技术总结
本发明提供一种垂直晶体管及其制备方法，包括：第一表面和与第一表面相对的第二表面；具有第一掺杂类型的漂移区域，所述漂移区域位于所述第一表面和所述第二表面之间；至少一个具有所述第一掺杂类型的源区，所述源区位于所述漂移区域和所述第一表面之间，相邻的所述源区之间设置有第一介质层；至少一个具有所述第一掺杂类型的漏区，所述漏区位于所述漂移区域和所述第二表面之间，相邻的所述漏区之间设置有栅极，所述栅极包括栅电极以及位于所述栅电极与所述漂移区域之间的栅介质层，所述栅电极与所述第二表面之间设置有第二介质层。本发明中，源区、漏区以及漂移区域均具有第一掺杂类型，使得该晶体管为无结型晶体管，从而减小晶体管的功耗。
技术研发人员：肖德元;张汝京
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
文档号码：201510703700
技术研发日：2015.10.26
技术公布日：2017.05.03