防止导通孔电性断裂的半导体封装构造的制作方法

文档序号:12827324阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明揭示一种防止导通孔电性断裂的半导体封装构造,包含一元件基板、复数个形成于元件基板中的气囊导通孔、一重配置金属层以及一保护层。元件基板的一表面上设置有复数个焊垫。每一气囊导通孔包含一贯穿孔、一孔壁金属层以及一孔底金属层,贯穿孔以对准焊垫的方式贯穿元件基板,孔壁金属层形成于贯穿孔的内侧面,孔底金属层形成于贯穿孔的内底面,以贴附地接合焊垫并连接孔壁金属层。重配置金属层设置于元件基板的另一表面上并连接孔壁金属层。保护层形成于该另一表面上并覆盖重配置金属层同时封闭贯穿孔的开口,借此能降低热应力对于导电贯孔的破坏。

技术研发人员:方立志;张家彰;徐宏欣;张文雄;锺基伟;连加雯
受保护的技术使用者:力成科技股份有限公司
技术研发日:2015.12.30
技术公布日:2017.07.07
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1