电子器件、光电子器件、器件装置和用于制造电子器件的方法与流程

本发明涉及一种用于制造电子器件的方法、电子器件、光电子器件和器件装置。

本专利申请要求德国专利申请102014111106.0的优先权，该德国专利申请的公开内容通过引用合并于此。

背景技术：

现有技术公开了包括布置在壳体中的电子半导体芯片的电子器件。在这种情况下，在电子器件的制造期间，电子半导体芯片可以被嵌入到模制体中，使得电子半导体芯片的表面保持自由。因此，可以安装电子器件，使得电子半导体芯片的表面与散热器直接接触。这便于耗散来自电子器件的热损失。

如果电子器件是包括光电子半导体芯片的光电子器件，则暴露表面的一部分或者整个暴露表面可以是光电子半导体芯片的光学活性表面，例如发射面。

技术实现要素：

本发明的一个目的是提供一种用于制造电子器件的方法。本发明的另外目的是提供电子器件、器件装置和光电子器件。这些目的通过根据权利要求1所述的方法、根据权利要求15所述的电子器件、根据权利要求18所述的器件装置和根据权利要求20所述的光电子器件来实现。在从属权利要求中说明改进方案。

一种用于制造电子器件的方法，包括：在布置在载体的顶侧上的牺牲结构周围以及在电子半导体芯片周围模制模制体，使得电子半导体芯片的表面至少部分地不被模制体覆盖。作为另外的步骤，该方法包括使模制体从载体脱离并去除牺牲结构，其中去除牺牲结构导致在模制体中形成切口（cutout）。

通过在牺牲结构周围模制所述模制体并随后去除牺牲结构，有可能以有利地简单和节约成本的方式在模制体中制造切口。例如，可以制造椭圆形切口或底切。如果牺牲结构具有大的高宽纵横比，则可以有利地在模制体中制造深且窄的切口。

由于电子半导体芯片的表面至少部分地不被模制体覆盖的事实，电子半导体芯片的表面保持可达，使得例如可以从电子半导体芯片经由表面耗散热损失。

在该方法的一种改进方案中，电子半导体芯片是光电子半导体芯片，并且表面是光电子半导体芯片的发射面。由于光电子半导体芯片的发射面被保持没有模制体，因此光电子半导体芯片的发射有利地不受模制体损害。

牺牲结构通过光刻工艺由光致抗蚀剂形成。使用光刻工艺有利地允许在模制体中制造的切口的微观结构化。如果使得有可能制造高度独立结构的光致抗蚀剂被用于光刻工艺，则可以有利地在模制体中制造深且窄的切口。

在该方法的一种改进方案中，将导电层施加在切口的至少一个壁面上。例如，切口可以引导穿过电子器件。于是，导电层有利地能够实现在器件的两侧之间的传导连接（conductiveconnection）。

在该方法的一种改进方案中，在模制体上布置连接元件，该连接元件将导电层与电子半导体芯片的接触焊盘导电连接。于是，切口的壁面上的导电层可以有利地被用于接触电子半导体芯片。因此，例如，有可能仅从电子器件的一侧接触电子半导体芯片。

在该方法的一种改进方案中，这（thelatter）包括切断模制体和在模制体中制造的切口。因此，切口的壁面可以形成电子器件的外面。电子器件的弯曲的外面可以有利地通过对牺牲结构以及因此对切口的适当结构化来制造。如果将导电层施加在切口的壁面上，则有可能例如通过焊接从外部简单地接触器件。

在该方法的一种改进方案中，切口以邻接电子半导体芯片的表面的方式形成。因此，可以有利地制造模制体，在该模制体的情况下电子半导体芯片的表面布置在模制体的凹部中并且从外部可达。凹部可以有利地被填充有波长转换材料。

在该方法的一种改进方案中，首先将牺牲结构布置在载体的顶侧上，并且然后将电子半导体芯片布置在牺牲结构的顶侧上。在这种情况下，电子半导体芯片的表面面向牺牲结构。因此，牺牲结构可以在装备载体之前被形成。这在使用光刻工艺用于形成牺牲结构时是特别有利的。作为将电子半导体芯片布置在牺牲结构上的结果，可以以简单和成本有效的方式在模制体中制造邻接电子半导体芯片的表面的切口。

在该方法的一种改进方案中，将牺牲结构布置在电子半导体芯片的表面上。然后，将牺牲结构和电子半导体芯片布置在载体的顶侧上。由于牺牲结构首先例如通过光刻方法布置或形成在电子半导体芯片上的事实，牺牲结构和电子半导体芯片可以有利地特别精确地彼此对准。

在该方法的一种改进方案中，切口以邻接电子半导体芯片的侧面的方式形成。因此，导热和/或辐射透射材料也可以有利地被施加在侧面上。所述材料特别是在使用包括光电子体积发射体的电子半导体芯片时是有利的。

在该方法的一种改进方案中，电子半导体芯片部分地嵌入到牺牲结构中。因此，可以以特别简单和成本有效的方式在模制体中制造切口，所述切口邻接电子半导体芯片的表面和侧面二者。

在该方法的一种改进方案中，通过光刻工艺由包括第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂系统形成牺牲结构。在这种情况下，将电子半导体芯片压入到第二光致抗蚀剂层中。这使得有可能以简单和成本有效的方式在模制体中制造邻接电子半导体芯片的表面和侧面二者的切口。

在该方法的一种改进方案中，在另一方法步骤中，将灌封化合物引入到切口中。如果灌封化合物包括导热材料，则因此有可能实现来自电子半导体芯片的热的特别高效和快速耗散。如果电子半导体芯片是光电子半导体芯片，则灌封化合物可以包括透明或例如波长转换材料。因此，可以实现由半导体芯片发射的光的有利地高的颜色均匀性和发光效率。

在该方法的一种改进方案中，穿过切口在电子器件的第一侧面上形成栓，并且在电子器件的第二侧面上形成与栓匹配的凹槽。这允许以简单的方式连接多个相同类型的电子器件，并且使得有可能实现小的器件间隔。此外，为了连接器件，可以省去电路板和对应的填入工艺（populatingprocesses）。

在该方法的一种改进方案中，电子器件与另外的电子器件一起在模制体组件（moldedbodyassemblage）中被制造。在这种情况下，该方法包括：作为附加的方法步骤，通过划分模制体组件将电子器件与另外的电子器件分割。因此，可以以简单和节省成本的方式制造多个电子器件，所述电子器件包括包含切口的模制体。

电子器件包括电子半导体芯片和模制体。在这种情况下，模制体覆盖电子半导体芯片的至少一个侧面。电子半导体芯片的表面至少部分地不被模制体覆盖。此外，模制体包括具有栓的第一侧面和具有与栓匹配的凹槽的第二侧面。

通过栓和凹槽，通过以接合到另一电子器件的凹槽中的方式来布置该电子器件的栓，可以以简单的方式将电子器件与以相同方式配置的另外的电子器件连接。

在电子器件的一种改进方案中，在凹槽上和/或在栓上的接触结构以导电的方式形成。因此，通过以接合到另一器件的凹槽中的方式布置一个器件的栓并且接触在凹槽和/或栓上的导电接触结构，可以有利地既以机械方式又以电气方式连接以这种方式形成的两个电子器件。

