技术总结
提供一种抑制了在半导体层产生与热应力相伴的裂纹的半导体装置。发射极电极(120)具有第1电极层(121)、第2电极层(122)以及第3电极层(123)。第1～3电极层(121～123)依次层叠在发射极层(106)之上。在第3电极层(123)还层叠有焊料层(130)。第1电极层(121)在半导体芯片(102)的表面覆盖发射极层(106)以及栅极氧化膜(109)。形成第1电极层(121)的第1导电性材料以AlSi为主要成分。构成第2电极层(122)的第2导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且与第1导电性材料相比机械强度较低。构成第3电极层(123)的第3导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且焊料浸润性与第1电极层(121)相比较高。
技术研发人员：信国晃彦;大木博文;友松佳史
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
文档号码：201610096571
技术研发日：2016.02.22
技术公布日：2017.01.04