1.一种OLED封装器件，其特征在于，包括：
相互盖合在一起的第一、第二基板；
位于所述第一基板之上的基底层；
设置于所述基底层上表面周缘处的环状的金属隔离带结构；
设置在所述基底层上表面之上且位于所述金属隔离带结构内侧的OLED器件层；
覆盖在所述基底层之上并将所述OLED器件层、所述金属隔离带结构予以包覆的阻挡层；以及
位于所述第一基板上表面周边处的塑封料将所述第一、第二基板黏接在一起。
2.根据权利要求1所述的OLED封装器件，其特征在于，所述金属隔离带结构为沉积在基底层上表面周缘处的铜隔离带结构。
3.根据权利要求1所述的OLED封装器件，其特征在于，在基底层上表面周缘处还设置有环状的第一绝缘隔离带结构，附着在金属隔离带结构的内侧侧壁上。
4.根据权利要求1所述的OLED封装器件，其特征在于，在基底层上表面周缘处还设置有环状的第二绝缘隔离带结构，附着在金属隔离带结构的外侧侧壁上。
5.根据权利要求1所述的OLED封装器件，其特征在于，所述金属隔离带结构的厚度不低于OLED器件层的厚度。
6.一种制备OLED封装器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一基板的一个上表面上形成一个基底层；
在基底层上表面周缘处沉积金属生成一个环状的金属隔离带结构；
制备位于基底层上表面之上并位于金属隔离带结构内侧的OLED器件层；
沉积一个阻挡层覆盖在基底层之上并将OLED器件层、金属隔离带结构予以包覆；
在第一基板上表面周边处涂覆塑封料并用塑封料将第一、第二基板黏接在一起。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成金属隔离带结构之后，再在基底层上表面周缘处沉积生成一个环状的第一绝缘隔离带结构，并附着在金属隔离带结构的内侧侧壁上。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成金属隔离带结构之后，再在基底层上表面周缘处沉积生成一个环状的第二绝缘隔离带结构，并附着在金属隔离带结构的外侧侧壁上。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成的所述金属隔离带结构的厚度不低于LED器件层的厚度。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，制备OLED器件层的步骤中，在OLED器件层的周边边缘与金属隔离带结构之间预留一个预设间隙，并且在形成所述阻挡层的步骤中使阻挡层的一部分还填充在该预设间隙之中。