在电子器件的一种改进方案中，凹槽和/或栓的导电连接面经由导电连接元件与电子半导体芯片的接触焊盘以传导方式连接。因此，电子半导体芯片可以有利地经由凹槽和/或栓上的导电连接面被接触。此外，也有可能通过在所有情况下以接合到另一器件的凹槽中的方式布置一个器件的栓并且连接在凹槽和栓上的连接面来实现多个电子半导体芯片的串联连接。

器件装置包括第一电子器件和第二电子器件，其中以接合到第二电子器件的凹槽中的方式布置第一电子器件的栓。因此，第一和第二电子器件可以在没有另外的机械连接元件（例如电路板）的情况下被连接，这有利地能够实现小的器件间隔。也有可能容易地更换器件装置中的电子器件。由于电路板或复杂的填入工艺对于连接器件而言不是必要的，因此可以以节省成本的方式制造器件装置。

在器件装置的一种改进方案中，第一电子器件和第二电子器件在所有情况下包括接触结构。在器件装置上布置导电连接。在这种情况下，导电连接与第一电子器件和第二电子器件的接触结构以传导方式连接。这允许经由接触结构简单地电接触电子器件。

光电子器件包括光电子半导体芯片和模制体。模制体至少部分地覆盖光电子半导体芯片的侧面，其中光电子半导体芯片的发射面至少部分地不被模制体覆盖。此外，模制体包括切口，其中切口邻接光电子半导体芯片的表面和侧面。光电子半导体芯片例如可以是体积发射体，在体积发射体中发射面包括表面和侧面二者。光电子器件的高发光效率可以通过在电子半导体芯片的表面和侧面二者上布置切口来实现。

附图说明

结合以下示例性实施例的描述，本发明的上述属性、特征和优点以及实现它们的方式将变得更清楚和更清楚地被理解，其中所述示例性实施例结合附图更详细地予以解释。在图中，在所有情况下以示意图：

图1示出具有其上所布置的第一牺牲结构的载体的截面图；

图2示出具有第一牺牲结构和第一电子半导体芯片的载体的截面图；

图3示出具有第一模制体组件的载体的截面图，该第一模制体组件包括形成在所述载体上的第一模制体；

图4示出在使载体脱离之后第一模制体组件的截面图；

图5示出在部分地去除第一模制体的顶侧之后第一模制体组件的截面图；

图6示出在去除第一牺牲结构之后第一模制体组件的截面图；

图7示出由第一模制体组件形成的两个第一电子器件的截面图；

图8示出具有第一牺牲结构的第一模制体组件的平面图；

图9示出包括两个电子器件的器件装置的平面图；

图10示出具有布置在所述载体上的第二牺牲结构的载体的截面图；

图11示出具有布置在所述载体上的第三电子半导体芯片的载体的截面图；

图12示出具有第二模制体组件的载体的截面图，该第二模制体组件包括布置在所述载体上的第三模制体；

图13示出在去除载体之后第二模制体组件的截面图；

图14示出在部分地去除第三模制体的后侧之后第二模制体组件的截面图；

图15示出在去除第二牺牲结构之后第二模制体组件的截面图；

图16示出包括四个第三电子器件的第二模制体组件的平面图；

图17示出第三电子器件的透视图；

图18示出具有布置在所述载体上的第三牺牲结构以及具有布置在第三牺牲结构上的第四电子半导体芯片的载体的截面图；

图19示出具有形成在所述载体上的第四模制体的载体的截面图；

图20示出在去除载体并部分地去除第四模制体的后侧之后第四模制体的截面图；

图21示出第四电子器件的截面图；

图22示出具有布置在所述载体上的曝光的第一光致抗蚀剂层的载体的截面图；

图23示出具有布置在第一光致抗蚀剂层上的第二光致抗蚀剂层并具有第五电子半导体芯片的载体的截面图；

图24示出具有由第一和第二光致抗蚀剂层形成的第四牺牲结构的载体的截面图；

图25示出具有形成在所述载体上的第五模制体的载体的截面图；和

图26示出第五光电子器件的截面图。

具体实施方式

图1示出了用于制造电子器件的载体2的示意性截面图示。载体2可以例如以晶片的形式被形成为薄片，并且例如可以包括硅。然而，载体2也可以包括金属、陶瓷或一些其它材料。载体2包括基本平坦的顶侧3。

第一牺牲结构70通过粘合层4固定在载体2的顶侧3上。粘合层4可以例如由膜构成，所述膜包括在一侧上的可热松解的粘合剂层和在另一侧上的常规粘合剂层。在图2中，可热松解的层布置在粘合层4的器件侧6上并且以面向第一牺牲结构70的方式布置，而常规粘合剂层布置在粘合层4的面向载体2的载体侧5上。代替可热松解的粘合剂层或除了（alongside）可热松解的粘合剂层，粘合层4也可以包括通过用光（例如用uv光）照射可松解的粘合剂、通过湿化学处理可松解的粘合剂或通过激光处理可松解的粘合剂。粘合层4的粘合剂也可以是通过剪切力或张力可松解的。

粘合层4可选地可以被省略或者由在载体2和布置在载体2的顶侧3上的元件之间的一些其它固定装置替代。粘合层4在一些情况下没有明确地在进一步的描述和图中图示出，但是可以总是存在的。

如所描绘的，通过粘合层4布置在载体2的顶侧3上的第一牺牲结构70可以由多个单独的元件构成。在图1中以截面图图示了第一牺牲结构70的两个元件。

通过光刻方法在载体2上形成第一牺牲结构70。为此，首先可以在载体2上施加光致抗蚀剂；例如，可以通过旋涂在载体2上施加光致抗蚀剂。因此，基本均匀的且平坦的光致抗蚀剂层形成在载体2上。然后通过光掩模曝光光致抗蚀剂。在已经显影光致抗蚀剂之后，根据工艺，光致抗蚀剂的曝光区或未曝光区保留在载体2上并形成第一牺牲结构70。

可替换地，也可以首先通过如所描述的光刻方法在单独的载体上制造第一牺牲结构70。单独的载体可以像载体2那样被形成。然后，可以将第一牺牲结构70转移到载体2的顶侧3上。这可以例如借助于粘合剂膜来完成，其中第一牺牲结构70的单独元件在从单独的载体脱离之前被固定在该粘合剂膜上。

图2示出在时间上继图1中的图示之后的方法状态中的具有布置在顶侧3上的第一牺牲结构70的载体2。第一电子半导体芯片30和贯通接触元件40已经附加地布置在顶侧3上。优选地，第一牺牲结构70已形成，使得垂直于载体2的顶侧3测量的其高度近似对应于第一电子半导体芯片30的相应高度和贯通接触元件40的高度。第一牺牲结构70可以包括例如10μm至1mm的高度；它优选地包括几百微米的高度。

第一电子半导体芯片30可以被形成为光电子半导体芯片，例如被形成为发光二极管芯片、激光器芯片、光伏芯片或光电二极管芯片。然而，电子半导体芯片30也可以被形成为例如包括功率半导体器件的电子电路。这些电路可以例如被配置为切换或调节高电流和电压。例如，电路可以包括功率二极管、晶闸管、三端双向可控硅开关元件或功率晶体管、例如igbt或mosfet。

