1.一种ODR结构的倒装发光二极管，其特征在于：包括衬底、N型层、有源层、P型层、电流扩展层、DBR层和Ag反射层，衬底上依次设置N型层、有源层和P型层，P型层和有源层刻蚀形成台阶裸露出部分N型层，P型层和裸露出的N型层上形成电流扩展层，电流扩展层上形成DBR层，DBR层刻蚀裸露出部分电流扩展层，DBR层和裸露出的部分电流扩展层上形成Ag反射层，Ag反射层经剥离分别形成和P型层与N型层上的电流扩展层欧姆接触的P接触金属层和N接触金属层。
2.如权利要求1所述的一种ODR结构的倒装发光二极管，其特征在于：还包括绝缘层、N电极和P电极，P接触金属层和N接触金属层上形成绝缘层、P电极和N电极。
3.如权利要求1所述的一种ODR结构的倒装发光二极管，其特征在于：所述N型层为N-GaN层，所述P型层为P-GaN层。
4.一种ODR结构的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
S1：在衬底上依次生成N型层、有源层和P型层；
S2：通过刻蚀裸露出部分N型层；
S3：在P型层和裸露出N型层表面形成电流扩展层；
S4：在表面蒸镀DBR层；
S5：将DBR层刻蚀后裸露出P型层和N型层上的电流扩展层；
S6：在表面溅射Ag反射层，Ag反射层通过剥离形成P接触金属层和N接触金属层；
S7：在表面生长绝缘层，经刻蚀裸露出部分P接触金属层和N接触金属层，再在表面蒸镀金属电极，通过剥离，形成P电极和N电极。
5.一种倒装高压LED，其特征在于：包括由权利要求1所述的多个发光二极管串联形成，其中前一个发光二极管的P接触金属层和后一个发光二极管的N接触金属层相连接，前一个发光二极管的P接触金属层和后一个发光二极管的N接触金属层均为通过同一步工艺形成的Ag反射层，其中在初端发光二极管和末端发光二极管上分别接高压电极的正负极。