闪存存储器及其制作方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开一种闪存存储器及其制作方法。闪存存储器包含一堆叠栅极设置一基底上，堆叠栅极包含一抹除栅极以及二浮置栅极，各个浮置栅极具有一锐角指向抹除栅极，浮置栅极的锐角位置会形成较高的电场，使得闪存存储器在较低的操作电压下，依然可进行抹除模式，另外本发明的闪存存储器不需利用控制栅极进行写入模式。

技术研发人员：易亮;陈克基;王献德
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2016.01.29
技术公布日：2017.08.08