1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：
衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；
其中，所述栅极包括：第一栅极和第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极和所述衬底之间；所述第一栅极与所述第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；所述第二栅极与所述衬底之间的栅氧化层厚度为第二厚度；
其中，所述第二栅极通过开关与刷新结构连接，以能将所述第二栅极刷新至初始电位。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第二厚度小于所述第一厚度。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一厚度和所述第二厚度的和值为预设厚度，所述预设厚度为满足所述晶体管的栅氧击穿电压和阈值电压的栅氧化层厚度。
4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第二栅极与所述衬底之间的栅氧化层的氧化工艺为干氧氧化工艺，以减少所述第二栅极和所述衬底之间的栅氧化层的陷阱数量。
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述开关具体为：金属氧化物半导体场效应晶体管、双极结型晶体管或开关芯片。
6.如权利要求1-5任一所述的晶体管，其特征在于，所述刷新结构具体为：所述晶体管的源极或所述第一栅极。