技术特征：
技术总结
一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底；刻蚀部分厚度的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽的两侧侧壁形成有对应的若干沟槽凹陷对，相邻的沟槽之间的半导体衬底作为鳍部，所述沟槽凹陷对的区域形成鳍部凸起对。所述方法能够增强栅极结构对鳍部的控制能力，改善短沟道效应。
技术研发人员：张海洋;王彦
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.02.03
技术公布日：2017.08.11