚胺溶液、0.3mol/L的六次甲基四胺溶液和质量分数为75%的氨水。充分搅拌后密封，然后在70°C下水浴加热13小时，得到6微米左右的纳米氧化锌阵列；
[0061]5、三维胞02阵列制备:采用三电极电化学沉积方式在三维ZnO纳米棒阵列上包覆廉价、环境友好的Μη02材料，电化学沉积的操作条件为:电沉积液为0.02mol/L的硝酸锰和0.lmol/L的硝酸钠混合液，以第4步制备的三维ZnO纳米棒阵列叉指电极为工作电极，铂片为对电极，甘未电极为参比电极，电沉积的电流密度为0.6mA/cm2，沉积时间为30min，在ZnO纳米棒周围电沉积包覆Μη02电极材料，得到MnO 2包覆的ZnO纳米棒阵列；
[0062]6、Lift-Off工艺。将第5步得到的三维Μη02阵列在丙酮中浸泡2h，超声lOmin，去除多余的光刻胶，得到Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极。
[0063]实施例4
[0064]制备ΖηΟΟΜηΟ；^合纳米阵列叉指电极
[0065]1、衬底选择:选择ΡΜΜΑ作为衬底，用氧等离子体表面处理机处理2min。
[0066]2、叉指电极设计:采用半导体器件微加工工艺，在PMMA衬底上加工叉指电极图案。用作紫外光刻掩膜板的叉指电极的间距和指宽为50微米。光刻工艺的操作条件为:紫外光刻采用的光刻胶型号为AZ4620，匀胶厚度为3.5微米，匀胶速度为1500转/分钟，前烘温度为90°C，曝光时间为20s，显影时间为68s，在PMMA衬底上制备出叉指电极图形。
[0067]3、集电极及ZnO种子层制备:采用磁控溅射方式，在上述第2步制备的带有叉指电极图案的PMMA衬底上沉积65nm的Pt薄膜和15nm的ZnO薄膜。
[0068]4、制备ZnO纳米棒阵列:将上述第3步制备的PMMA衬底置入可密封的容器内，按照32:2:4:2:1的比例，分别加入去离子水、0.52mol/L的硝酸锌溶液、0.12mol/L的聚乙烯基亚胺溶液、0.28mol/L的六次甲基四胺溶液和质量分数为75%的氨水。充分搅拌后密封，然后在70°C下水浴加热5小时，得到6微米左右的纳米氧化锌阵列；
[0069]5、三维胞02阵列制备:采用三电极电化学沉积方式在三维ZnO纳米棒阵列上包覆廉价、环境友好的Μη02材料，电化学沉积的操作条件为:电沉积液为0.02mol/L的硝酸锰和0.lmol/L的硝酸钠混合液，以第4步制备的三维ZnO纳米棒阵列叉指电极为工作电极，铂片为对电极，甘汞电极为参比电极，电沉积的电流密度为0.55mA/cm2，沉积时间为28min，在ZnO纳米棒周围电沉积包覆Μη02电极材料，得到MnO 2包覆的ZnO纳米棒阵列；
[0070]6、Lift-Off工艺。将第5步得到的三维Μη02阵列在丙酮中浸泡2h，超声lOmin，去除多余的光刻胶，得到Ζη0@Μη02复合纳米阵列叉指电极。
[0071] 申请人:声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属【技术领域】的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
【权利要求】
1.一种基于三维211001110 2复合纳米阵列叉指电极的超级电容器，包括封装袋和固体电解质，其特征在于，还包括2110馳102复合纳米阵列叉指电极，所述固体电解质和所述21100胞02复合纳米阵列叉指电极置于所述封装袋内，且所述固体电解质涂抹在所述2=0(1^0 2复合纳米阵列叉指电极上。
2.根据权利要求1所述的超级电容器，其特征在于，所述的2=0(1^02复合纳米阵列叉指电极由柔性透明衬底和位于柔性透明衬底上的三维2110纳米棒阵列和11102材料组成，所述1=(?材料包覆在所述三维2=0纳米棒阵列外部。
3.根据权利要求2所述的超级电容器，其特征在于，所述柔性透明衬底为或？013，优选为丁。