图2中图示的第一电子半导体芯片30具有表面35。第一电子半导体芯片30布置在载体2的顶侧3上，使得第一电子半导体芯片30的表面35面向载体2的顶侧3。如果涉及光电子半导体芯片，则表面35可以完全或部分地被形成为辐射透射面。在电子半导体芯片30的情况下，例如表面35的一部分被配置为发射电磁辐射的发射面31。如果第一电子半导体芯片是功率半导体电路，则第一电子器件30的表面35可以被配置用于耗散来自电路的热损失。

第一电子半导体芯片30包括接触焊盘32，所述接触焊盘32包括前侧接触焊盘33和后侧接触焊盘34。前侧接触焊盘33布置在电子半导体芯片30的表面35上。后侧接触焊盘34布置在第一电子半导体芯片30的与表面35相对的基面39上。

第一电子半导体芯片30可以经由接触焊盘32连接到外部电路。例如，在用于经由接触焊盘32生成电磁辐射的发光二极管芯片的情况下，可以将电压施加给光电子和辐射发射层结构。如果第一电子半导体芯片30被配置为纯电子电路，则例如可以经由接触焊盘32连接和控制晶体管。

贯通接触元件40包括导电材料、例如金属或半导体材料。例如，贯通接触元件40由硅组成。在垂直于载体2的顶侧3的方向上，所述贯通接触元件优选地包括与第一电子半导体芯片30相同的高度。贯通接触元件40包括第一接触焊盘41和第二接触焊盘42，所述第一接触焊盘41和第二接触焊盘42分别布置在贯通接触元件40的相对侧上。第一接触焊盘41布置在贯通接触元件40的面向载体2的侧上。

优选地，第一电子半导体芯片30、贯通接触元件40和第一牺牲结构70的元件以横向间隔开的方式布置在载体2上并形成二维栅格。在所有情况下，第一电子半导体芯片30之一和贯通接触元件40之一布置在第一牺牲结构70的两个元件之间。

图3示出继图2中的图示之后的方法状态中的载体2。已经在第一牺牲结构70、第一电子半导体芯片30和贯通接触件40周围模制了第一模制体81。这里，在所有情况下，第一模制体81之一在第一电子半导体芯片30之一和贯通接触元件40之一周围模制。第一牺牲结构70的元件在所有情况下布置在第一模制体81的边缘处。第一模制体81形成材料均匀的第一模制体组件80。第一模制体81包括前侧86和与前侧相对的后侧85。在这种情况下，前侧86面向载体2的顶侧3。

优选地通过注塑成型工艺、传递模塑工艺或一些其它模制工艺制造包括第一模制体81的第一模制体组件80。可以例如在层压装置或用于压缩模塑、传递模塑或注塑成型方法的装置中制造第一模制体81。第一模制体81包括电绝缘材料。例如，第一模制体81可以包括热塑性塑料、诸如pmma、环氧树脂或硅树脂。如果第一电子半导体芯片30是光电子半导体芯片，则第一模制体81优选地由辐射不透射的或不透明的材料构成。

第一电子半导体芯片30的面向载体2的顶侧3的表面35不被第一模制体81覆盖并且与第一模制体81的面向载体2的前侧86平齐地终止。特别地，第一电子半导体芯片30的表面35的形成发射面31的部分和所述表面的形成前侧接触焊盘33的部分不被第一模制体81覆盖。同样地，在所有情况下，第一牺牲结构70的顶侧71和贯通接触件40的第一接触焊盘41与第一模制体81的前侧86齐平地终止并且不被第一模制体81覆盖。

如图3中所图示的，包括第一模制体81的第一模制体组件80可以被形成得在垂直于载体2的顶侧3的方向上高于第一电子半导体芯片30、贯通接触元件40和第一牺牲结构70。第一模制体81于是完全覆盖第一电子半导体芯片30的侧面36和基面39。第一模制体81同样完全覆盖第一牺牲结构70的侧面73和下侧72。第一模制体81同样覆盖贯通接触元件40的侧面43和第二接触焊盘42。

图4示出继图3中的图示之后的方法状态中的载体2。包括第一模制体81的第一模制体组件80已经从载体2脱离。如果使用了包括可热松解的粘合剂层的膜作为粘合层4，则载体2可能已经例如通过加热粘合层4而脱离。如果膜以使得可热松解的粘合剂层布置在粘合层4的器件侧6上的方式布置在载体上，则膜在使模制体组件80脱离之后保留在载体2上。

自从（since）在第一电子器件30、贯通接触元件40和牺牲结构70周围已经模制了第一模制体组件80的第一模制体81，或者所述电子器件、贯通接触元件和牺牲结构已经通过第一模制体81封装以后，它们即使在已经使载体2脱离之后也由第一模制体组件80的第一模制体81保持。在已经使载体2脱离之后，第一电子器件30的表面35、贯通接触元件40的第一接触焊盘41和第一牺牲结构70的顶侧71在第一模制体81的前侧86处暴露。

图5示出继图4中的图示之后的方法状态中的包括第一模制体81的模制体组件80。从模制体81的后侧85出发，已经去除第一模制体组件80的第一模制体81的一部分。例如，去除可以通过磨削后侧85得以执行。

去除第一模制体81的部分已导致其后侧85已经在如此程度上退后使得所述后侧与第一电子半导体芯片30的基面39、贯通接触元件40的第二接触焊盘42和第一牺牲结构70的下侧72平齐地终止。因此，特别地，可以从第一模制体81外部接触第一电子半导体芯片30的后侧接触焊盘34和贯通接触元件40的第二接触焊盘42。第一半导体芯片30、贯通接触元件40和第一牺牲结构70在磨削之后仅在其相应的侧面36、43、73处被保持。

图6示出继图5中的图示之后的方法状态中的包括第一模制体81的第一模制体组件80。已经去除了第一牺牲结构70。例如，为了去除，可以例如使用合适的溶剂（诸如丙酮）溶解第一牺牲结构70。

作为去除第一牺牲结构70的结果，在第一模制体81中形成第一切口82。第一切口82在第一模制体81中形成贯通开口。

图7示出在时间上继图6中的图示之后的方法状态中的包括第一模制体81的第一模制体组件80。在第一模制体81的后侧85上已经形成多个接触件95。接触件95包括导电材料、优选金属。例如，接触件95可以被形成为薄金属层。在任何情况下，接触件95之一布置在后侧接触焊盘34上。同样地，在任何情况下，接触件95之一布置在贯通接触元件40的第二接触焊盘42上。

在这种情况下，接触件95可以仅仅布置在第一电子半导体芯片30上或者分别布置在贯通接触件40上，否则附加地布置在第一模制体81的后侧85上。经由接触件95，第一电子半导体芯片和贯通接触件40可以以简单的方式（例如通过焊接或引线接合）与外部导体导电连接。

第一连接元件90分别布置在第一模制体81的前侧86上。第一连接元件90就像接触件95那样包括导电材料、例如金属。它们可以例如通过气相沉积工艺或丝网印刷工艺例如作为薄金属层已经被施加在第一模制体81的前侧86上。

