1.场效应晶体管，包括：
基底；
钝化层；
形成于基底和钝化层之间的栅绝缘层；
形成为与栅绝缘层接触的源电极和漏电极；
至少在源电极和漏电极之间形成且与栅绝缘层、源电极、和漏电极接触的半导体层；和
与栅绝缘层接触且经由栅绝缘层面对半导体层的栅电极，
其中钝化层包括包含碱土金属和稀土元素的第一复合氧化物，和
其中栅绝缘层包括包含碱土金属和稀土元素的第二复合氧化物。
2.根据权利要求1的场效应晶体管，
其中第一复合氧化物包括Zr和Hf的至少一种。
3.根据权利要求1或2的场效应晶体管，
其中第二复合氧化物包括Zr和Hf的至少一种。
4.根据权利要求1-3中任一项的场效应晶体管，
其中半导体层包括氧化物半导体。
5.显示元件，包括：
配置成根据驱动信号控制光输出的光控制元件；和
包括根据权利要求1-4中任一项的场效应晶体管且配置成驱动光控制元件的驱动电路。
6.根据权利要求5的显示元件，
其中光控制元件包括电致发光元件、电致变色元件、液晶元件、电泳元件、或电润湿元件。
7.配置成对应于图像数据显示图像的图像显示装置，所述图像显示装置包括：
以矩阵布置的多个显示元件，所述多个显示元件各自为根据权利要求5或6的显示元件；
配置成向所述多个显示元件中的场效应晶体管单独地施加栅电压的多条线路；和
配置成对应于图像数据经由所述多条线路单独地控制场效应晶体管的栅电压的显示控制装置。
8.系统，包括：
根据权利要求7的图像显示装置；和
配置成基于待显示的图像信息产生图像数据并且将图像数据输出到图像显示装置的图像数据产生装置。