1.一种制造电子元件的导电构件的方法，包括以下步骤：
-配备包括至少一个盲孔(1001)的结构(1000)，所述盲孔(1001)具有底部(1002a)和至少一个内部旁侧面(1002b)，所述旁侧面经其基部连接到所述底部；
-形成构件(1)，此形成步骤包括生长导电材料以便在盲孔(1001)中形成构件(1)的至少一部分的步骤，所述生长在盲孔(1001)的旁侧面(1002b)的基部比在所述旁侧面(1002b)的其它部分快，所述构件形成后包含布置在其与盲孔(1001)的底部(1002a)相对的端部的腔体，所述腔体全部或部分地由边框界定。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述生长步骤包含电解步骤或化学沉积步骤。
3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中配备包括所述至少一个盲孔(1001)的结构(1000)的步骤包括以下步骤：
-配备衬底(1003)；
-在衬底(1003)上形成掩模(1004)以使所述掩模(1004)与所述衬底(1003)限定所述至少一个盲孔(1001)。
4.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中盲孔(1001)的底部(1002a)的全部或部分和/或旁侧面(1002b)的至少基部由能够促进所述生长的材料形成，特别是采取层的形式。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中盲孔(1001)的底部(1002)至少在中心部分由阻止所述生长的材料层(1003b)形成。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中盲孔(1001)的底部(1002)由能够使构件通过电解生长的材料形成，且其中形成构件的步骤包括，在生长步骤之前溅射一些能够使构件通过电解生长的材料到盲孔(1001)的旁侧面的至少基部的步骤，且其中在溅射步骤后通过电解实施生长步骤。
7.如权利要求6所述的方法，其中溅射步骤包括应用等离子体 或实施离子刻蚀。
8.如权利要求2和上述权利要求中任一项所述的方法，其中电解步骤基于镍或金或铜或锡或这些金属中至少两种组成的合金。
9.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中形成构件(1)的步骤包括，在构件的所述部分已生长之后，在构件的所述部分上形成由一个或多个层(1007)构成的叠层(1006)的步骤，以便以由所述叠层的顶部限定所述腔体的形式来形成所述构件的其余部分。
10.如上述权利要求中任一项所述的方法，包括释放构件的步骤，包括去除结构的全部或部分。
11.一种电子元件(100)，包括载体(101)和具有第一端部(E1)和与第一端部(E1)相对的第二端部(E2)的导电构件(1)，所述第二端部包括腔体(2)，所述构件自其第一端部(E1)从载体(101)向着与所述载体(101)相反的方向延伸，所述载体(101)被配有电子芯片(102)，所述构件(1)形成经所述构件(1)的第一端部(E1)电连接到芯片(102)的电连接垫。
12.如权利要求11所述的元件，其中构件(1)被配有在第一端部(E1)和腔体(2)的底部(4)之间延伸的主体(3)，所述主体(3)的高度(h1)是构件(1)的最大整体高度(h2)的至少10％，并且其中边框(5)形成全部或部分腔体(2)的边界。
13.如权利要求12所述的元件，其中所述边框(5)具有带斜面的形状。
14.如权利要求12和13中任一项所述的元件，其中所述边框(5)包括至少两个相对且优选为大致平行的侧段(5a、5b)。
15.如权利要求12至14中任一项所述的元件，其中所述边框(5)包括形成完全包含于平面中的环的边缘。
16.如权利要求11至15中任一项所述的元件，其中所述构件(1)的第二端部(E2)与导电单元(104)电接触。
17.如权利要求16所述的元件，其中导电单元(104)被全部或部分边框(5)刺入以便保证与所述相应构件(1)电接触。
18.如权利要求11至17中任一项所述的元件，包括用于固定导电线单元(106)的槽(105)，且其中构件自其第一端部(E1)开始从由载体(101)的一部分形成的槽(105)的第一侧壁(105a)延伸，所述构件(1)的第二端部(E2)面向固定槽(105)的第二侧壁(105b)。