技术总结
公开场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。场效应晶体管包括：基底；钝化层；形成于基底和钝化层之间的栅绝缘层；形成为与栅绝缘层接触的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成且与栅绝缘层、源电极、和漏电极接触的半导体层；以及与栅绝缘层接触且经由栅绝缘层面对半导体层的栅电极，其中钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第一复合氧化物，和其中栅绝缘层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合氧化物。
技术研发人员：早乙女辽一;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;新江定宪;草柳岭秀
受保护的技术使用者：株式会社理光
文档号码：201610552716
技术研发日：2016.07.14
技术公布日：2017.01.25