技术总结
本发明公开了一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED，包括衬底上依次设置N型层、有源层和P型层，经刻蚀形成台阶裸露出部分N型层，P型层和裸露出的N型层上形成电流扩展层，电流扩展层上形成DBR层，DBR层刻蚀裸露出部分电流扩展层，DBR层和裸露出的部分电流扩展层上形成Ag反射层，Ag反射层经剥离分别形成和P型层与N型层上的电流扩展层欧姆接触的P接触金属层和N接触金属层。本发明提高了芯片的亮度，不需要额外蒸镀金属与N‑GaN形成欧姆接触，节省了工艺步骤和材料，成本低。另外，对于倒装高压LED，该Ag反射层既可以作为形成ODR结构的高反射金属，又可以作为原胞之间的互联金属，节省了工艺步骤，提高了芯片的亮度。
技术研发人员：周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;李小平;吴奇隆;蔡立鹤;邬新根;黄新茂
受保护的技术使用者：厦门乾照光电股份有限公司
文档号码：201610557381
技术研发日：2016.07.15
技术公布日：2016.11.30