1.一种掩模，包括：
基底基板；以及
遮光图案，在所述基底基板上，包括透光部和遮光部，
其中，所述遮光部包括：
第一源电极部；
第一漏电极部，与所述第一源电极部间隔开；
第二源电极部，连接至所述第一源电极部；
第二漏电极部，与所述第二源电极部间隔开；
第三源电极部，连接至所述第二漏电极部；
第三漏电极部，与所述第三源电极部间隔开并且包括平行于所述第三源电极部的至少一部分；
第一辅助遮光部，在所述第三源电极部的面向所述第三漏电极部的端部处；以及
第二辅助遮光部，在所述第三漏电极部的面向所述第三源电极部的端部处。
2.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第一辅助遮光部接触所述第三源电极部并且朝向所述第三漏电极部突出。
3.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第一辅助遮光部在所述第三源电极部与所述第三漏电极部之间并且与所述第三源电极部间隔开。
4.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第一辅助遮光部具有条形。
5.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第一辅助遮光部具有圆形和多边形之一。
6.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第二辅助遮光部接触所述第三漏电极部并且朝向所述第三源电极部突出。
7.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第二辅助遮光部在所述第三源电极部与所述第三漏电极部之间并且与所述第三漏电极部间隔开。
8.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第二辅助遮光部具有条形。
9.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第二辅助遮光部具有圆形和多边形之一。
10.根据权利要求1所述的掩模，进一步包括在所述第三源电极部与所述第三漏电极部之间的沟道部。
11.根据权利要求10所述的掩模，其中，所述沟道部是半透射部。
12.根据权利要求10所述的掩模，其中，所述第三源电极部和所述第三漏电极部分别在所述沟道部的两侧被布置为彼此平行，并且所述第三源电极部和所述第三漏电极部中的每一个具有条形。
13.根据权利要求10所述的掩模，其中，所述第三源电极部和所述第三漏电极部分别在所述沟道部的两侧被布置为彼此平行，并且所述第三源电极部和所述第三漏电极部中的每一个具有弯曲条形。
14.根据权利要求1所述的掩模，其中，在所述第一源电极部的端部、所述第一漏电极部的端部、所述第二源电极部的端部以及所述第二漏电极部的端部处不存在辅助遮光部。
15.一种显示装置，包括：
第一基板；
所述第一基板上的第一栅电极、第二栅电极以及第三栅电极；
所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层上的第一半导体层，所述第一半导体层包括与所述第一栅电极重叠的至少一部分；
第一源电极，包括与所述第一半导体层重叠的至少一部分；
第一漏电极，与所述第一源电极间隔开，所述第一漏电极包括与所述第一半导体层重叠的至少一部分；
所述栅极绝缘层上的第二半导体层，所述第二半导体层包括与所述第二栅电极重叠的至少一部分；
第二源电极，连接至所述第一源电极，所述第二源电极包括与所述第二半导体层重叠的至少一部分；
第二漏电极，与所述第二源电极间隔开，所述第二漏电极包括与所述第二半导体层重叠的至少一部分；
所述栅极绝缘层上的第三半导体层，所述第三半导体层包括与所述第三栅电极重叠的至少一部分；
第三源电极，连接至所述第二漏电极，所述第三源电极包括与所述第三半导体层重叠的至少一部分；以及
第三漏电极，与所述第三源电极间隔开，所述第三漏电极包括与所述第三半导体层重叠的至少一部分；
其中，朝向所述第三漏电极突出的第一突起布置在所述第三源电极的端部处，以及
朝向所述第三源电极突出的第二突起布置在所述第三漏电极的端部处。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第三源电极和所述第三漏电极中的每一个具有在3微米至5微米的范围内的宽度，并且
所述第一突起和所述第二突起中的每一个具有在0.1微米至0.5微米的范围内的突出长度。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第三源电极和所述第三漏电极在所述第三半导体层上被布置为彼此平行，并且所述第三源电极和所述第三漏电极中的每一个具有条形。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第三源电极和所述第三漏电极在所述第三半导体层上被布置为彼此平行，并且所述第三源电极和所述第三漏电极中的每一个具有弯曲条形。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，在所述第一源电极的端部、所述第一漏电极的端部、所述第二源电极的端部、以及所述第二漏电极的端部处不存在所述第一突起和所述第二突起。
20.根据权利要求15所述的显示装置，还包括：
第二基板，与所述第一基板相对；以及
液晶层，在所述第一基板与所述第二基板之间。
21.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在第一基板上形成第一栅电极、第二栅电极以及第三栅电极；
在所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上涂覆半导体材料；
在所述半导体材料上涂覆导电材料以形成导电层；
在所述导电层上涂覆光致抗蚀剂；
在所述光致抗蚀剂上方布置掩模；
向所述掩模照射光以对所述光致抗蚀剂执行选择性曝光；
图案化所述光致抗蚀剂；以及
使用图案化的所述光致抗蚀剂图案化所述半导体材料和所述导电层，
其中，所述掩模包括：
基底基板；以及
遮光图案，在所述基底基板上，包括透光部和遮光部，并且
所述遮光部包括：
第一源电极部；
第一漏电极部，与所述第一源电极部间隔开；
第二源电极部，连接至所述第一源电极部；
第二漏电极部，与所述第二源电极部间隔开；
第三源电极部，连接至所述第二漏电极部；
第三漏电极部，与所述第三源电极部间隔开，并且所述第三漏电极部包括平行于所述第三源电极部的至少一部分；
第一辅助遮光部，在所述第三源电极部的端部处；以及
第二辅助遮光部，在所述第三漏电极部的端部处。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一辅助遮光部接触所述第三源电极部并且朝向所述第三漏电极部突出。
23.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一辅助遮光部在所述第三源电极部与所述第三漏电极部之间并且与所述第三源电极部间隔开。
24.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一辅助遮光部具有条形。
25.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一辅助遮光部具有圆形和多边形之一。
26.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第二辅助遮光部接触所述第三漏电极部并且朝向所述第三源电极部突出。
27.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第二辅助遮光部在所述第三源电极部与所述第三漏电极部之间并且与所述第三漏电极部间隔开。
28.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第二辅助遮光部具有条形。
29.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第二辅助遮光部具有圆形和多边形之一。
30.根据权利要求21所述的方法，其中，图案化所述半导体材料和所述导电层包括：
形成包括与所述第三栅电极重叠的至少一部分的第三半导体层，包括与所述第三半导体层重叠的至少一部分的第三源电极，以及与所述第三源电极间隔开并且包括与所述第三半导体层重叠的至少一部分的第三漏电极，并且
所述掩模进一步包括所述第三源电极部与所述第三漏电极部之间的沟道部，所述沟道部用于形成所述第三半导体层的沟道。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，所述沟道部是半透射部。
32.根据权利要求30所述的方法，其中，所述第三源电极部和所述第三漏电极部分别在所述沟道部的两侧被布置为彼此平行，并且所述第三源电极部和所述第三漏电极部中的每一个具有条形。
33.根据权利要求30所述的方法，其中，所述第三源电极部和所述第三漏电极部分别在所述沟道部的两侧被布置为彼此平行，并且所述第三源电极部和所述第三漏电极部中的每一个具有弯曲条形。