连接元件90被布置，使得所述连接元件分别将第一电子半导体芯片30的前侧接触焊盘33与贯通接触件40的第一接触焊盘41导电连接。因此，第一电子半导体芯片30的前侧接触焊盘33可以在贯通接触件40处经由布置在第一模制体81的后侧85上的接触件95连接到外部导体。这允许例如通过表面焊接工艺仅仅从一侧接触第一电子半导体芯片30。

可以通过切断第一模制体组件80来分离（singulate）第一模制体81。因此，可以制造第一电子器件10，所述第一电子器件10在所有情况下包括模制体81之一、第一电子半导体芯片30之一以及贯通接触件40。如将结合图8所描述的，第一模制体组件80可以在分离期间被切断，使得在第一电子器件10之间的分割线在所有情况下穿过切口82伸展。因此，第一切口82的壁面83形成第一电子器件10的侧面。如同样将结合图8描述的，第一电子器件10的侧面因此也可以通过结构化牺牲结构70来结构化。

贯通接触元件40也可以包括电子器件，所述电子器件在电子半导体芯片的驱动方面执行附加功能。例如，贯通接触元件40可以包括保护二极管，所述保护二极管保护电子半导体芯片免受由静电放电造成的损坏。

图8示出在图5中所图示的方法状态中的包括第一模制体81和第一牺牲结构70的第一模制体组件80的平面图。电子半导体芯片30和贯通接触元件40为了更好说明而未图示在图8中。图8图示来自第一模制体组件80的节选（excerpt），其中节选包括六个第一模制体81。为了制造多个第一电子器件10，第一模制体组件80可以包括例如几百个第一模制体81的矩阵。

第一牺牲结构70的各个元件包括基本矩形的形状，其中凹形凹处76形成在第一长侧75上，并且凸形突起78形成在与第一长侧75相对的第二长侧77上。凹处76和突起78在这种情况下基本上包括相同的形状，并且因此彼此匹配，其中凹处76构成突起78的负形状。凹处76和突起78可以以基本圆形的方式形成，如在图8中所图示的。

第一牺牲结构70的元件以三个列（series）彼此相邻地布置。这些列又以彼此间隔开的方式嵌入到第一模制体组件80中，使得牺牲结构70的各个元件分别位于第一电子器件10的第一模制体81的相对侧处。这里，第一电子器件10的第一侧面11在所有情况下形成在第一牺牲结构70的元件的第一长侧75上，而第一电子器件10的第二侧面12在所有情况下形成在第一牺牲结构70的元件的第二长侧77上。

由于模制体81模制（mold）在牺牲结构70周围，因此栓（peg）13在所有情况下在第一电子器件10的第一侧面11上被成形在凹处76的区域中。在所有情况下，凹槽15在第一电子器件10的第二侧面12上被成形在突起78的区域中。在这种情况下，凹处76形成栓13的负形状，并且突起78形成凹槽15的负形状。在基本圆形的凹处76和突起78的情况下，凹槽15和栓13也以基本圆形的方式形成。

为了分离第一模制体81，沿着分割线7切断第一模制体组件81，其中所述分割线7在所有情况下彼此平行地并且相对于第一牺牲结构70的元件横向地伸展，其中所述元件串联布置。切断可以例如通过锯切、激光切割或折断来执行。在垂直于分割线7的方向上，通过去除第一牺牲结构70来分离第一模制体81。第一牺牲结构70可以在沿着分割线7切断之前或之后被去除。如果在去除第一牺牲结构70之后执行切断，则在第一模制体81中形成的切口82也被切断。

在可替换配置中，第一电子器件10可以完全围绕（surround），使得可以通过去除第一牺牲结构70来执行分离，并且可以省去切断第一模制体组件80。在这种情况下，多个或所有侧面可以由第一牺牲结构70成形或结构化。就这点而言，例如有可能以简单的方式由模制体组件制造圆形或三角形电子器件，而不使用复杂的分割方法、诸如例如激光切割。

在去除第一牺牲结构70之前，可以将第一模制体组件80再次施加在合适的载体装置上，以便防止各个第一电子器件30在第一牺牲结构70已经被去除之后以不受控制的方式崩溃。例如，第一模制体组件可以粘合地结合到膜上。

图9图示包括第二电子器件110和另外的第二电子器件120的器件装置100。只要下文没有描述差别，第二电子器件110、120以与第一电子器件10相同的方式制造。此外，只要未从以下描述中明显看出差别，第二电子器件110和另外的第二电子器件120相同地形成。

第二电子器件110、120包括第二电子半导体芯片130，所述第二电子半导体芯片130像第一电子半导体芯片30那样被形成。特别地，第二电子半导体芯片130包括前侧接触焊盘132，所述前侧接触焊盘对应于第一电子半导体芯片30的接触焊盘32。第二电子半导体芯片130嵌入到第二模制体181中，所述第二模制体像第一模制体81那样来制造。

第二电子器件110、120包括在第一侧面111、121上的相应栓113和在第二侧面112、122上的相应凹槽115。栓113和凹槽115已经与第一电子器件10的栓13和凹槽15类似地形成。

接触结构140在所有情况下布置在栓113和凹槽115上。接触结构140包括导电材料、优选金属，并且布置在第二模制体181的前侧186上。布置在栓113上的接触结构140以平坦方式形成在第二模制体181的前侧186的以下部分上，其中该部分形成栓113的顶侧。在这种情况下，接触结构140基本上完全覆盖栓113的顶侧。布置在凹槽115上的接触结构140被形成为围绕凹槽115的环形条。如果另外的第二电子器件120的栓115以接合到第二电子器件110的凹槽113中的方式布置，则第二器件110、120的模制体181的前侧186上的接触结构140彼此邻接。

第二电子器件110包括连接元件119，该连接元件119将第二电子半导体芯片130的前侧接触焊盘132与凹槽上的接触结构140导电连接。此外，连接元件119制造与第二电子器件110的贯通接触元件40的导电连接。另外的连接元件129布置在另外的第二电子器件120上，该另外的连接元件将该另外的第二电子器件120的贯通接触元件40与第二电子半导体芯片130的接触焊盘132导电连接。

器件装置100的第二电子器件110和另外的第二电子器件120以彼此邻接的方式布置，使得该另外的第二电子器件120的栓113以锚定方式接合到第二电子器件120的凹槽115中。在这种情况下，通过在凹槽115和栓113之间的正锁定接合（positivelylockingengagement）来制造锚定。

除了通过正锁定接合的机械连接，第二电子器件110和另外的电子器件120也彼此导电连接。为此，在第二电子器件110、120上布置导电连接150，该导电连接将第二电子器件110的凹槽115上的接触结构140与另外的第二电子器件120的栓113上的接触结构140导电连接。

导电连接150可以包括例如导电粘合剂或焊锡，并且可以以点状方式装配在接触结构140上。通过导电连接150，也可以实现将第二电子器件110附加地机械固定到另外的第二电子器件120，以便因此防止第二电子器件110、120在垂直于前侧186取向的方向上相对运动。

接触元件140上的电连接150允许例如第二电子器件110、120的电串联连接，其中所述第二电子器件110、120经由凹槽115和栓113彼此机械连接。也有可能的是，多个第二电子器件110在所有情况下经由栓113和凹槽115彼此连接，并因此形成包括多个第二电子器件110的链。如果附加的连接元件被布置在第二电子器件110、120上，使得第二电子半导体芯片130的连接面在所有情况下与凹槽115或栓113上的接触结构140导电连接，则可以以特别简单的方式实现这种串联连接。

