1.一种半导体装置，其具有：
半导体层；
第1电极层，其设置在所述半导体层的表面，由第1导电性材料形成；
第2电极层，其层叠在所述第1电极层，由第2导电性材料形成，该第2导电性材料具有与所述第1导电性材料不同的线膨胀系数、且与所述第1导电性材料相比机械强度较低；以及
第3电极层，其层叠在所述第2电极层，由第3导电性材料形成，该第3导电性材料具有与所述第1导电性材料不同的线膨胀系数、且焊料浸润性与所述第1导电性材料相比较高。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述第1电极层与所述第2电极层之间，还具有由机械强度高于所述第2电极层的导电性材料构成的阻挡金属层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述阻挡金属层的导电性材料为Ti或者Ti合金。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述第1导电性材料为AlSi，
所述第2导电性材料为纯铝。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述第1导电性材料为Si的比例高于1％的AlSi。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述第1导电性材料为Si的比例高于1％且包含Cu的AlSiCu。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
在所述半导体层的表面，设置有俯视观察时包围所述第1电极层的保护环，
在所述俯视观察时，以所述第2电极层的周缘包围所述第3电极层的周缘的方式，将所述第2电极层设置为达到至所述第3电极层的外侧。
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，具有：
焊料层，其层叠在所述第3电极层；以及
引线框，其通过所述焊料层焊接在所述第3电极层。
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述半导体层的材料为宽带隙半导体。
10.一种半导体装置，其具有：
半导体层；
第1电极层，其层叠在所述半导体层的表面，由AlCu或AlSiCu形成；以及
第2电极层，其层叠在所述第1电极层，由Cu形成。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述第1电极层的材料为Cu的比例高于1％的AlCu。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述第1电极层的材料为Si的比例高于1％的AlSiCu。
13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
在所述第1电极层与所述第2电极层之间，还具有由机械强度高于所述第2电极层的材料构成的阻挡金属层。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，
所述阻挡金属层的材料为Ta或者Ta合金。
15.根据权利要求10～14中任一项所述的半导体装置，其中，
在所述半导体层的表面，设置有俯视观察时包围所述第1电极层的保护环，
在所述俯视观察时，将所述第1电极层设置为达到至所述第2电极层的周缘的外侧。
16.根据权利要求10～14中任一项所述的半导体装置，其中，具有：
焊料层，其层叠在所述第2电极层；以及
引线框，其通过所述焊料层焊接在所述第2电极层。
17.根据权利要求10～14中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体层的材料为宽带隙半导体。