技术总结
本发明公开了一种具有一个或多个区块的多个存储单元的三维阵列。区块包括多个层，这些层包括多个半导体条，这些半导体条自一半导体接触垫延伸。设置这些层以使得半导体条形成多个半导体条叠层以及多个半导体接触垫的一半导体接触垫叠层。并且，多个选择栅极结构设置于半导体条叠层上，且位于半导体条上的半导体接触垫和存储单元之间。再者，这些选择栅极结构中的不同者将半导体条叠层中的不同的半导体条耦合在这些层中的半导体接触垫上。更进一步，一辅助栅极结构设置在半导体条叠层之上，且位于选择栅极结构和半导体接触垫叠层之间。
技术研发人员：吕函庭;陈威臣
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510213839
技术研发日：2015.04.30
技术公布日：2016.12.07