除了在第一侧面111上的栓113和在第二侧面112上的凹槽115之外，第二电子器件110也可以在其他侧面上分别包括栓和凹槽。这允许通过在所有情况下以接合到另外的电子器件的凹槽中的方式布置一个电子器件的栓来以平坦的布置彼此连接这种电子器件。

栓113和凹槽115也可以包括与所图示的基本圆形的形状不同的形状。例如，可以以燕尾连接的形式配置栓113和凹槽115。所有决定性的是，栓可以布置在凹槽中，并且通过至少部分的正锁定接合实现锚定。这种锚定可以例如通过栓和凹槽的适当底切（undercut）来实现。在这种情况下，凹槽和栓也彼此匹配。

栓113和凹槽115上的接触结构140也可以覆盖栓113和/或凹槽115的侧壁面。因此，相邻布置的两个第二电子器件110、120可以仅仅由于栓113和凹槽115布置成使得它们以正锁定的方式彼此接合的事实而彼此电连接。在这种情况下可以省去导电连接150。

在本发明的可替换实施例中，代替第一牺牲结构70，第二牺牲结构270布置在载体2的顶侧3上，如图10中所示。像第一牺牲结构70那样，第二牺牲结构270通过粘合层4固定在载体2的顶侧3上。除非在下文中另有描述，否则以与第一牺牲结构70相同的方式制造第二牺牲结构270。特别地，可以通过光刻工艺由光致抗蚀剂层制造第二牺牲结构270。图10图示第二牺牲结构270的三个元件，所述三个元件以彼此间隔开的方式布置在载体2的顶侧3上。第二牺牲结构270的各个元件在所有情况下具有侧面273、顶侧271和下侧272。在这种情况下，第二牺牲结构270布置在载体2上，使得顶侧271面向载体2。

图11示出在时间上继图10中的图示之后的方法状态中的载体2。第三电子半导体芯片230已经布置在载体2的顶侧3上。只要未从以下描述明显看出差别，第三电子半导体芯片230像第一和第二电子半导体芯片30、130那样来配置。

第三电子半导体芯片230例如被配置为光电子半导体芯片，并且在表面235上包括发射面231以及也包括两个前侧接触焊盘232。在第三电子半导体芯片230的情况下，可以省略布置在第一电子半导体芯片30上的后侧接触焊盘34。第三电子半导体芯片230垂直于其表面235包括高度，该高度至多与第二牺牲结构270沿着其侧面273的高度正好是相同大小。

第三电子半导体芯片230以与第二牺牲结构270的元件横向间隔开的方式布置。在这种情况下，第三电子半导体芯片230在所有情况下在位于图11中的图示的截面方向内的方向上布置在第二牺牲结构270的两个元件之间。

图12示出在时间上继图11中的图示之后的方法状态中的载体2。第三模制体281已经模制在第二牺牲结构270和第三电子器件230周围。在这种情况下，第三模制体281形成第二模制体组件280。在这种情况下，基本上以分别与第一和第二模制体81、181和第一模制体组件80恰好相同的方式制造和形成第三模制体281和第二模制体组件280。图12中所图示的两个第三模制体281中的每一个模制在两个第三电子半导体芯片230之一周围。

第三模制体281在所有情况下包括面向载体2的前侧286和与前侧286相对的后侧285。因为第三电子半导体芯片230的表面235和第二牺牲结构270的顶侧271面向载体2，所以它们不被第三模制体281覆盖，并且与第三模制体281的前侧286平齐地终止。第三模制体281在垂直于载体2的顶侧3的方向上被形成得高于第二牺牲结构270和第三电子半导体芯片230。它们特别地覆盖第二牺牲结构270的下侧272和侧面273以及第三电子半导体芯片230的侧面236。

图13示出在时间上继图12中的图示之后的方法状态中的包括第三模制体281的第二模制体组件280。如已经结合图4所描述的，载体2已经从第三模制体281脱离。因此，第三电子半导体芯片230与模制体281的顶侧286平齐地终止的表面236以及还有第二牺牲结构270的顶侧271未被覆盖。

图14示出继图13中的图示之后的方法状态中的第二模制体组件280。如结合图5所描述的，在所有情况下，从第三模制体281的后侧285出发去除了第三模制体281的一部分，并且第三模制体281的后侧285已退后。因此，第二牺牲结构270的下侧272未被覆盖，使得牺牲结构270既在第三模制体281的前侧286又在后侧285上与第三模制体281齐平地终止。第三牺牲结构270的元件的侧面273仍然被第三模制体280覆盖。

由于第三电子半导体芯片230在垂直于第三模制体281的后侧285和前侧286的方向上包括比第二牺牲结构270更小的高度，因此第三电子半导体芯片230的与表面235相对的基面237即使在部分地去除第三模制体281之后也被第三模制体281覆盖。

图15示出在时间上继图14中的图示之后的方法状态中的第三模制体281的图示。如结合图6所描述的，已去除了第二牺牲结构270。因此，在第三模制体281中形成了切口282。由于第二牺牲结构270的元件先前与第三模制体281的前侧286和后侧285齐平地终止，因此切口282在第二模制体组件280中形成贯通开口，该第二模制体组件280包括第三模制体281。

已经用导电层284覆盖了第二模制体组件280中的切口282的壁面283。导电层284可能已经通过气相沉积或通过化学沉积工艺而被施加在壁面283上，并且可以包括例如金属，例如金、银或铜。导电层284在第三模制体281的前侧286和后侧285之间延伸，并且在前侧286和后侧285之间制造导电连接。

多个连接元件290已经布置在第三模制体281的前侧286上，这些连接元件在所有情况下将切口282的壁面283上的导电层284与第三电子半导体芯片230的接触焊盘232导电连接。

用于形成切口282的第二牺牲结构270的元件也可以包括比第三电子器件210更小的高度。因此，在部分去除第三模制体281的后侧285之后，第二牺牲结构270的元件不被覆盖。作为去除第二牺牲结构270的结果，于是制造切口282，所述切口282而不是贯通开口在第三模制体281中形成盲孔。

通过在各个第三模制体281之间切断第二模制体组件280，可以从模制体组件280分离第三电子器件210。第三电子器件210在这里在所有情况下包括第三模制体281之一，所述第三模制体281在所有情况下具有嵌入到相应的第三模制体281中的第三电子半导体芯片230。在分离期间，沿着分割平面切断第三模制体组件280，所述分割平面穿过由第二牺牲结构270制造的切口282伸展，使得切口282的壁面283形成第三电子器件210的外面的部分。

图16示出在分离之前在图15中所图示的方法状态中的第二模制体组件280的第三模制体281的前侧286的平面图。图示了四个第三电子器件210。在第二模制体组件280中以两个列布置第三电子器件210。在所有情况下，切口282之一布置在第三电子器件210的拐角边缘处，所述拐角边缘相对于第三电子器件210的前侧286垂直对准。在这种情况下，根据在第二模制体组件280中的位置，切口282之一邻接一至四个第三电子器件210。