4.根据权利要求1-3之一所述的超级电容器，其特征在于，所述的2110011102复合纳米阵列叉指电极的有效电极宽度及电极间距为2-100微米。
5.一种如权利要求1-4之一所述的超级电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 1)配制固体电解质； 2)将固体电解质均匀地涂抹到2110@11102复合纳米阵列叉指电极上； 3)将涂抹了固体电解质的复合纳米阵列叉指电极封装，得到所述超级电容器。
6.一种如权利要求1-4之一所述的超级电容器的制备方法，其特征在于，所述2！10@11102复合纳米阵列叉指电极的制备方法为:利用微纳加工技术，在柔性透明衬底上制备叉指集电极，通过溶液法在叉指集电极上生长三维2=0纳米棒阵列，并利用电沉积工艺在三维2=0纳米棒周围包覆一层11102活性材料，制备出30柔性透明211001110 2复合纳米阵列叉指电极。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述2=0(1^02复合纳米阵列叉指电极的制备方法具体包括以下步骤: 1)选择衬底:选择柔性透明衬底并对其进行表面处理； 2)设计叉指电极图案:设计掩膜板图案，采用半导体器件微加工工艺，在所述衬底上加工出叉指电极图案； 3)集电极及2=0种子层制备:在所述衬底的叉指电极图案上沉积？七薄膜和2=0薄膜； 4)制备三维2=0纳米棒阵列叉指电极所述衬底置于可密封的容器内，加入三维2=0纳米棒阵列前驱液，充分搅拌后密封，然后在水浴加热条件下，得到三维2=0纳米棒阵列叉指电极； 5)沉积胞02:在步骤4)得到的三维2=0纳米棒阵列上包覆胞02，得到胞02包覆的三维2！10纳米棒阵列叉指电极； 6)11^-0^工艺:将胞02包覆的三维2=0纳米棒阵列叉指电极中多余的 光刻胶去除，得到柔性透明的复合纳米阵列叉指电极。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤2)所述制作叉指电极图案采用紫外光刻技术，具体操作条件为:选用型号为八24620的光刻胶，匀胶厚度为3-4微米，匀胶速度为1000-2000转/分钟，前烘温度为80-1051:，曝光时间为15-258，显影时间为65-705 ； 优选地，步骤3)所述？丨薄膜和2=0薄膜通过磁控溅射方式沉积，所述？丨薄膜的厚度为60-7011111，所述2=0薄膜的厚度为10-2011111。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，步骤4)所述三维2110纳米棒阵列前驱液为0.5-0.5511101/1的硝酸锌溶液、0.1-0.15^01/1的聚乙烯基亚胺溶液，0.25-0.3001/1的六次甲基四胺溶液的浓、质量分数为的75%氨水和去离子水的混合液；所述去离子水:硝酸锌溶液:聚乙烯基亚胺溶液:六次甲基四胺溶液:氨水的体积比为32:2:4:2:1 ；所述水浴加热的温度为65-701，所述水浴加热的时间为5-1311 ； 优选地，步骤4)所述三维2110纳米棒阵列通过磁控派射技术还包覆了 10-1511111的？七薄膜。
10.根据权利要求7-9之一所述的制备方法，其特征在于，步骤5)所述沉积胞02采用三电极电化学沉积，所述三电极电化学沉积的操作条件为:以三维2沾纳米棒阵列叉指电极为工作电极，硝酸锰和硝酸钠混合液为电沉积液，铂片为对电极，甘汞电极为参比电极，电沉积的电流密度为0.5-0.6^/0111^电沉积时间为25-30111111，在三维2110纳米棒阵列叉指电极周围电沉积包覆11102。
【文档编号】H01G11/86GK104465119SQ201410713658
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月28日 优先权日:2014年11月28日
【发明者】李晓军, 赵勇, 刘颖, 江鹏, 褚卫国, 赵修臣 申请人:国家纳米科学中心