1.一种硅基锗光电探测器，其特征在于，包括由上至下依次层叠的光波导层、硅氧化层和硅衬底，所述光波导层包括沿着光信号的传播方向依次分布的光耦合区、平面光波导区和光输出区，所述光耦合区上形成有用于接收光信号并将所述光信号引导至所述平面光波导区的耦合光栅；所述硅基锗光电探测器还包括叠在所述光输出区上的锗层、叠在所述锗层上的硅覆盖层、形成在所述硅覆盖层上的第一电极和形成在所述光输出区上的第二电极，所述锗层接收来自所述光输出区的光信号并将所述光信号转换为电信号。
2.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述硅覆盖层为N型半导体层，所述光输出区为P型半导体层。
3.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述光波导层还包括自所述光输出区的端面沿着光信号的传播方向延伸出的光反射区，所述光反射区上形成有用于将未被所述锗层吸收的光信号反射至所述光输出区的反射光栅。
4.如权利要求3所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述反射光栅为布拉格反射光栅。
5.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述硅覆盖层上设有若干间隔排布的第一电极通孔，所述光输出区上设有若干间隔排布的第二电极通孔，所述第一电极插入所述第一电极通孔内，所述第二电极插入所述第二电极通孔内，并且所述第一电极通孔和所述第二电极通孔内分别填充有接触材料。
6.如权利要求5所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述第一电极通孔为圆形孔，或者所述第一电极通孔和所述第二电极通孔均为圆形孔。
7.如权利要求5所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述接触材料为掺杂铝的氮化钽。
8.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述第二电极分布在所述硅覆盖层的相对两侧，所述第一电极与两所述第二电极之间分别通过一片上电阻连接。
9.如权利要求1至8中任一项所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述耦合光栅为全刻蚀光栅、浅刻蚀光栅、均匀光栅和二元闪耀光栅中的一种。
10.如权利要求1至8中任一项所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述硅覆盖层、锗层、光波导层、硅氧化层和硅衬底结合形成堆叠结构，所述硅基锗光电探测器还包括形成在所述堆叠结构的表面上的保护层。