可以沿着分割线7分离第三电子器件210，所述分割线7沿着第三电子器件210的模制体281的外边缘在两个相互垂直的方向上伸展。分割线7在这里分别穿过切口282伸展，其中相互垂直分割线7分别在切口282中相交。因此，在所有情况下在分离期间切断切口282。连接元件290分别将第三电子半导体芯片210的接触焊盘232与两个最近的切口282的壁面283上的导电层284连接。

第三电子半导体芯片230的表面235未被第三模制体281覆盖，使得第三电子半导体芯片210的发射面231暴露，并且由第三电子半导体芯片230发射的辐射可以从第三电子器件210出射。

图17示出在分离之后的第三电子器件210之一。切口282形成沿着第三模制体281的拐角边缘伸展的凹处。第三电子半导体芯片230可以经由施加在切口282的壁面283上的传导层（conductivelayer）284被电接触。为此，例如，第三电子器件210的下侧211可以布置在平坦面上，例如印刷电路板上，其中所述下侧基本垂直于第三模制体281的前侧286和后侧287地形成。例如通过焊接，可以在邻接下侧211的切口282中的传导层284与所述面上的印制导线（conductortrack）之间制造传导连接。因此，第三电子器件210可以例如被布置在平坦面上，使得从电子半导体芯片230的发射面231在平行于平坦面的方向上横向地发射电磁辐射。

也有可能在多个电子半导体芯片周围模制模制体。以这种方式，例如，可以制造电子器件，这些电子器件不仅包括如图9或图17中所图示的一个电子半导体芯片，而是包括多个电子半导体芯片。在第三电子器件210的情况下，例如，多个第三电子半导体芯片230可以以与第三电子器件210的下侧211平行的列布置。如果下侧211布置在平坦面上，则电子半导体芯片230可以在面上彼此并排定位。在这种情况下，电子半导体芯片可以一个接一个地串联连接，并且串联连接可以经由分别布置在电子器件的侧边缘上的两个以传导方式涂覆的切口被接触。

代替将第一牺牲结构70或第二牺牲结构270布置在电子器件10、210的边缘上或者布置在模制体81、281的边缘上，牺牲结构也可以布置成使得它们在所有侧面73、273上完全被模制体包围。例如，可以完全在第二牺牲结构270的圆柱形元件之一周围模制第三模制体281之一。在这种情况下，通过去除第二牺牲结构270的圆柱形元件，有可能在第三模制体281或第三电子器件210中创建贯通开口。如果形成贯通开口的这种切口的壁面被配备有导电层，则贯通开口可以被用于贯通接触电子器件210，而不是结合第一电子器件10所描述的贯通接触元件40。

图18示出在用于形成第四电子器件的方法的第一方法状态中的载体2，所述载体具有布置在其顶侧3上的第三牺牲结构370。除非下文中另有描述，否则第三牺牲结构370以与第一牺牲结构70和第二牺牲结构270相同的方式予以形成。特别地，第三牺牲结构370可以通过光刻工艺由光致抗蚀剂层予以制造。尽管未明确图示，但是第三牺牲结构370可以以与第一和第二牺牲结构70、270相同的方式通过粘合装置4固定在载体2上。

第三牺牲结构370被形成为四面截棱锥体。因此，该第三牺牲结构与具有矩形或正方形基面或下侧272的棱锥体相同，该棱锥体的顶点被切掉以便形成平行于下侧272的顶侧271。第三牺牲结构370通过其下侧272布置在载体2上。

第四电子半导体芯片330布置在第三牺牲结构370的顶侧371上。除非另有描述，否则第四电子半导体芯片370像第一电子半导体芯片30、第二电子半导体芯片110、120或第三电子半导体芯片230那样来配置。第四电子半导体芯片330例如被形成为光电子半导体芯片并且例如可以是led芯片。第四电子半导体芯片330的表面335形成发射面331，通过该发射面可以发射电磁辐射。第四电子半导体芯片330的与表面335相对的基面337包括两个接触焊盘332。

第四电子半导体芯片330布置在第三牺牲结构370上，使得第四电子半导体芯片330的表面335面向第三牺牲结构370的顶侧371。第四电子半导体芯片330通过粘合剂层374固定在第三牺牲结构370上。粘合剂层374可以例如是光致抗蚀剂的仍潮湿的层，所述光致抗蚀剂也被用于形成第三牺牲结构370。优选地，粘合剂层374可以使用与第三牺牲结构370相同的溶剂溶解。

如图18中所示的，第三牺牲结构370的顶侧371在一个或所有方向上可以包括比第四电子半导体芯片330的表面335更大的扩展（extent）。可替换地，第三牺牲结构370的顶侧371在一个或所有空间方向上也可以包括比第四电子半导体芯片330的表面335更小的扩展。在这种情况下，第三牺牲结构370的顶侧371可以例如仅覆盖发射面331，所述发射面被形成在表面335上并且包括比表面335更小的扩展。

代替如所描述的最初形成在载体2的顶侧3上的第三牺牲结构370，也可以在第四电子半导体芯片330的表面335上形成第三牺牲结构370。例如，第三牺牲结构370可以通过光刻方法被形成在第四电子半导体芯片330的表面335上。这可能已经被执行，而第四电子半导体芯片330仍然与晶片组件中的另外的第四电子半导体芯片330连接。然后，在分离第四电子半导体芯片330之前，可以在一个方法步骤中对所有第四电子半导体芯片330同时执行光刻方法。

例如如果第三牺牲结构370意图是仅覆盖表面335的一部分、例如包括发射面331的部分，则在将半导体芯片330布置在载体2的顶侧3上之前，可以在第四电子半导体芯片330的表面335上形成第三牺牲结构370。在这种情况下，第三牺牲结构370的顶侧371在一个或所有空间方向上包括比第四电子半导体芯片330的表面335更小的扩展。

在第三牺牲结构370已经被形成在第四电子半导体芯片330的表面335上之后，第三牺牲结构370和第四电子半导体芯片330可以共同地被布置在载体2的顶侧3上，使得第三牺牲结构370位于载体2和第四电子半导体芯片330之间。

图19示出继图18中的图示之后的方法状态中的载体2。第四模制体381已经被模制在第三牺牲结构370和第四电子半导体芯片330周围。除非另有描述，否则第四模制体381正像第一模制体81、第二模制体181或第三模制体281那样被配置。

第四模制体381包括前侧386和与前侧386相对的后侧385。前侧386面向载体2并且与布置在载体2上的第三牺牲结构370的下侧372齐平地终止。因此，第三牺牲结构370的下侧372形成在第四模制体381的前侧386中所裁剪（cutout）的区段。

第四模制体381完全覆盖第三牺牲结构370的侧面373。同样，第四模制体381完全覆盖第四电子半导体芯片330的基面337和侧面336。由于表面335布置在第三牺牲结构370的顶侧371上，所以第四电子半导体芯片330的表面335不被第四模制体381覆盖，其中所述表面包括第四电子半导体芯片330的发射面331。

