技术特征：
技术总结
本发明公开了一种等离子体刻蚀光刻胶装置，包括一反应腔及一设置在反应腔上方的反应气体源，所述反应腔内设置一基座用以支撑基片，所述基片上方设置至少一气体分布板用以实现反应气体均匀分布至基片表面，所述气体分布板包括一铝或铝合金主体及包覆在所述主体外部的保护层。通过在铝或铝合金主体外设置了一层厚度合适的保护层，使得本发明设置在反应腔内的气体分布板既可以有效的吸附等离子体中的带电粒子，又能避免气体分布板对氧自由基的消耗，因此可以在维持反应腔内保持较高氧自由基浓度的同时，降低带电粒子在基片表面的累积，减小基片表面的电流。从而实现基片光刻胶的刻蚀速率维持在较高水平。
技术研发人员：徐朝阳;倪图强;刘骁兵;杨金全
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）有限公司
技术研发日：2015.12.31
技术公布日：2017.07.07