技术特征：
技术总结
本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，制备方法包括：在衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层和第一氧化层；依次对第一氧化层和多晶硅层进行图形化刻蚀至栅氧化层为止；在注入窗口对应的衬底依次形成体区和源区；在形成源区的衬底上依次形成氮化硅层和第二氧化层；采用干法刻蚀工艺对第二氧化层进行反刻处理至暴露出氮化硅层为止；对暴露出的氮化硅层进行湿法刻蚀处理，以形成包括氮化硅层和第二氧化层的侧墙结构；以第一氧化层和侧墙结构为掩蔽，依次对源区和体区进行刻蚀，以形成金属接触孔；采用金属溅射工艺在形成金属接触孔的衬底上形成金属电极。通过本发明技术方案，降低了栅源漏电，提升了器件可靠性。
技术研发人员：马万里;赵圣哲
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.02.19
技术公布日：2017.08.29