图20示出在时间上继图19中的图示之后的方法状态中的第四模制体381。如结合第一模制体81或第三模制体281所描述的，已使第四模制体381从载体2脱离，并且从第四模制体381的后侧385出发去除了该第四模制体381的一部分。在去除第四模制体381的一部分期间，该第四模制体381的后侧385在如此程度上向内偏移，使得第四电子半导体芯片330的基面337与第四模制体381的后侧385齐平地终止。因此，第四电子半导体芯片330的基面337暴露，并且布置在其上的接触焊盘332可以从第四模制体381外部被接触。为了更好的可接触性，第二连接元件390布置在接触焊盘332以及第四模制体381的后侧385上。第二连接元件390像第一连接元件90那样被配置。

图21示出第四电子器件310的截面图，所述第四电子器件包括在图20中所图示的第四模制体381。如结合第一牺牲结构70和第二牺牲结构270所描述的，从第四模制体381去除了第三牺牲结构370。因此，在第四模制体381中制造了切口382，所述切口在第四模制体381中形成空腔。

切口382形成在第四模制体381的前侧386中所裁剪的区段。包括发射面331的第四电子半导体芯片330的表面335在切口382的与所裁剪的区段相对的基底处暴露。因此，在发射面331处发射的电磁辐射可以通过切口382从第四电子器件310出射。

由于第三牺牲结构370已经被形成为截棱锥体，因此切口382从其基底出发在第四模制体381的前侧386中所裁剪的区段的方向上变宽。为了聚焦发射光的目的并且为了提高发光效率，切口382的壁面383可以以反射方式形成。

灌封化合物384布置在切口382中。灌封化合物384优选地被配置为使电磁辐射能够从电子器件310出射。灌封化合物384可以包括例如透明灌封材料，例如环氧树脂、硅树脂或热塑性塑料。灌封化合物384可以包括并入式（incorporated）波长转换粒子，以便改变由第四电子器件310发射的电磁辐射的频率和波长。此外，扩散体粒子可以并入到灌封化合物384中，所述扩散体粒子散射由电子半导体芯片330发射的光并且因此能够实现均匀发射。

第四电子器件310可以像第一、第二或第三电子器件10、110、210那样在模制体组件中被制造。在这种情况下，在载体2上以彼此间隔开的方式以栅格形状的方式布置多个第三牺牲结构270，所述多个第三牺牲结构270具有在其上布置的第四电子半导体芯片310。之后，模制体组件在第三牺牲结构370和第四电子半导体芯片310周围被模制，所述模制体组件在所有情况下形成在所有情况下围绕第三牺牲结构370之一和第四电子半导体芯片330之一的第四模制体381。如结合第一、第二和第三电子器件10、110、210所描述的，第四电子器件310随后通过切断模制体组件被分离。

图22示出用于形成第五电子器件的具有第一光致抗蚀剂层441的载体2，所述第一光致抗蚀剂层布置在所述载体的顶侧3上。第一光致抗蚀剂层441均匀地布置在载体2的顶侧3上，并且可能已经通过旋涂例如被施加在顶侧3上。第一光致抗蚀剂层可以包括10μm至1mm的厚度；该第一光致抗蚀剂层优选地包括几百微米的厚度。

第一光致抗蚀剂层441包括顶侧443和与顶侧443相对的下侧444。下侧444以面向载体2的方式布置。第一光致抗蚀剂层441附加地包括第一曝光区442，所述第一曝光区可能已经例如使用光掩模通过光刻曝光方法来创建。第一曝光区442从顶侧443延伸直到第一光致抗蚀剂层441的下侧444，并且在顶侧443上可以包括例如基本矩形的轮廓。

图23图示在时间上继图22中的图示之后的方法状态中的载体2。第二光致抗蚀剂层445已经布置在第一光致抗蚀剂层441的顶侧443上。像第一光致抗蚀剂层441那样，第二光致抗蚀剂层445可能已经通过旋涂被施加。第一光致抗蚀剂层441和第二光致抗蚀剂层445形成双层光致抗蚀剂系统440。

除了第二光致抗蚀剂层445之外，第五电子半导体芯片430布置在第一光致抗蚀剂层441的顶侧443上。除非另有描述，否则第五电子半导体芯片430像第一、第二、第三或第四电子半导体芯片30、130、230、330那样被形成。第五电子半导体芯片430可以例如以矩形方式形成，并且包括表面435和与表面435相对的基面437。以面向第一光致抗蚀剂层441的顶侧443的方式布置表面435。在第一光致抗蚀剂层441的第一曝光区442上布置第五电子半导体芯片230。在这种情况下，第一曝光区442沿着第一光致抗蚀剂层的顶侧443的扩展优选地在一个或所有方向上大于第五电子半导体芯片430的对应扩展。

第五电子半导体芯片430在侧面436上被第二光致抗蚀剂层445覆盖。第二光致抗蚀剂层446的与第一光致抗蚀剂层441的顶侧443垂直地取向的厚度小于第五电子半导体芯片430的在相同方向上取向的高度。因此，第二光致抗蚀剂层445仅部分地覆盖第五电子半导体芯片430的侧面436。第五电子半导体芯片430的基面437以及还有在所有情况下第五电子半导体芯片430的侧面436的一部分未被第二光致抗蚀剂层445覆盖。

在布置第五电子半导体芯片430期间，例如可能已经将该第五电子半导体芯片430压入仍潮湿的第二光致抗蚀剂层445中。可替换地，第五电子半导体芯片430也可能在第二光致抗蚀剂层445之前已经布置在第一光致抗蚀剂层上，并且可能随后已经被第二光致抗蚀剂层445封装。

第五电子半导体芯片430例如被配置为光电子半导体芯片并且例如可以是led芯片。例如，第五电子半导体芯片430可以被配置为体积发射体，所述体积发射体既在其表面435处又在侧面436处发射电磁辐射。在第五电子半导体芯片430情况下的发射面431因此既包括其表面435，又至少部分地包括其侧面436。在其基面437上，第五电子半导体芯片430包括两个接触焊盘432。所述接触焊盘可以像第四电子半导体芯片330的接触焊盘332那样被配置。

在第五电子半导体芯片430和第二光致抗蚀剂层445已被布置在光致抗蚀剂系统440的第一光致抗蚀剂层441的顶侧443上之后，第二光致抗蚀剂层445被曝光。如在第一光致抗蚀剂层441的情况下，可以通过布置在第二光致抗蚀剂层445上的光掩模执行曝光。在曝光期间，围绕第五电子半导体芯片430形成第二光致抗蚀剂层445的第二曝光区446。第二曝光区446可以包括例如围绕第五电子半导体芯片430的矩形形状。第二曝光区446在第二光致抗蚀剂层445的整个厚度上延伸，并且沿着第一光致抗蚀剂层441的顶侧443，包括与第一曝光区441基本相同的扩展，但是例如也可以包括较小的扩展。

在使光致抗蚀剂系统440的第二光致抗蚀剂层445曝光之后，显影第一光致抗蚀剂层441和第二光致抗蚀剂层445。在该工艺中去除第一光致抗蚀剂层441和第二光致抗蚀剂层445的所有未曝光部分。图24示出在光致抗蚀剂系统440显影之后载体2的图示。第一光致抗蚀剂层441的第一曝光区442已经保留在载体2的顶侧3上。第二光致抗蚀剂层445的第二曝光区446已经保留在第一曝光区442的顶侧443上。在这种情况下，第二曝光部分446至少部分地覆盖第五电子半导体芯片430的侧面436。

