1.一种用于制造半导体存储装置的方法，所述方法包括：
选择性地淀积材料以在凹陷的单元结构之上形成盖帽从而防止在氧化的或腐蚀的环境中所述单元结构内的部件的劣化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地淀积盖帽材料进一步包括：
使用化学气相淀积、原子层淀积或选择性的无电镀敷之一用于淀积。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使用干法刻蚀方法去除所述盖帽。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在对用于形成所述凹陷的单元结构的材料执行化学机械平坦化之后执行选择性的淀积。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述凹陷的单元结构包括低电阻顶电极和活性单元材料，并且所述单元结构形成在模板层中的沟槽中。
6.根据权利要求5所述的方法，其中选择性的盖帽是使用W、Ti或Co之一形成的金属盖帽。
7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：
在选择性地淀积形成所述盖帽的材料之前，执行化学机械平坦化(CMP)处理以形成所述凹陷的单元结构。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述盖帽是由W、TiN、TaN、Ta或TiW之一形成的金属盖帽。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述盖帽是由SiN、SiOx、HfOx、AlOx或ZrOx之一形成的电介质盖帽。
10.一种装置，所述装置包括：
凹陷的单元结构，所述凹陷的单元结构形成在衬底的顶上的沟槽中，所述沟槽通过镶嵌处理生成；以及
盖帽，所述盖帽形成在所述凹陷的单元结构之上以保护所述凹陷的单元结构免于劣化。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述盖帽通过选择性的淀积形成。
12.根据权利要求11所述的装置，所述装置形成存储单元，其中所述存储单元是电阻性RAM(ReRAM)单元、导电桥接RAM(CB-RAM)单元或相变存储(PCRAM)单元。
13.根据权利要求11所述的装置，其中所述盖帽是电介质盖帽或金属盖帽。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述金属盖帽使用W、TiN、TaN、Ta或TiW之一形成，而电介质盖帽使用SiN、SiOx或高k电介质之一形成。