1.一种互补型阻变存储器，其特征在于，包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元；所述电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层；其中，当所述电化学金属化存储单元处于高阻态时，向所述活性电极层施加“读”偏压，所述电化学金属化存储单元处于高阻态与低阻态之间的易失电阻态；当撤销所述“读”偏压，所述电化学金属化存储单元由易失电阻态自动恢复为高阻态；所述“读”偏压介于第一正向阈值偏压与第二正向阈值偏压之间。
2.根据权利要求1所述的互补型阻变存储器，其特征在于，所述互补型阻变存储器包括依次叠层设置的惰性电极层、阻变材料层、活性电极层、活性电极层、阻变材料层和惰性电极层。
3.根据权利要求1所述的互补型阻变存储器，其特征在于，所述互补型阻变存储器包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层、惰性电极层、惰性电极层、阻变材料层和活性电极层。
4.根据权利要求1-3任一所述的互补型阻变存储器，其特征在于，所述活性电极层的材料选自Ag、Cu、Ni中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的互补型阻变存储器，其特征在于，所述惰性电极层的材料选自Pt、Pd、Au中的任意一种。
6.根据权利要求5所述的互补型阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料层选自GeSx(0＜x＜2)、AgSx(0＜x＜0.5)、ZrO2、Ta2O5、TiO2中的任意一种。
7.一种互补型阻变存储器的非破坏性读取方法，其特征在于，所述互补型阻变存储器包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元，所述电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层；所述非破坏性读取方法包括步骤：
向处于高阻态的所述电化学金属化存储单元的活性电极层施加“读”偏压，所述电化学金属化存储单元处于易失电阻态；
撤销所述“读”偏压，所述电化学金属化存储单元由易失电阻态自动恢复为高阻态；
其中，所述易失电阻态指所述电化学金属化存储单元的电阻介于低阻态与高阻态之间的状态；“读”偏压介于第一正向阈值偏压与第二正向阈值偏压之间。
8.根据权利要求7所述的非破坏性读取方法，其特征在于，所述互补型阻变存储器包括依次叠层设置的惰性电极层、阻变材料层、活性电极层、活性电极层、阻变材料层和惰性电极层。
9.根据权利要求7所述的非破坏性读取方法，其特征在于，所述互补型阻变存储器包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层、惰性电极层、惰性电极层、阻变材料层和活性电极层。
10.根据权利要求7-9任一所述的非破坏性读取方法，其特征在于，所述活性电极层的材料选自Ag、Cu、Ni中的任意一种；所述惰性电极层的材料选自Pt、Pd、Au中的任意一种；所述阻变材料层选自GeSx(0＜x＜2)、AgSx(0＜x＜0.5)、ZrO2、Ta2O5、TiO2中的任意一种。