图24中所图示的第一曝光部分442和第二曝光部分446在载体2的顶侧3上形成第四牺牲结构470，其中第五电子半导体芯片430部分地嵌入到所述第四牺牲结构470中。在这种情况下，第四牺牲结构470的顶侧471由第一光致抗蚀剂层441在其第一曝光区442中的顶侧443形成，其中第五电子半导体芯片430布置在所述第四牺牲结构470的顶侧471上。第四牺牲结构470的一部分、即由第一光致抗蚀剂层414的第一曝光区442形成的部分，位于第五电子半导体芯片430和载体2之间。

代替去除光致抗蚀剂系统440的非曝光区的光刻工艺（负工艺），也有可能使用去除曝光区的工艺（正工艺）。在这种情况下，为了形成第一光致抗蚀剂层441和第二光致抗蚀剂层445，使用正性抗蚀剂，其中曝光位置变得可溶于显影剂中。在这种情况下，所使用的光掩模应当被适配于以下效果，即图23中所图示的第一和第二曝光区442、446被遮蔽并且光致抗蚀剂系统440的剩余部分被曝光。类似地，正工艺和负工艺二者也都可以被用于形成第一、第二或第三牺牲结构70、270、370。

与此类似，如结合第一、第二和第三牺牲结构70、270、370所描述的，具有所嵌入的第五电子半导体芯片430的第四牺牲结构470可以首先被制造在单独的载体上，并且然后被转移到载体2的顶侧3。

图25示出继图24中的图示之后的方法状态中的载体2。第五模制体481已经形成在载体2的顶侧3上，所述第五模制体模制在第四牺牲结构470和第五电子半导体芯片430周围。除非另有描述，否则第五模制体481像第一模制体81、第二模制体181、第三模制体281或第四模制体381那样予以形成。第五模制体481包括前侧486以及与前侧486相对的后侧485。第五模制体481的前侧486以面向载体2的方式布置。如在第三牺牲结构370的情况下，前侧486与布置在载体2的顶侧3上的第四牺牲结构470的下侧472平齐地终止。

在垂直于载体2的顶侧3的方向上，第五模制体481被形成得高于第四牺牲结构470连同其上布置的第五电子半导体芯片430。因此，电子半导体芯片430的侧面436的未被第四牺牲结构470覆盖的部分以及包括接触焊盘432的其基面437被第四牺牲结构470覆盖。

图26图示包括图25种所图示的第五模制体481的电子器件410的截面图。像第一、第二、第三或第四模制体81、181、281、381那样，已使第五模制体481从载体2脱离。此外，就像在第一、第二、第三或第四模制体81、181、281、381的情况下那样，从第五模制体481的后侧485出发去除了第五模制体481的一部分，直到第五模制体481的后侧485与第五电子半导体芯片430的基面437平齐地终止。

像第一、第二或第三牺牲结构70、270、370那样，从第五模制体481去除了第四牺牲结构470。因此，在第五模制体481中制造了切口482。类似于第四模制体381中的切口382，切口482邻接第五模制体481的前侧486，并在前侧486中形成窗口。第五电子半导体芯片430的表面435在切口486与窗口相对的侧上未被覆盖。

由于第四牺牲结构470已经以部分邻接第五电子半导体芯片430的侧面436的方式形成，因此切口482也邻接第五电子半导体芯片430的侧面436。侧面436在第五模制体481的切口482内至少部分地未被覆盖。因此，由电子半导体芯片430经由发射面431发射的辐射可以通过切口482从第五电子器件410出射，其中所述发射面在体积发射体的情况下由表面435和侧面436形成。

像第四模制体381中的切口382那样，切口482可以被填充有灌封化合物，以便实现所发射的辐射的波长转换和/或漫散射。切口482的侧壁同样可以以反射方式形成。切口382可以朝向第五模制体481的前侧486变宽。

如结合第四电子器件310地，接触元件也可以装配在第五模制体481的基底侧485和电子半导体芯片的接触焊盘432上。

像第一、第二、第三或第四电子器件10、110、210、310那样，第五电子器件410同样可以通过模制体组件来制造。模制体组件于是包括多个第五模制体481，所述第五模制体481就其而言分别模制在第五电子半导体芯片430和第四牺牲结构470周围。

虽然已经通过优选的示例性实施例详细地更明确地图示和描述了本发明，但是本发明不受所公开的示例限制，并且本领域技术人员可以从中导出其他变化，而不背离本发明的保护范围。

附图标记列表

2载体

3载体的顶侧

4粘合层

5粘合层的载体侧

6粘合层的器件侧

7分割线

10第一电子器件

11第一电子器件的第一侧面

12第一电子器件的第二侧面

13第一电子器件的栓

15第一电子器件的凹槽

30第一电子半导体芯片

31发射面

32接触焊盘

33第一半导体芯片的前侧接触焊盘

34第一半导体芯片的后侧接触焊盘

35表面

36侧面

38层结构

39基面

40贯通接触元件

41贯通接触元件的第一接触焊盘

42贯通接触元件的第二接触焊盘

43贯通接触元件的侧面

70第一牺牲结构

71第一牺牲结构的顶侧

72第一牺牲结构的下侧

73第一牺牲结构的侧面

75第一长侧

76凹处

77第二长侧

78突起

80第一次模制体组件

81第一模制体

82第一切口

83第一切口的壁面

85第一模制体的后侧

86第一模制体的前侧

90第一连接元件

95接触件

100器件装置

110第二电子器件

111第二器件的第一侧面

112第二器件的第二侧面

113第二器件的栓

115第二器件的凹槽

119连接元件

120另外的第二电子器件

121另外的第二器件的第一侧面

122另外的第二器件的第二侧面

129另外的连接元件

130第二电子半导体芯片

132接触焊盘

140接触结构

150导电连接

181第二模制体

186第二模制体的前侧

210第三电子器件

211下侧

230第三电子半导体芯片

231发射面

232接触焊盘

235表面

236侧面

237基面

270第二牺牲结构

271第二牺牲结构的顶侧

272第二牺牲结构的下侧

273第二牺牲结构的侧面

280第二模制体组件

281第三模制体

282切口

283切口的壁面

284传导层

285第三模制体的后侧

286第三模制体的前侧

290连接元件

310第四电子器件

330第四电子半导体芯片

331第四电子半导体芯片的发射面

332接触焊盘

335表面

336侧面

337基面

370第三牺牲结构

371第三牺牲结构的顶侧

372第三牺牲结构的下侧

373第三牺牲结构的侧面

374粘合剂层

381第四模制体

382切口

383切口的壁面

384灌封化合物

385第四模制体的后侧

386第四模制体的前侧

390第二连接元件

410第五电子器件

430第五电子半导体芯片

431发射面

432接触焊盘

435表面

436第五电子半导体芯片的侧面

437第五电子半导体芯片的基面

440光致抗蚀剂系统

441第一光致抗蚀剂层

442第一曝光区

443第一光致抗蚀剂层的顶侧

444第一光致抗蚀剂层的下侧

445第二光致抗蚀剂层

446第二曝光区

470第四牺牲结构

471第四牺牲结构的顶侧

472第四牺牲结构的下侧

481第五模制体

482切口

485第五模制体的后侧

486第五模制体的前侧。